Atrodo, kad jūsų naršyklėje išjungtas "JavaScript". Kai kurios šio puslapio funkcijos neveiks, jei neprisijungsite.

FF3MR20W3M1HH11BPSA1

Name: Infineon FF3MR20W3M1HH11BPSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-FF3MR20W3M1HH11B
Price: 439.32 EUR
Availability: InStock

Vaizdai skirti tik iliustracijai
Žr. produkto specifikacijas

Mouser #:

726-FF3MR20W3M1HH11B

Mfr. #:

FF3MR20W3M1HH11BPSA1

Gam.:

Infineon Technologies

Aprašymas:

Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai EasyPACK module with CoolSiC Trench MOSFET and High Current Pin / NTC

Eksploatacijos Laikotarpis:

Naujas Produktas:

Naujiena iš šio gamintojo.

Duomenų Lapas:

FF3MR20W3M1HH11BPSA1 Duomenų Lapas (PDF)

ECAD modelis:

Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.

Daugiau informacijos

Sužinokite daugiau apie Infineon Technologies FF3MR20W3M1HH11BPSA1

Prieinamumas: 13

Turime sandėlyje:: 13

Galime išsiųsti iš karto

Įvyko netikėta klaida. Prašome pabandyti vėliau.
Pagal užsakymą:: 8
Gamintojo numatytas pristatymo laikas: 10

Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje, jei dalių kiekis didesnis nei nurodyta.

Įvesti kiekį:

Min. 1 Užsakoma po 1

Vieneto kaina:

-,-- €

Plėt. Kaina:

-,-- €

Numatomas Įkainis:

Šis Produktas Siunčiamas NEMOKAMAI

Kainodara (EUR)

Qty.	Vieneto kaina	Plėt. Kaina
	439,32 €	439,32 €
	391,13 €	3 129,04 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produkto Požymis	Atributo vertė	Pasirinkite Požymį
Gamintojas:	Infineon
Gaminio kategorija:	Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai
RoHS:
Gaminys:	EasyPACK Modules
Technologijos:	SiC
Vf - tiesioginė įtampa:	4.4 V
Vgs - užtūros-šaltinio įtampa:	- 10 V, + 23 V
Montavimo stilius:	Press Fit
Minimali darbinė temperatūra:	- 40 C
Didžiausia darbinė temperatūra:	+ 175 C
Serija:	EasyPACK
Pakavimas:	Tray
Prekės Ženklas:	Infineon Technologies
Gamybos šalis:	Not Available
Distribucijos šalis:	Not Available
Kilmės šalis:	AT
Rudens laikas:	67 ns
svar. – nuolatinio išleidimo srovė:	275 A
Pd - skaidos galia:	20 mW
Gaminio tipas:	Discrete Semiconductor Modules
RDS On - Drain-Source Varža:	4.1 mOhms
Kilimo Laikas:	44 ns
Gamyklinės pakuotės kiekis:	8
Subkategorija:	Discrete and Power Modules
Tipinė išjungimo vėlinimo trukmė:	142 ns
Tipinė įjungimo vėlinimo trukmė:	86 ns
Prekinis pavadinimas:	CoolSiC
Tranzistoriaus poliškumas:	N-Channel
Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa:	2 kV
Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa:	5.15 V
Dalies Nr., kitokios klasifikacijos numeriai:	FF3MR20W3M1H_H11 SP006049702

Rasta produktų:

Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį

Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.

Pasirinkti atributai: 0

Filtruoti dokumentą:

Duomenų Lapas

FF3MR20W3M1HH11BPSA1 Duomenų Lapas (PDF)

TARIC:: 8541210000
CNHTS:: 8504409100
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 854121000
MXHTS:: 8541210100
ECCN:: EAR99

EasyPACK™ CoolSiC™ Trench MOSFET Modules

Infineon Technologies EasyPACK™ CoolSiC™ Trench MOSFET Modules feature PressFIT contact technology and an integrated Negative Temperature Coefficient (NTC) temperature sensor. These modules operate at a 1200V drain-source voltage, feature a low inductive design, low switching losses, and high current density. The EasyPACK™ modules offer rugged mounting due to integrated mounting clamps and are packaged with a CTI >600. Applications include high-frequency switching devices, DC/DC converters, and DC chargers for EVs. With the Easy 2C Series, Infineon enhances high-power designs using SiC G2 technology and advanced .XT features. The .XT technology provides enhanced ruggedness and extended operating temperatures, while the second-generation SiC MOSFET technology offers improved gate oxide reliability and reduced on-resistance.