GaN Transistor Solutions for Sub 6GHz 5G

Qorvo GaN Transistor Solutions for Sub-6GHz 5G are a broad portfolio of gallium nitride (GaN) discrete transistor products. The devices have varying levels of power, voltage, and frequency ratings in die-level and packaged solutions. Qorvo GaN Transistor Solutions for Sub-6GHz 5G provide high GaN performance plus the convenience of industry-standard packaging. This speeds design, manufacturing, and is backed by industry-leading reliability.

Rezultatai: 3
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr.
 Gam.
Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.
Qty. RoHS ECAD modelis Montavimo stilius
Pakuotė / Korpusas
Tranzistoriaus poliškumas
Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa
svar. – nuolatinio išleidimo srovė
Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa
Minimali darbinė temperatūra
Didžiausia darbinė temperatūra
Pd - skaidos galia
Qorvo GaN FET DC-3.6GHz GaN 90W 48V
Duomenų Lapas
54Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 100

SMD/SMT DFN-6 48 V - 40 C
Qorvo GaN FET DC-4GHz 15W 28-50V SSG 24dB PAE 72% GaN
Duomenų Lapas
244Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

SMD/SMT QFN-16 N-Channel 50 V 700 mA - 2.8 V - 40 C + 85 C 17.5 W
Qorvo GaN FET DC-4GHz 45W GaN 48V
Duomenų Lapas
68Prieinamumas
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 250

SMD/SMT QFN-20 48 V - 40 C 45 W