SOT-23-6 Diskretieji Puslaidininkiai

Diskrečiųjų puslaidininkių tipai

Pakeisti kategorijos rodinį
Rezultatai: 66
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr. Gam. Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu. Qty. RoHS Gaminio tipas Technologijos Montavimo stilius Pakuotė / Korpusas
Panjit MOSFETs 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET 29 626Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 3 000

MOSFETs Si SMD/SMT SOT-23-6
Panjit MOSFETs 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET 7 879Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 3 000

MOSFETs Si SMD/SMT SOT-23-6

Diodes Incorporated Dvipoliai tranzistoriai – BJT 20V PNP SuperSOT4 3 621Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 3 000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SOT-23-6

Diodes Incorporated Dvipoliai tranzistoriai – BJT 15V NPN SuperSOT4 3 233Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 3 000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SOT-23-6
Linear Integrated Systems JFETs Low Noise, Low Capacitance, Monolithic Dual, N-Channel JFET 376Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

JFETs Si SMD/SMT SOT-23-6
Linear Integrated Systems JFETs Low Noise, Low Drift, Low Capacitance, Monolithic Dual, N-Channel JFET 282Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

JFETs Si SMD/SMT SOT-23-6

Littelfuse Thyristor Surge Protection Devices - TSPD 12V 30A 1 910Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 3 000

TSPDs SMD/SMT SOT-23-6
Linear Integrated Systems JFETs Wideband, High Gain, Monolithic Dual, N- Channel JFET 76Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

JFETs Si SMD/SMT SOT-23-6
Linear Integrated Systems JFETs Wideband, High Gain, Monolithic Dual, N- Channel JFET 83Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

JFETs Si SMD/SMT SOT-23-6
Linear Integrated Systems JFETs Low Noise, Low Capacitance, Monolithic Dual, N-Channel JFET 118Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

JFETs Si SMD/SMT SOT-23-6
Linear Integrated Systems JFETs Low Noise, Low Capacitance, Monolithic Dual, N-Channel JFET 72Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

JFETs Si SMD/SMT SOT-23-6
Linear Integrated Systems JFETs Wideband, High Gain, Monolithic Dual, N- Channel JFET 78Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

JFETs Si SMD/SMT SOT-23-6

Diodes Incorporated Dvipoliai tranzistoriai – BJT 40V PNP SuperSOT4 7 445Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 3 000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SOT-23-6

Diodes Incorporated Dvipoliai tranzistoriai – BJT Dual 60V NPN/PNP 9 282Prieinamumas
9 000Tikėtina 2026-04-13
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 1 520
Reel: 3 000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SOT-23-6

Littelfuse Thyristor Surge Protection Devices - TSPD 19V 80A SOT23-6L Sidactor 5 000Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 3 000

TSPDs SMD/SMT SOT-23-6
Panjit MOSFETs 20V Complementary Enhancement Mode MOSFET 4 264Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 3 000

MOSFETs Si SMD/SMT SOT-23-6
Panjit MOSFETs 60V Dual P-Channel Enhancement Mode MOSFET 5 414Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 3 000

MOSFETs Si SMD/SMT SOT-23-6

STMicroelectronics MOSFETs P-Channel 30 V, 0.048 Ohm typ., 4 A STripFET H6 Power MOSFET in a SOT23-6L packa 6 973Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 3 000

MOSFETs Si SMD/SMT SOT-23-6

STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 30V .025Ohm 6A STripFET VI 5 855Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 3 000

MOSFETs Si SMD/SMT SOT-23-6

STMicroelectronics Dvipoliai tranzistoriai – BJT PNP Lo-Volt Hi-Gain 2 143Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 3 000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SOT-23-6

Diodes Incorporated Dvipoliai tranzistoriai – BJT 15V NPN SuperSOT4 2 332Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 3 000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SOT-23-6

Diodes Incorporated Dvipoliai tranzistoriai – BJT 50V NPN SuperSOT4 133Prieinamumas
12 000Pagal užsakymą
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 3 000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SOT-23-6

Diodes Incorporated Dvipoliai tranzistoriai – BJT 12V PNP SuperSOT4 2 154Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 3 000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SOT-23-6

Diodes Incorporated Dvipoliai tranzistoriai – BJT 40V PNP SuperSOT4 2 768Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 3 000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SOT-23-6

Diodes Incorporated Dvipoliai tranzistoriai – BJT NPN 50V Low Sat 2 132Prieinamumas
9 000Tikėtina 2026-03-30
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 3 000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SOT-23-6