NBT SRAMs

GSI Technology NBT SRAMs are 144Mbit and 288Mbit Synchronous Static SRAMs that utilize all available bus bandwidth. The SRAMs achieve this by eliminating the need to insert deselect cycles when the device is switched from read to write cycles. The devices' simplified interface is designed to use a data bus's maximum bandwidth. Because it is a synchronous device, address, data inputs, and read/write control inputs are captured on the rising edge of the input clock.

Rezultatai: 1 613
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr.
 Gam.
Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.
Qty. RoHS ECAD modelis Atminties dydis
Organizavimas
Prieigos laikas
Didžiausias taktų dažnis
Interface Type
Maksimali Maitinimo Įtampa
Maitinimo Įtampa - Min.
Maitinimo Srovė - Maks.
Minimali darbinė temperatūra
Didžiausia darbinė temperatūra
Montavimo stilius
Pakuotė / Korpusas
Pakavimas
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 8M x 36 288M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 10
Daugkart.: 10

288 Mbit 8 M x 36 5.5 ns 250 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 490 mA, 590 mA - 40 C + 100 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 8M x 36 288M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 10
Daugkart.: 10

288 Mbit 8 M x 36 4.5 ns 333 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 550 mA, 710 mA - 40 C + 100 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 2M x 18 36M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 18
Daugkart.: 18

36 Mbit 2 M x 18 7.5 ns 150 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 205 mA, 220 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 2M x 18 36M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 18
Daugkart.: 18

36 Mbit 2 M x 18 6.5 ns 200 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 215 mA, 250 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 2M x 18 36M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 18
Daugkart.: 18

36 Mbit 2 M x 18 5.5 ns 250 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 245 mA, 285 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 2M x 18 36M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 18
Daugkart.: 18

36 Mbit 2 M x 18 5 ns 333 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 265 mA, 350 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 1M x 36 36M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 18
Daugkart.: 18

36 Mbit 1 M x 36 7.5 ns 150 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 220 mA, 230 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 1M x 36 36M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 18
Daugkart.: 18

36 Mbit 1 M x 36 6.5 ns 200 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 235 mA, 270 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 1M x 36 36M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 18
Daugkart.: 18

36 Mbit 1 M x 36 5.5 ns 250 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 260 mA, 315 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 1M x 36 36M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 18
Daugkart.: 18

36 Mbit 1 M x 36 5 ns 333 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 290 mA, 375 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 2M x 18 36M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 18
Daugkart.: 18

36 Mbit 2 M x 18 7.5 ns 150 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 205 mA, 220 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 2M x 18 36M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 18
Daugkart.: 18

36 Mbit 2 M x 18 6.5 ns 200 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 215 mA, 250 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 2M x 18 36M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 18
Daugkart.: 18

36 Mbit 2 M x 18 5.5 ns 250 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 245 mA, 285 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 2M x 18 36M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 18
Daugkart.: 18

36 Mbit 2 M x 18 5 ns 333 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 265 mA, 350 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 1M x 36 36M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 18
Daugkart.: 18

36 Mbit 1 M x 36 7.5 ns 150 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 220 mA, 230 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 1M x 36 36M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 18
Daugkart.: 18

36 Mbit 1 M x 36 5.5 ns 250 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 260 mA, 315 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 1M x 36 36M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 18
Daugkart.: 18

36 Mbit 1 M x 36 5 ns 333 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 290 mA, 375 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 2M x 18 36M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 14
Daugkart.: 14

36 Mbit 2 M x 18 7.5 ns 150 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 205 mA, 220 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-119 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 2M x 18 36M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 14
Daugkart.: 14

36 Mbit 2 M x 18 6.5 ns 200 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 215 mA, 250 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-119 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 2M x 18 36M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 14
Daugkart.: 14

36 Mbit 2 M x 18 5.5 ns 250 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 245 mA, 285 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-119 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 2M x 18 36M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 14
Daugkart.: 14

36 Mbit 2 M x 18 5 ns 333 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 265 mA, 350 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-119 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 2M x 18 36M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 14
Daugkart.: 14

36 Mbit 2 M x 18 7.5 ns 150 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 205 mA, 220 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 2M x 18 36M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 14
Daugkart.: 14

36 Mbit 2 M x 18 6.5 ns 200 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 215 mA, 250 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 2M x 18 36M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 14
Daugkart.: 14

36 Mbit 2 M x 18 5.5 ns 250 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 245 mA, 285 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 2M x 18 36M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 14
Daugkart.: 14

36 Mbit 2 M x 18 5 ns 333 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 265 mA, 350 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray