STMicroelectronics IGBT

Rezultatai: 3
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr.
 Gam.
Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.
Qty. RoHS ECAD modelis Technologijos
Pakuotė / Korpusas
Montavimo stilius
Configuration
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
Kolektoriaus ir Emiterio Stoties Įtampa
Didžiausia vartų emiterio įtampa
Nuolatinė kolektoriaus srovė esant 25 C
Pd - skaidos galia
Minimali darbinė temperatūra
Didžiausia darbinė temperatūra
Serija
Kvalifikacija
Pakavimas
STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 120 A low loss
Duomenų Lapas
380Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Max247-3 Through Hole Single 650 V 1.65 V - 20 V, 20 V 160 A 625 W - 55 C + 175 C STGYA120M65DF2 Tube
STMicroelectronics IGBT Automotive-grade trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 120 A low loss in
Duomenų Lapas
515Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Max247-3 Through Hole Single 650 V 1.65 V - 20 V, 20 V 160 A 625 W - 55 C + 175 C STGYA120M65DF2AG AEC-Q101 Tube
STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop 1200 V, 75 A, high-speed H series IGBT in a Max247 long l
Duomenų Lapas
283Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si MAX257-3 Through Hole Single 1.2 kV 2.1 V - 20 V, 20 V 150 A 750 W - 55 C + 175 C Tube