CEL RD tranzistoriai

RF tranzistorių tipai

Pakeisti kategorijos rodinį
Rezultatai: 14
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr. Gam. Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu. Qty. RoHS Gaminio tipas Montavimo stilius Pakuotė / Korpusas Tranzistoriaus tipas Technologijos Darbinis Dažnis Minimali darbinė temperatūra Didžiausia darbinė temperatūra Gain Pakavimas
CEL RF JFET tranzistoriai 12GHz NF .3dB Ga 13.7dB -55C +125C 9 692Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 10 000

RF JFET Transistors SMD/SMT MICRO-X-4 pHEMT GaAs 12 GHz - 55 C + 125 C 13.7 dB Reel, Cut Tape, MouseReel
CEL RF JFET tranzistoriai 20GHz NF .55dB Ga 13.8dB -55C +125C 9 400Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 10 000

RF JFET Transistors SMD/SMT MICRO-X-4 pHEMT GaAs 24 GHz - 55 C + 125 C 13.8 dB Reel, Cut Tape, MouseReel
CEL RF JFET tranzistoriai RF Low Noise FET 4-Pin Flat-lead 2 679Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

RF JFET Transistors SMD/SMT minimold-4 pHEMT Si 12 GHz - 55 C + 125 C 14.1 dB Bulk
CEL RF JFET tranzistoriai RF Low Noise FET 4-Pin Flat-lead 12 212Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 15 000

RF JFET Transistors SMD/SMT minimold-4 Si 12 GHz - 55 C + 125 C 14.1 dB Reel, Cut Tape, MouseReel
CEL RF JFET tranzistoriai 12GHz NF .3dB Ga 13.7dB -55C +125C 713Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

RF JFET Transistors SMD/SMT MICRO-X-4 pHEMT GaAs 12 GHz - 55 C + 125 C 13.7 dB Bulk
CEL RF JFET tranzistoriai 12GHz NF .42dB Ga 12.2dB -55C +125C 138Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

RF JFET Transistors SMD/SMT minimold-4 pHEMT GaAs 12 GHz - 55 C + 125 C 12.2 dB Bulk
CEL CE3520K3
CEL RF JFET tranzistoriai 20GHz NF .55dB Ga 13.8dB -55C +125C 100Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

RF JFET Transistors pHEMT GaAs Bulk
CEL RF JFET tranzistoriai 12GHz NF .42dB Ga 12.2dB -55C +125C
14 950Tikėtina 2026-07-06
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 15 000

RF JFET Transistors SMD/SMT minimold-4 pHEMT GaAs 12 GHz - 55 C + 125 C 12.2 dB Reel, Cut Tape, MouseReel
CEL RF JFET tranzistoriai 20GHz NF .70dB Ga 11.9dB -55C +125C
150Tikėtina 2026-06-09
Min.: 1
Daugkart.: 1

RF JFET Transistors SMD/SMT minimold-4 pHEMT GaAs 20 GHz - 55 C + 125 C 11.9 dB Bulk
CEL RD dvipoliai tranzistoriai For NESG270034-AZ Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 1
Daugkart.: 1

RF Bipolar Transistors SMD/SMT Bipolar SiGe
CEL RF JFET tranzistoriai 20GHz NF .70dB Ga 11.9dB -55C +125C Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 15 000
Daugkart.: 15 000
: 15 000

RF JFET Transistors SMD/SMT minimold-4 pHEMT GaAs 20 GHz - 55 C + 125 C 11.9 dB Reel
CEL NE5550979A-EV04-A
CEL RD MOSFET tranzistoriai Pout 39.5dBm PAE 66% Eval Brd for 460MHz N/A
Min.: 1
Daugkart.: 1

RF MOSFET Transistors Si Bulk
CEL CE7530K2-C1
CEL RF JFET tranzistoriai Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 10 000
Daugkart.: 10 000
: 10 000

RF JFET Transistors Reel
CEL CE7531K3-C1
CEL RF JFET tranzistoriai Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 10 000
Daugkart.: 10 000
: 10 000

RF JFET Transistors Reel