P7 Serija MOSFETs

Rezultatai: 3
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr.
 Gam.
Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.
Qty. RoHS ECAD modelis Technologijos
Montavimo stilius
Pakuotė / Korpusas
Tranzistoriaus poliškumas
Kanalų skaičius
Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa
svar. – nuolatinio išleidimo srovė
RDS On - Drain-Source Varža
Vgs - užtūros-šaltinio įtampa
Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa
Qg – vartų krūvis
Minimali darbinė temperatūra
Didžiausia darbinė temperatūra
Pd - skaidos galia
Kanalas Mode
Prekinis pavadinimas
Pakavimas
Infineon Technologies MOSFETs LOW POWER_NEW
Duomenų Lapas
2 204Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 3 000

Si SMD/SMT SOT-223-3 N-Channel 1 Channel 950 V 4 A 2 Ohms - 20 V, 20 V 2.5 V 10 nC - 55 C + 150 C 7 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs LOW POWER_NEW
Duomenų Lapas
2 153Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 950 V 2 A 3.7 Ohms - 20 V, 20 V 2.5 V 6 nC - 55 C + 150 C 22 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs LOW POWER_NEW
Duomenų Lapas
448Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 950 V 9 A 750 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 23 nC - 55 C + 150 C 28 W Enhancement CoolMOS Tube