STMicroelectronics Diskretieji Puslaidininkiai

Diskrečiųjų puslaidininkių tipai
Pakeisti kategorijos rodinį
Rezultatai: 3
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr.
 Gam.
Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.
Qty. RoHS Gaminio tipas
Technologijos
Montavimo stilius
Pakuotė / Korpusas
STMicroelectronics SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 750 V, 11.4 mOhm typ., 110 A in an HU3PAK package
Duomenų Lapas
274Prieinamumas
600Tikėtina 2026-03-09
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 600

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT HU3PAK-7
STMicroelectronics SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HU3PAK package
Duomenų Lapas
729Prieinamumas
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 600

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT HU3PAK-7
STMicroelectronics SiC SCHOTTKY diodai Automotive 1200 V, 20A power Schottky High Surge silicon carbide diode
Duomenų Lapas
305Tikėtina 2026-03-16
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 600

SiC Schottky Diodes SMD/SMT HU3PAK-9