Power Silicon Carbide Schottky Diodes

Vishay Semiconductors Power Silicon Carbide (SiC) Schottky Diodes are advanced, high‑performance rectifiers designed to deliver exceptional efficiency, ruggedness, and reliability in demanding power‑electronics applications. Built on wide-band-gap SiC technology, these Vishay diodes offer virtually zero reverse‑recovery charge, extremely fast switching capability, and temperature‑invariant performance, making the devices ideal for next‑generation high‑frequency power conversion systems.

Rezultatai: 45
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr.
 Gam.
Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.
Qty. RoHS ECAD modelis Montavimo stilius
Pakuotė / Korpusas
Configuration
Jei – tiesioginė srovė
Vrrm - pasikartojanti atvirkštinė įtampa
Vf - tiesioginė įtampa
Ifsm – tiesioginė viršįtampio srovė
IR - Atvirkštinė Srovė
Minimali darbinė temperatūra
Didžiausia darbinė temperatūra
Serija
Vishay Semiconductors SiC SCHOTTKY diodai SicG4TO-2202L
Duomenų Lapas
1 000Tikėtina 2026-03-16
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-220AC-2 SIngle 30 A 650 V 1.33 V 180 A 125 uA - 55 C + 175 C VS-4C30ET07T-M3
Vishay Semiconductors SiC SCHOTTKY diodai SicG4TO-2202L
Duomenų Lapas
1 000Tikėtina 2026-03-16
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-220AC-2 SIngle 30 A 650 V 1.33 V 180 A 125 uA - 55 C + 175 C VS-4C30ET07THM3
Vishay Semiconductors SiC SCHOTTKY diodai SiCG4D2PAK2L
Duomenų Lapas
800Tikėtina 2026-08-14
Min.: 1
Daugkart.: 1

TO-263AB-2 Single 30 A 1.2 kV 1.36 V 144 A 550 uA - 55 C + 175 C VS-4C30ET12S2L-M3
Vishay Semiconductors SiC SCHOTTKY diodai SiCG4D2PAK2L
Duomenų Lapas
800Tikėtina 2026-08-14
Min.: 1
Daugkart.: 1

TO-263AB-2 Single 30 A 1.2 kV 1.36 V 144 A 550 uA - 55 C + 175 C VS-4C30ET12S2LHM3
Vishay Semiconductors SiC SCHOTTKY diodai SicG4TO-2202L
Duomenų Lapas
1 000Tikėtina 2026-08-14
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-220AC-2 Single 30 A 1.2 kV 1.36 V 144 A 550 uA - 55 C + 175 C VS-4C30ET12T-M3
Vishay Semiconductors SiC SCHOTTKY diodai SicG4TO-2202L
Duomenų Lapas
1 000Tikėtina 2026-08-14
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-220AC-2 Single 30 A 1.2 kV 1.36 V 144 A 550 uA - 55 C + 175 C VS-4C30ET12THM3
Vishay Semiconductors SiC SCHOTTKY diodai SicG4TO-2473L
Duomenų Lapas
500Tikėtina 2026-03-16
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247AD-3 Common Cathode 20 A 650 V 1.33 V 125 A 110 uA - 55 C + 175 C VS-4C40CP07L-M3
Vishay Semiconductors SiC SCHOTTKY diodai SicG4TO-2473L
Duomenų Lapas
500Tikėtina 2026-03-16
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247AD-3 Common Cathode 20 A 650 V 1.33 V 125 A 110 uA - 55 C + 175 C VS-4C40CP07LHM3
Vishay Semiconductors SiC SCHOTTKY diodai SiCG4D2PAK2L
Duomenų Lapas
800Tikėtina 2026-03-05
Min.: 1
Daugkart.: 1

SMD/SMT TO-263AB-2 Single 6 A 650 V 1.3 V 39 A 35 uA - 55 C + 175 C 4C06ET07S2L-M3
Vishay Semiconductors SiC SCHOTTKY diodai SiCG4D2PAK2L
Duomenų Lapas
800Tikėtina 2026-03-05
Min.: 1
Daugkart.: 1

SMD/SMT TO-263AB-2 Single 6 A 650 V 1.3 V 39 A 35 uA - 55 C + 175 C 4C06ET07S2LHM3
Vishay Semiconductors SiC SCHOTTKY diodai SiCG4D2PAK2L
Duomenų Lapas
780Tikėtina 2026-08-14
Min.: 1
Daugkart.: 1

SMD/SMT TO-263AB-2 Single 8 A 650 V 1.3 V 51 A 41 uA - 55 C + 175 C 4C08ET07S2L-M3
Vishay Semiconductors SiC SCHOTTKY diodai SiCG4D2PAK2L
Duomenų Lapas
800Tikėtina 2026-08-14
Min.: 1
Daugkart.: 1

SMD/SMT TO-263AB-2 Single 8 A 650 V 1.3 V 51 A 41 uA - 55 C + 175 C 4C08ET07S2LHM3
Vishay Semiconductors SiC SCHOTTKY diodai SicG4TO-2202L
Duomenų Lapas
1 000Tikėtina 2026-08-14
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-220AC-2 Single 8 A 650 V 1.3 V 51 A 41 uA - 55 C + 175 C VS-4C08ET07THM3
Vishay Semiconductors SiC SCHOTTKY diodai SicG4TO-2202L
Duomenų Lapas
1 000Tikėtina 2026-08-14
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-220AC-2 Single 8 A 650 V 1.3 V 51 A 41 uA - 55 C + 175 C VS-4C08ET07THM3
Vishay Semiconductors SiC SCHOTTKY diodai SicG4TO-2472L
Duomenų Lapas
500Tikėtina 2026-08-14
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247AD-2 Single 10 A 1.2 kV 1.34 V 50 A 162 uA - 55 C + 175 C VS-4C10EP12L-M3
Vishay Semiconductors SiC SCHOTTKY diodai SiCG4D2PAK2L
Duomenų Lapas
800Tikėtina 2026-08-14
Min.: 1
Daugkart.: 1

SMD/SMT TO-263AB-2 Single 12 A 650 V 1.3 V 72 A 84 uA -55 C + 175 C VS-4C12ET07S2L-M3
Vishay Semiconductors SiC SCHOTTKY diodai SicG4TO-2202L
Duomenų Lapas
1 000Tikėtina 2026-08-14
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-220AC-2 Single 12 A 650 V 1.3 V 72 A 84 uA -55 C + 175 C VS-4C12ET07T-M3
Vishay Semiconductors SiC SCHOTTKY diodai SicG4TO-2472L
Duomenų Lapas
500Tikėtina 2026-08-14
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247AD-2 Single 16 A 650 V 1.3 V 101 A 94 uA - 55 C + 175 C VS-4C16EP07L-M3
Vishay Semiconductors SiC SCHOTTKY diodai SicG4TO-2472L
Duomenų Lapas
500Tikėtina 2026-08-14
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247AD-2 Single 16 A 650 V 1.3 V 101 A 94 uA - 55 C + 175 C VS-4C16EP07LHM3
Vishay Semiconductors SiC SCHOTTKY diodai SicG4TO-2473L
Duomenų Lapas
490Tikėtina 2026-03-09
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247AD-3 Common Cathode 10 A 650 V 1.3 V 60 A 50 uA - 55 C + 175 C VS-4C20CP07L-M3