TPH7R506NH,L1Q
Vaizdai skirti tik iliustracijai
Žr. produkto specifikacijas
Žr. produkto specifikacijas
757-TPH7R506NHL1Q
TPH7R506NH,L1Q
Gam.:
Aprašymas:
MOSFETs U-MOSVIII-H 60V 55A 31nC MOSFET
MOSFETs U-MOSVIII-H 60V 55A 31nC MOSFET
Duomenų Lapas:
Prieinamumas: 15 565
-
Turime sandėlyje:
-
15 565 Galime išsiųsti iš kartoĮvyko netikėta klaida. Prašome pabandyti vėliau.
-
Gamintojo numatytas pristatymo laikas
-
16 Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje, jei dalių kiekis didesnis nei nurodyta.
Kainodara (EUR)
| Qty. | Vieneto kaina |
Plėt. Kaina
|
|---|---|---|
| Nukerpama juosta / „MouseReel™“ † | ||
| 1,26 € | 1,26 € | |
| 0,998 € | 9,98 € | |
| 0,687 € | 68,70 € | |
| 0,595 € | 297,50 € | |
| 0,55 € | 550,00 € | |
| 0,507 € | 1 267,50 € | |
| Visa Ritė (Užsakoma po 5000) | ||
| 0,476 € | 2 380,00 € | |
† 5,00 € „MouseReel™“ mokestis bus pridėtas ir apskaičiuotas jūsų pirkinių krepšelyje. Visi „MouseReel™“ užsakymai neatšaukiami ir negrąžinami.
↩
Duomenų Lapas
Application Notes
- Bipolar Transistors
- Bipolar Transistors
- Bipolar Transistors
- Bipolar Transistors Maximum Ratings
- Impacts of the dv/dt Rate on MOSFETs
- MOSFET Avalanche Ruggedness
- MOSFET Gate Driver Circuit
- MOSFET Parallening (Parasitic Oscillation Between Parallel Power MOSFETs)
- Parasitic Oscillation and Ringing of Power MOSFETs
- Power MOSFET Electrical Characteristics
- Power MOSFET Maximum Ratings
- Power MOSFET Selecting MOSFETs and Consideration for Circuit Design
- Power MOSFET Structure and Characteristics
- Power MOSFET Thermal Design and Attachment of a Thermal Fin
- Simple Guide to Improving Ripple Rejection Ratio of LDO Regulators
- Surface Mount Small Signal Transistor (BJT) Precautions for use
Models
Product Catalogs
Test/Quality Data
- TARIC:
- 8541290000
- CNHTS:
- 8541290000
- CAHTS:
- 8541290000
- USHTS:
- 8541290065
- JPHTS:
- 8541290100
- KRHTS:
- 8541299000
- MXHTS:
- 85412999
- ECCN:
- EAR99
