Atrodo, kad jūsų naršyklėje išjungtas "JavaScript". Kai kurios šio puslapio funkcijos neveiks, jei neprisijungsite.

MSC50DC120HJ

Name: Microchip MSC50DC120HJ
Brand: Microchip Technology
SKU: 494-MSC50DC120HJ
Price: 59.58 EUR
Availability: OutOfStock

Vaizdai skirti tik iliustracijai
Žr. produkto specifikacijas

Mouser #:

494-MSC50DC120HJ

Mfr. #:

MSC50DC120HJ

Gam.:

Microchip Technology

Aprašymas:

Diodų moduliai PM-DIODE-SIC-SBD-SOT227

Peržiūrėti Kūrimo Įrankių Pasirinkimo Programoje

Duomenų Lapas:

MSC50DC120HJ Duomenų Lapas (PDF)

ECAD modelis:

Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.

Daugiau informacijos

Sužinokite daugiau apie Microchip Technology MSC50DC120HJ

Prieinamumas

Turime sandėlyje:: Ne Sandėlyje Esantys

Įvyko netikėta klaida. Prašome pabandyti vėliau.
Gamintojo numatytas pristatymo laikas: 16 Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje.

Įvesti kiekį:

Min. 10 Užsakoma po 10

Vieneto kaina:

-,-- €

Plėt. Kaina:

-,-- €

Numatomas Įkainis:

Šis Produktas Siunčiamas NEMOKAMAI

Kainodara (EUR)

Qty.	Vieneto kaina	Plėt. Kaina
	59,58 €	595,80 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produkto Požymis	Atributo vertė	Pasirinkite Požymį
Gamintojas:	Microchip
Gaminio kategorija:	Diodų moduliai
RoHS:
Montavimo stilius:	Screw Mount
Pakuotė / Korpusas:	SOT-227-4
Vr - atvirkštinė įtampa:	1.2 kV
Configuration:	Full Bridge
Vf - tiesioginė įtampa:	1.5 V
Minimali darbinė temperatūra:	- 55 C
Didžiausia darbinė temperatūra:	+ 150 C
Pakavimas:	Tube
Prekės Ženklas:	Microchip Technology
Gaminys:	SiC Schottky Diode Modules
Gaminio tipas:	Diode Modules
Gamyklinės pakuotės kiekis:	1
Subkategorija:	Discrete and Power Modules
Technologijos:	SiC

Rasta produktų:

Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį

Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.

Pasirinkti atributai: 0

Filtruoti dokumentą:

Duomenų Lapas

MSC50DC120HJ Duomenų Lapas (PDF)

DTS

Peržiūrėti Kūrimo Įrankių Pasirinkimo Programoje

PCN

Kad ši funkcija veiktų, reikia įjungti „JavaScript“.

USHTS:: 8541590080
ECCN:: EAR99

Silicon Carbide (SiC) Power Modules

Microchip Technology Silicon Carbide (SiC) Power Modules combine a formidable array of technologies into a single package optimized for reliability, efficiency, space-saving, and reduced assembly time. The readily available standard module product line from Microchip Technology spans a wide selection of circuit topologies, semiconductors including Silicon Carbide, voltage and current ratings, and packages. Unique requirements can be met with application-specific power modules (ASPM®).

Silicon Carbide (SiC) Semiconductors

Microchip Technology Silicon Carbide (SiC) Semiconductors are an innovative option for power electronic designers looking to improve system efficiency, smaller form factor, and higher operating temperature in products covering industrial, medical, military/aerospace, aviation, and communication market segments. Microchip's next-generation SiC MOSFETs and SiC Schottky Barrier Diodes (SBDs) are designed with high repetitive Unclamped Inductive Switching (UIS) capability, and its SiC MOSFETs maintain high UIS capability at approximately 10J/cm² to 15J/cm² and robust short-circuit protection at 3ms to 5ms. The Microchip Technology SiC SBDs are designed with balanced surge current, forward voltage, thermal resistance, and thermal capacitance ratings at low reverse currents for lower switching loss. In addition, SiC MOSFET and SiC SBD can be paired together for use in modules.