Low Noise FETs & ICs

CEL Low Noise FETs and ICs exhibit low noise figures and high associated gains, delivering exceptional noise figure performance at frequencies past 20GHz. These products are available in both ceramic and plastic packages that uphold the renowned Japanese manufacturing quality and reliability. The low-noise FETs and amplifier ICs offer better RF performance than other pHEMTs. Target markets for the devices include Digital Broadcast Systems (DBS), Low Noise Block (LNB) downconverters, and Very Small Aperture Terminal Satellite (VSAT) communication systems. Other typical applications include microwave communication systems, motion detectors, traffic monitoring, collision avoidance, and presence detections.

Rezultatai: 9
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr.
 Gam.
Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.
Qty. RoHS ECAD modelis Tranzistoriaus tipas
Technologijos
Darbinis Dažnis
Gain
Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa
Vgs - užtūros-šaltinio pramušimo įtampa
svar. – nuolatinio išleidimo srovė
Minimali darbinė temperatūra
Didžiausia darbinė temperatūra
Pd - skaidos galia
Montavimo stilius
Pakuotė / Korpusas
Pakavimas
CEL RF JFET tranzistoriai 20GHz NF .70dB Ga 11.9dB -55C +125C
Duomenų Lapas
90Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

pHEMT GaAs 20 GHz 11.9 dB 3 V - 3 V 10 mA - 55 C + 125 C 125 mW SMD/SMT minimold-4 Bulk
CEL RF JFET tranzistoriai 12GHz NF .3dB Ga 13.7dB -55C +125C
Duomenų Lapas
11 321Prieinamumas
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 10 000

pHEMT GaAs 12 GHz 13.7 dB 4 V - 3 V 10 mA - 55 C + 125 C 125 mW SMD/SMT MICRO-X-4 Reel, Cut Tape, MouseReel
CEL RF JFET tranzistoriai RF Low Noise FET 4-Pin Flat-lead
Duomenų Lapas
2 803Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

pHEMT Si 12 GHz 14.1 dB 2 V - 400 mV 10 mA - 55 C + 125 C 125 mW SMD/SMT minimold-4 Bulk
CEL RF JFET tranzistoriai RF Low Noise FET 4-Pin Flat-lead
Duomenų Lapas
12 597Prieinamumas
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 15 000

Si 12 GHz 14.1 dB 2 V - 400 mV 10 mA - 55 C + 125 C 125 mW SMD/SMT minimold-4 Reel, Cut Tape, MouseReel
CEL RF JFET tranzistoriai 20GHz NF .55dB Ga 13.8dB -55C +125C
Duomenų Lapas
6 922Prieinamumas
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 10 000

pHEMT GaAs 24 GHz 13.8 dB 4 V - 3 V 10 mA - 55 C + 125 C 125 mW SMD/SMT MICRO-X-4 Reel, Cut Tape, MouseReel
CEL RF JFET tranzistoriai 12GHz NF .3dB Ga 13.7dB -55C +125C
Duomenų Lapas
654Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

pHEMT GaAs 12 GHz 13.7 dB 4 V - 3 V 10 mA - 55 C + 125 C 125 mW SMD/SMT MICRO-X-4 Bulk
CEL RF JFET tranzistoriai 12GHz NF .42dB Ga 12.2dB -55C +125C
Duomenų Lapas
63Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

pHEMT GaAs 12 GHz 12.2 dB 4 V - 3 V 10 mA - 55 C + 125 C 125 mW SMD/SMT minimold-4 Bulk
CEL RF JFET tranzistoriai 12GHz NF .42dB Ga 12.2dB -55C +125C
Duomenų Lapas
1 907Prieinamumas
15 000Tikėtina 2026-04-28
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 15 000

pHEMT GaAs 12 GHz 12.2 dB 4 V - 3 V 10 mA - 55 C + 125 C 125 mW SMD/SMT minimold-4 Reel, Cut Tape, MouseReel
CEL RF JFET tranzistoriai 20GHz NF .70dB Ga 11.9dB -55C +125C
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 15 000
Daugkart.: 15 000
Reel: 15 000

pHEMT GaAs 20 GHz 11.9 dB 3 V - 3 V 10 mA - 55 C + 125 C 125 mW SMD/SMT minimold-4 Reel