STMicroelectronics Dvipoliai tranzistoriai – BJT

Rezultatai: 19
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr.
 Gam.
Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.
Qty. RoHS ECAD modelis Technologijos
Montavimo stilius
Pakuotė / Korpusas
Tranzistoriaus poliškumas
Configuration
Didžiausia nuolatinės srovės kolektoriaus srovė
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
Collector- Base Voltage VCBO
Emitter- Base Voltage VEBO
Kolektoriaus ir Emiterio Stoties Įtampa
Pd - skaidos galia
Gain Juostos pločio produktas fT
Minimali darbinė temperatūra
Didžiausia darbinė temperatūra
Serija
Pakavimas
STMicroelectronics Dvipoliai tranzistoriai – BJT NPN High Volt Power
Duomenų Lapas
3 911Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole SOT-32-3 NPN Single 500 mA 450 V 5 V 1 V 40 W 20 MHz + 150 C BUX87 Tube
STMicroelectronics Dvipoliai tranzistoriai – BJT PNP Audio Amplfier
Duomenų Lapas
16 546Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole SOT-32-3 PNP Single 1.5 A 80 V 80 V 5 V 500 mV 1.25 W + 150 C BD140 Tube
STMicroelectronics Dvipoliai tranzistoriai – BJT PNP Medium Power
Duomenų Lapas
8 947Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole SOT-32-3 PNP Single 4 A 45 V 45 V 5 V 200 mV 36 W 3 MHz + 150 C BD438 Tube
STMicroelectronics Dvipoliai tranzistoriai – BJT NPN Silicon Trnsistr
Duomenų Lapas
2 818Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole SOT-32-3 NPN Single 1.5 A 45 V 45 V 5 V 500 mV 1.25 W + 150 C BD135 Tube
STMicroelectronics Dvipoliai tranzistoriai – BJT NPN Medium Power +30VCEO +5VBEO
Duomenų Lapas
3 631Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole SOT-32-3 NPN Single 3 A 30 V 60 V 5 V 1.1 V 12.5 W 100 MHz + 150 C 2SD882 Tube
STMicroelectronics Dvipoliai tranzistoriai – BJT NPN Audio Amplifier
Duomenų Lapas
5 314Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole SOT-32-3 NPN Single 1.5 A 45 V 45 V 5 V 500 mV 12.5 W + 150 C BD135 Tube
STMicroelectronics Dvipoliai tranzistoriai – BJT PNP Audio Amplfier
Duomenų Lapas
5 684Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole SOT-32-3 PNP Single 1.5 A 45 V 45 V 5 V 500 mV 1.25 W + 150 C BD136 Tube
STMicroelectronics Dvipoliai tranzistoriai – BJT PNP Silicon Trnsistr
Duomenų Lapas
2 153Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole SOT-32-3 PNP Single 1.5 A 45 V 45 V 5 V 500 mV 1.25 W + 150 C BD136 Tube
STMicroelectronics Dvipoliai tranzistoriai – BJT PNP Audio Amplfier
Duomenų Lapas
4 623Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole SOT-32-3 PNP Single 1.5 A 60 V 60 V 5 V 500 mV 1.25 W + 150 C BD138 Tube
STMicroelectronics Dvipoliai tranzistoriai – BJT NPN Audio Amplifier
Duomenų Lapas
6 712Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole SOT-32-3 NPN Single 1.5 A 80 V 80 V 5 V 500 mV 1.25 W + 150 C BD139 Tube
STMicroelectronics Dvipoliai tranzistoriai – BJT NPN Silicon Trnsistr
Duomenų Lapas
2 849Prieinamumas
6 000Tikėtina 2026-04-29
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole SOT-32-3 NPN Single 1.5 A 80 V 80 V 5 V 500 mV 1.25 W + 150 C BD139 Tube
STMicroelectronics Dvipoliai tranzistoriai – BJT NPN Silicon Trnsistr
Duomenų Lapas
7 493Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole SOT-32-3 NPN Single 1.5 A 80 V 80 V 5 V 500 mV 1.25 W + 150 C BD139 Tube
STMicroelectronics Dvipoliai tranzistoriai – BJT PNP Silicon Trnsistr
Duomenų Lapas
6 008Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole SOT-32-3 PNP Single 1.5 A 80 V 80 V 5 V 500 mV 1.25 W + 150 C BD140 Tube
STMicroelectronics Dvipoliai tranzistoriai – BJT NPN General Purpose
Duomenų Lapas
1 854Prieinamumas
4 000Tikėtina 2026-03-25
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole SOT-32-3 NPN Single 2 A 80 V 100 V 5 V 600 mV 25 W + 150 C BD237 Tube
STMicroelectronics Dvipoliai tranzistoriai – BJT NPN Medium Power
Duomenų Lapas
3 938Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole SOT-32-3 NPN Single 4 A 45 V 45 V 5 V 200 mV 36 W 3 MHz + 150 C BD437 Tube
STMicroelectronics Dvipoliai tranzistoriai – BJT NPN Medium Power
Duomenų Lapas
2 690Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole SOT-32-3 NPN Single 500 mA 300 V 300 V 3 V 500 mV 20.8 W + 150 C MJE340 Tube
STMicroelectronics Dvipoliai tranzistoriai – BJT PNP Medium Power
Duomenų Lapas
2 492Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole SOT-32-3 PNP Single 500 mA 300 V 300 V 3 V 500 mV 20.8 W + 150 C MJE350 Tube
STMicroelectronics Dvipoliai tranzistoriai – BJT High voltage Fast-switching NPN
Duomenų Lapas
1 354Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole SOT-32-3 NPN Single 1.5 A 400 V 9 V 1.5 V 40 W - 40 C + 150 C ST13003-K Bulk
STMicroelectronics Dvipoliai tranzistoriai – BJT NPN Hi-Volt Fast Sw
Duomenų Lapas
5 997Tikėtina 2026-02-17
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si SMD/SMT SOT-32-3 NPN Single 1.5 A 400 V 700 V 9 V 500 mV 40 W - 65 C + 150 C ST13003 Tube