TGA2830 & TGA2975 GaN Power Amplifiers

Qorvo TGA2830 & TGA2975 GaN Power Amplifiers operate from 2.7GHz to 3.5GHz and are designed using Qorvo's 00.25µm GaN (Gallium Nitride) on SiC (Silicon Carbide) production process (QGaN25). The TGA2830 and TGA2975 can operate under both pulse and CW conditions and are ideally suited for commercial and defense related radar applications. Both RF ports on these devices have integrated DC blocking capacitors and are matched to 50Ω. 

Rezultatai: 2
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr.
 Gam.
Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.
Qty. RoHS ECAD modelis Darbinis Dažnis
Gain
Montavimo stilius
Pakuotė / Korpusas
Technologijos
Minimali darbinė temperatūra
Didžiausia darbinė temperatūra
Serija
Pakavimas
Qorvo RF Stiprintuvas 2.7-3.5 GHz, 18 W GaN PA
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 20 Savaičių
Min.: 500
Daugkart.: 500
: 500
2.7 GHz to 3.5 GHz 30.5 dB SMD/SMT QFN-24 GaN SiC - 40 C + 85 C TGA2830 Reel
Qorvo TGA2975-SMTR7
Qorvo RF Stiprintuvas 2.7-3.5 GHz, 12 W GaN PA
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 20 Savaičių
Min.: 250
Daugkart.: 250
: 250

TGA2975 Reel