PJQ44611AP-AU_R2_002A1

Panjit
241-PJQ4461AUR2002A1
PJQ44611AP-AU_R2_002A1

Gam.:

Aprašymas:
MOSFETs 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

Eksploatacijos Laikotarpis:
Naujas Produktas:
Naujiena iš šio gamintojo.
ECAD modelis:
Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.

Prieinamumas: 4 260

Turime sandėlyje:
4 260 Galime išsiųsti iš karto
Gamintojo numatytas pristatymo laikas
6 Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje, jei dalių kiekis didesnis nei nurodyta.
Min. 1   Užsakoma po 1
Vieneto kaina:
-,-- €
Plėt. Kaina:
-,-- €
Numatomas Įkainis:
Pakuotė:
Visa Ritė (Užsakoma po 5000)

Kainodara (EUR)

Qty. Vieneto kaina
Plėt. Kaina
Nukerpama juosta / „MouseReel™“
0,645 € 0,65 €
0,396 € 3,96 €
0,257 € 25,70 €
0,196 € 98,00 €
0,16 € 160,00 €
0,159 € 397,50 €
Visa Ritė (Užsakoma po 5000)
0,14 € 700,00 €
0,132 € 1 320,00 €
† 5,00 € „MouseReel™“ mokestis bus pridėtas ir apskaičiuotas jūsų pirkinių krepšelyje. Visi „MouseReel™“ užsakymai neatšaukiami ir negrąžinami.

Produkto Požymis Atributo vertė Pasirinkite Požymį
Panjit
Gaminio kategorija: MOSFETs
RoHS:  
Si
SMD/SMT
DFN3333-8
P-Channel
60 V
13 A
84 mOhms
- 20 V, 20 V
2.5 V
18 nC
- 55 C
+ 175 C
31 W
Enhancement
AEC-Q101
Reel
Cut Tape
MouseReel
Prekės Ženklas: Panjit
Configuration: Single
Rudens laikas: 12 ns
Gaminio tipas: MOSFETs
Kilimo Laikas: 3.1 ns
Gamyklinės pakuotės kiekis: 5000
Subkategorija: Transistors
Tipinė išjungimo vėlinimo trukmė: 27 ns
Tipinė įjungimo vėlinimo trukmė: 4.9 ns
Tranzistoriaus tipas: 1 P-Channel
Vieneto Svoris: 30 mg
Rasta produktų:
Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį
Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.
Pasirinkti atributai: 0

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

60V P-Channel Enhancement Mode MOSFETs

PANJIT 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFETs are designed with advanced trench technology to minimize RDS(ON) while maximizing avalanche ruggedness and space usage while maintaining superior switching performance. The devices feature a 200mA to 16A continuous drain current, a 1.1nC to 22nC gate charge, and 300mW to 50W power dissipation. The MOSFETs include advanced Trench Process technology and are optimized for use as relay drivers and line drivers. With AEC-Q101 qualification options and a high junction temperature of 175°C, the MOSFETs are ideal for automotive design engineers to simplify circuitry while optimizing performances.

60V Automotive P-Channel MOSFETs

PANJIT 60V Automotive P-Channel MOSFETs are designed with advanced trench process technology to minimize RDS(ON) while maximizing avalanche ruggedness and space usage. With AEC-Q101 qualification and a high junction temperature of +175°C, these MOSFETs are the optimal choice for automotive design engineers who wish to simplify circuitry while optimizing performance. PANJIT’s P-channel MOSFETs can reduce the circuit complexity of power designs. These components are available in a wide range of compact packages, including SOT-23, SOT-23 6L-1, DFN2020B-6L, DFN3333-8L, DFN5060-8L, and TO-252AA.