Atrodo, kad jūsų naršyklėje išjungtas "JavaScript". Kai kurios šio puslapio funkcijos neveiks, jei neprisijungsite.

SICW025N065H4-BP

Name: Micro Commercial Components (MCC) SICW025N065H4-BP
Brand: Micro Commercial Components (MCC)
SKU: 833-SICW025N065H4-BP
Price: 11.63 EUR
Availability: InStock

Vaizdai skirti tik iliustracijai
Žr. produkto specifikacijas

Mouser #:

833-SICW025N065H4-BP

Mfr. #:

SICW025N065H4-BP

Gam.:

Micro Commercial Components (MCC)

Aprašymas:

SiC MOSFET SiC MOSFET,TO-247-4

Eksploatacijos Laikotarpis:

Naujas Produktas:

Naujiena iš šio gamintojo.

Duomenų Lapas:

SICW025N065H4-BP Duomenų Lapas (PDF)

ECAD modelis:

Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.

Daugiau informacijos

Sužinokite daugiau apie Micro Commercial Components (MCC) SICW025N065H4-BP

Prieinamumas: 360

Turime sandėlyje:: 360 Galime išsiųsti iš karto

Įvyko netikėta klaida. Prašome pabandyti vėliau.
Gamintojo numatytas pristatymo laikas: 52 Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje, jei dalių kiekis didesnis nei nurodyta.

Pranešama apie ilgą šio gaminio pristatymo laiką.

Įvesti kiekį:

Min. 1 Užsakoma po 1

Vieneto kaina:

-,-- €

Plėt. Kaina:

-,-- €

Numatomas Įkainis:

Kainodara (EUR)

Qty.	Vieneto kaina	Plėt. Kaina
	11,63 €	11,63 €
	8,68 €	86,80 €
	7,51 €	751,00 €
	7,11 €	3 555,00 €
	6,64 €	6 640,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produkto Požymis	Atributo vertė	Pasirinkite Požymį
Gamintojas:	Micro Commercial Components (MCC)
Gaminio kategorija:	SiC MOSFET
RoHS:
Montavimo stilius:	Through Hole
Pakuotė / Korpusas:	TO-247-4
Tranzistoriaus poliškumas:	N-Channel
Kanalų skaičius:	1 Channel
Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa:	650 V
svar. – nuolatinio išleidimo srovė:	107 A
RDS On - Drain-Source Varža:	35 mOhms
Vgs - užtūros-šaltinio įtampa:	- 10 V, + 22 V
Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa:	3.1 V
Qg – vartų krūvis:	275 nC
Minimali darbinė temperatūra:	- 55 C
Didžiausia darbinė temperatūra:	+ 175 C
Pd - skaidos galia:	375 W
Kanalas Mode:	Enhancement
Prekės Ženklas:	Micro Commercial Components (MCC)
Configuration:	Single
Rudens laikas:	15 ns
Tiesioginis laidumas - min:	18.2 S
Pakavimas:	Bulk
Gaminys:	SiC MOSFETS
Gaminio tipas:	SiC MOSFETS
Kilimo Laikas:	50 ns
Gamyklinės pakuotės kiekis:	1800
Subkategorija:	Transistors
Technologijos:	SiC
Tipinė išjungimo vėlinimo trukmė:	29 ns
Tipinė įjungimo vėlinimo trukmė:	28 ns

Rasta produktų:

Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį

Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.

Pasirinkti atributai: 0

Filtruoti dokumentą:

Duomenų Lapas

SICW025N065H4-BP Duomenų Lapas (PDF)

TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

DC Fast Charging Solutions

MCC DC Fast Charging Solutions support the next generation of EV infrastructures with high-performance components designed for speed, safety, and system efficiency. As global EV adoption accelerates, fast chargers are crucial for meeting driver expectations, cutting charge times dramatically, and making electric mobility more practical and scalable.

SICWx silicio karbido (SiC) MOSFET

„Micro Commercial Components (MCC)“ SICWx silicio karbidas (SiC) MOSFET yra didelės spartos perjungimo 650 V SiC MOSFET. Šiuose MOSFET naudojama SiC MOSFET technologija ir jie puikiai tinka aukštos įtampos taikymams, todėl patikimai veikia atšiaurioje pramoninėje aplinkoje. SICWx MOSFET yra suprojektuoti su mažu R_DS(on)ir maža užtūros įkrova, kad sumažėtų perjungimo nuostoliai ir padidėtų bendras sistemos efektyvumas Efektyvumą didinanti konstrukcija ir TO-247 pakuotė užtikrina puikias šilumines charakteristikas, o 3 kontaktų arba 4 kontaktų (Kelvino šaltinio kaištis) variantai padidina universalumą. SICWx MOSFET yra tvirtos konstrukcijos ir lavininės konstrukcijos, kad būtų užtikrintas geresnis šilumos valdymas ir efektyvumas. Šie MOSFET idealiai tinka maitinimo šaltiniams, telekomunikacijoms, atsinaujinančiosios energijos sistemoms ir variklių pavaroms.