Silicon Carbide (SiC) Power Devices

ROHM Semiconductor SiC Power Devices deliver 10x the dielectric breakdown field strength, 3x the bandgap, and 3x the thermal conductivity of conventional silicon solutions. This translates to lower switching loss, lower ON resistance, and support for high-temperature operation, making it possible to minimize power loss along with module size. ROHM SiC Power Devices also allow designers to use fewer components, further reducing design complexity.

Diskrečiųjų puslaidininkių tipai
Pakeisti kategorijos rodinį
Rezultatai: 60
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr.
 Gam.
Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.
Qty. RoHS Gaminio tipas
Technologijos
Montavimo stilius
Pakuotė / Korpusas
ROHM Semiconductor SiC MOSFET TO247 650V 39A N-CH SIC
Duomenų Lapas
714Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4
ROHM Semiconductor SiC MOSFET TO247 650V 70A N-CH SIC
Duomenų Lapas
235Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4
ROHM Semiconductor SiC SCHOTTKY diodai SiC Schottky Barrier Diode, 650V, 8A, 2nd Gen
Duomenų Lapas
1 701Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-220ACG-2
ROHM Semiconductor MOSFET moduliai SIC Pwr Module Half Bridge
Duomenų Lapas
4Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

MOSFET Modules SiC Screw Mount Module
ROHM Semiconductor MOSFET moduliai Mod: 1200V 180A (no Diode)
Duomenų Lapas
2Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

MOSFET Modules SiC Screw Mount Module
ROHM Semiconductor SiC MOSFET 1200V Nch SiC Trench MOSFET in 4pin Package - SCT3105KR is a trench gate structure SiC MOSFET ideal for server power supplies, solar inverters, and electric vehicle charging stations. A 4pin package that separates the power source terminal and driver
Duomenų Lapas
87Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4
ROHM Semiconductor SiC MOSFET N-Ch 1200V SiC 31A 80mOhm TrenchMOS
Duomenų Lapas
1 197Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3
ROHM Semiconductor SiC SCHOTTKY diodai RECT 1.2KV 10A RDL SIC SKY
Duomenų Lapas
752Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-220ACG-2
ROHM Semiconductor SiC SCHOTTKY diodai RECT 1.2KV 20A RDL SIC SKY
Duomenų Lapas
1 391Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-220ACG-2
ROHM Semiconductor SiC MOSFET 1200V 40A 262W SIC 80mOhm TO-247N
Duomenų Lapas
Produkto pastabos
117Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3
ROHM Semiconductor SiC MOSFET 1700V 3.7A N-MOSFET Silicon Carbide SiC
Duomenų Lapas
1 462Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-3PFM-3
ROHM Semiconductor SiC MOSFET N-Ch 650V SiC 70A 30mOhm TrenchMOS
Duomenų Lapas
102Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3
ROHM Semiconductor SiC MOSFET N-Ch 1200V SiC 55A 40mOhm TrenchMOS
Duomenų Lapas
322Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3
ROHM Semiconductor SiC MOSFET N-Ch 650V SiC 39A 60mOhm TrenchMOS
Duomenų Lapas
759Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3
ROHM Semiconductor SiC MOSFET N-Ch 650V 30A Silicon Carbide SiC
Duomenų Lapas
887Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247N-3
ROHM Semiconductor SiC MOSFET TO247 1.2KV 31A N-CH SIC
Duomenų Lapas
150Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4
ROHM Semiconductor SiC SCHOTTKY diodai DIODE: 6A 600V
Duomenų Lapas
599Prieinamumas
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 1 000

SiC Schottky Diodes SMD/SMT TO-263AB-3
ROHM Semiconductor SiC MOSFET N-Ch 650V SiC 93A 22mOhm TrenchMOS
Duomenų Lapas
5Prieinamumas
450Tikėtina 2026-03-13
Min.: 1
Daugkart.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3
ROHM Semiconductor SiC MOSFET Nch 1200V 95A SiC TO-247N
Duomenų Lapas
5Prieinamumas
330Pagal užsakymą
Min.: 1
Daugkart.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247N-3
ROHM Semiconductor SiC MOSFET N-Ch 650V SiC 21A 120mOhm TrenchMOS
Duomenų Lapas
67Prieinamumas
450Tikėtina 2026-05-20
Min.: 1
Daugkart.: 1
SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3
ROHM Semiconductor SiC MOSFET N-Ch 1200V SiC 17A 160mOhm TrenchMOS
Duomenų Lapas
24Prieinamumas
3 150Pagal užsakymą
Min.: 1
Daugkart.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3
ROHM Semiconductor SiC SCHOTTKY diodai SiC Schottky Barrier Diode, 650V, 10A, 2nd Gen
Duomenų Lapas
770Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-220ACG-2
ROHM Semiconductor SiC SCHOTTKY diodai SiC Schottky Barrier Diode, 650V, 12A, 2nd Gen
Duomenų Lapas
813Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-220ACG-2
ROHM Semiconductor SiC SCHOTTKY diodai SiC, SBD 650V 15A D2PAK
Duomenų Lapas
46Prieinamumas
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 1 000

SiC Schottky Diodes SMD/SMT TO-263AB-3
ROHM Semiconductor SiC SCHOTTKY diodai SiC Schottky Barrier Diode, 650V, 20A, 2nd Gen
Duomenų Lapas
1Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-220ACG-2