STMicroelectronics IGBT

Rezultatai: 5
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr.
 Gam.
Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.
Qty. RoHS ECAD modelis Technologijos
Pakuotė / Korpusas
Montavimo stilius
Configuration
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
Kolektoriaus ir Emiterio Stoties Įtampa
Didžiausia vartų emiterio įtampa
Nuolatinė kolektoriaus srovė esant 25 C
Pd - skaidos galia
Minimali darbinė temperatūra
Didžiausia darbinė temperatūra
Serija
Pakavimas
STMicroelectronics IGBT 30A 600V Fast IGBT 5kHz 1.9 VCE
Duomenų Lapas
492Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si TO-3PF Through Hole Single 600 V 1.5 V - 20 V, 20 V 35 A 79 W - 55 C + 150 C STGWF30NC60S Tube
STMicroelectronics IGBT 650V 60A HSpd trench gate field-stop IGBT
Duomenų Lapas
317Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si TO-3P Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 80 A 375 W - 55 C + 175 C STGWT60H65DFB Tube
STMicroelectronics IGBT Trench gate H series 650V 80A HiSpd
Duomenų Lapas
44Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si TO-3P Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 120 A 469 W - 55 C + 175 C STGWT80H65DFB Tube
STMicroelectronics IGBT 650V 60A HSpd trench gate field-stop IGB
Duomenų Lapas
209Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si TO-3P Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 80 A 375 W - 40 C + 175 C STGWT60H65FB Tube
STMicroelectronics IGBT 650V 40A HSpd trench gate field-stop IGB
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 14 Savaičių
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si TO-3P Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 80 A 283 W - 55 C + 175 C STGWT40H65DFB Tube