Through Hole Optiškai Izoliuotos Gate Tvarkyklės

Rezultatai: 15
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr. Gam. Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu. Qty. RoHS ECAD modelis Serija Montavimo stilius Pakuotė / Korpusas Kanalų skaičius Vf - tiesioginė įtampa Vr - atvirkštinė įtampa Jei – tiesioginė srovė Izoliacijos Įtampa Minimali darbinė temperatūra Didžiausia darbinė temperatūra Pd - skaidos galia Vėlinimo trukmė – maks. Kilimo Laikas Rudens laikas Pakavimas

Toshiba Optiškai Izoliuotos Gate Tvarkyklės Gate Drive Coupler Wide Creepage 15 043Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole DIP-8 1 Channel 1.55 V 5 V 20 mA 3750 Vrms - 40 C + 125 C 260 mW 200 ns 15 ns 8 ns Tube
Vishay Semiconductors Optiškai Izoliuotos Gate Tvarkyklės Dual Photovoltaic MOSFET Driver 3 709Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole DIP-8 2 Channel 1.26 V 5 V 50 mA 5300 Vrms - 40 C + 100 C Tube
Vishay Semiconductors Optiškai Izoliuotos Gate Tvarkyklės IGBT MOSFET Driver 2.5A 1 006Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole DIP-8 1 Channel 1.6 V 5 V 25 mA 5300 Vrms - 40 C + 110 C 295 mW 100 ns 100 ns Tube
Vishay Semiconductors Optiškai Izoliuotos Gate Tvarkyklės IGBT & MOSFET Drvr uL, cUL, CQC DIP-8 1 486Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole DIP-8 1 Channel 1.37 V 5 V 16 mA 5300 Vrms - 40 C + 105 C 295 mW 35 ns 35 ns Tube
Vishay Semiconductors Optiškai Izoliuotos Gate Tvarkyklės IGBT & MOSFET Drvr uL, cUL, CQC DIP-8 1 490Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole DIP-8 1 Channel 1.37 V 5 V 16 mA 5300 Vrms - 40 C + 105 C 295 mW 35 ns 35 ns Tube
Vishay Semiconductors Optiškai Izoliuotos Gate Tvarkyklės 0.5A Current Out IGBT/MOSFET Drvr 1 181Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole DIP-8 1 Channel 1.6 V 5 V 25 mA 5300 Vrms - 40 C + 110 C 295 mW 100 ns 100 ns Tube
Toshiba Optiškai Izoliuotos Gate Tvarkyklės Photo-IC 3750 Vrms 35V VCC 5mA 30V 6 730Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole PDIP-8 1 Channel 1.55 V 5 V 20 mA 3750 Vrms - 40 C + 125 C 260 mW 700 ns 50 ns 50 ns Tube

Vishay Semiconductors Optiškai Izoliuotos Gate Tvarkyklės Dual Photovoltaic MOSFET Driver 1 472Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

VO1263 Through Hole DIP-8 2 Channel 1.6 V 5 V 50 mA 5300 Vrms - 40 C + 100 C Tube
Toshiba Optiškai Izoliuotos Gate Tvarkyklės Photo-IC 3750 Vrms 0.35 ms 5mA Low PWR 683Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole PDIP-8 1 Channel 1.55 V 5 V 20 mA 3750 Vrms - 40 C + 125 C 260 mW 700 ns 50 ns 50 ns Tube
Toshiba Optiškai Izoliuotos Gate Tvarkyklės Gate Drive Coupler 164Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole DIP-8 1 Channel 1.55 V 5 V 20 mA 3750 Vrms - 40 C + 125 C 260 mW 200 ns 15 ns 8 ns Tube

Toshiba Optiškai Izoliuotos Gate Tvarkyklės Photo-IC 3750 Vrms 5mA 0.05 tpHL DIP8 274Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole DIP-8 1 Channel 1.55 V 5 V 20 mA 3750 Vrms - 40 C + 125 C 260 mW 200 ns 15 ns 8 ns Tube
Littelfuse Optiškai Izoliuotos Gate Tvarkyklės 13V SINGLE PHOTOVOLTAIC DRIVER DIP 39Prieinamumas
500Tikėtina 2026-06-23
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole DIP-4 1 Channel 1.4 V 1.5 mA 5000 Vrms - 40 C + 85 C Tube


Vishay Semiconductors Optiškai Izoliuotos Gate Tvarkyklės 2.5A Current Out IGBT/MOSFET Drvr 1 429Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

VO3120 Through Hole DIP-8 1 Channel 1.6 V 5 V 25 mA 5300 Vrms - 40 C + 110 C 295 mW 100 ns 100 ns Tube
Vishay Semiconductors Optiškai Izoliuotos Gate Tvarkyklės IGBT & MOSFET Drvr uL, cUL, CQC DIP-8 Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 2 000
Daugkart.: 2 000

Through Hole DIP-8 1 Channel 1.37 V 5 V 16 mA 5300 Vrms - 40 C + 105 C 295 mW 35 ns 35 ns Tube
Vishay Semiconductors Optiškai Izoliuotos Gate Tvarkyklės IGBT & MOSFET Drvr uL, cUL, CQC DIP-8 Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 2 000
Daugkart.: 2 000

Through Hole DIP-8 1 Channel 1.37 V 5 V 16 mA 5300 Vrms - 40 C + 105 C 295 mW 35 ns 35 ns Tube