ISSI SRAM

Rezultatai: 1 231
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr.
 Gam.
Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.
Qty. RoHS ECAD modelis Atminties dydis
Organizavimas
Prieigos laikas
Didžiausias taktų dažnis
Interface Type
Maksimali Maitinimo Įtampa
Maitinimo Įtampa - Min.
Maitinimo Srovė - Maks.
Minimali darbinė temperatūra
Didžiausia darbinė temperatūra
Montavimo stilius
Pakuotė / Korpusas
Pakavimas

ISSI SRAM 1Mb 128Kx8 12ns 5v Async SRAM
Duomenų Lapas
188Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 36

1 Mbit 128 k x 8 12 ns Parallel 5.5 V 4.5 V 40 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-32 Tray
ISSI SRAM 512K 32Kx16 12ns Async SRAM
Duomenų Lapas
125Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 200

512 kbit 32 k x 16 12 ns Parallel 5.5 V 4.5 V 45 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-II-44 Tray

ISSI SRAM 1Mb,High-Speed,Async,64K x 16,12ns,5v,44 Pin TSOP II, RoHS
Duomenų Lapas
204Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 39

1 Mbit 64 k x 16 12 ns Parallel 5.5 V 4.5 V 45 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Tray
ISSI SRAM 256K 32Kx8 45ns 3.3v Async SRAM 3.3v
Duomenų Lapas
1 394Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 167

256 kbit 32 k x 8 45 ns Parallel 3.63 V 2.97 V 20 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-28 Tray
ISSI IS66WVS1M8ALL-104NLI
ISSI SRAM 8Mb, SerialRAM, 1.65V-1.95V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS
Duomenų Lapas
113Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 21

8 Mbit 1 M x 8 7 ns 104 MHz SPI 1.95 V 1.65 V 15 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT SOIC-8
ISSI IS66WVS2M8ALL-104NLI
ISSI SRAM 16Mb, SerialRAM, 1.65V-1.95V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS
Duomenų Lapas
91Prieinamumas
200Tikėtina 2026-04-17
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 77

16 Mbit 2 M x 8 7 ns 104 MHz SPI 1.95 V 1.65 V 15 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT SOIC-8
ISSI IS66WVE4M16ECLL-70BLI
ISSI SRAM 64Mb Pseudo SRAM 4Mx16 70ns
Duomenų Lapas
557Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 200

64 Mbit 4 M x 16 70 ns Parallel 1.95 V 1.7 V 30 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT Reel
ISSI SRAM 4Mb,Flow-Through,Sync with ECC,128K x 36,7.5ns,3.3v I/O,100 Pin TQFP, RoHS
Duomenų Lapas
55Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 200

4 Mbit 128 k x 36 7.5 ns 117 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 160 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
ISSI SRAM 4Mb,Flowthrough,Sync with ECC,128K x 36,7.5ns,3.3v I/O,165 Ball BGA, RoHS, Automotive temp
Duomenų Lapas
142Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 200

4 Mbit 128 k x 36 7.5 ns 117 MHz 3.3 V 2.5 V 185 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray

ISSI SRAM 4Mb, 2.4v-3.6v, 10ns 256Kx16 Async SRAM
Duomenų Lapas
135Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 13

4 Mbit 256 k x 16 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 60 mA - 40 C + 125 C SMD/SMT TSOP-44 Tray
ISSI SRAM 18Mb 200MHz, 3.3V or 2.5V 1Mx18 Sync SRA
Duomenų Lapas
7Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 200

18 Mbit 1 M x 18 3 ns 200 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 240 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
ISSI SRAM 36Mb,"No-Wait"/Pipeline,Sync,1Mb x 36,200Mhz,3.3v/2.5v I/O,100 Pin TQFP, RoHS
Duomenų Lapas
18Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 4

36 Mbit 1 M x 36 3.1 ns 200 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 260 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100
ISSI SRAM 8Mb,"No-Wait"/Pipeline,Sync,256K x 36,200Mhz,3.3v I/O, 165 Ball BGA, RoHS
Duomenų Lapas
19Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 200

9 Mbit 256 k x 36 3.1 ns 200 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 180 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165
ISSI SRAM 18Mb, 200Mhz 512K x 36 Sync SRAM
Duomenų Lapas
33Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 8

18 Mbit 512 k x 36 3 ns 200 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 240 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray

ISSI SRAM 1Mb 128Kx8 12ns/3.3V Async SRAM 3.3v
Duomenų Lapas
364Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 5

1 Mbit 128 k x 8 12 ns Parallel 3.63 V 2.97 V 45 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-32 Tube

ISSI SRAM 1M (128Kx8) 10ns Async SRAM 3.3v
Duomenų Lapas
784Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 94

1 Mbit 128 k x 8 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 55 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-32 Tray
ISSI SRAM 4Mb 3.3V 7.5ns 128K x 32 Sync SRAM
Duomenų Lapas
1Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 200

4 Mbit 128 k x 32 7.5 ns 117 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 175 mA - 40 C + 125 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
ISSI SRAM 8M (512Kx16) 10ns Async SRAM
Duomenų Lapas
41Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 200

8 Mbit 10 ns 3.6 V 2.4 V 140 mA - 40 C + 125 C SMD/SMT BGA-48 Tray
ISSI SRAM 1M (128Kx8) 45ns Async SRAM
Duomenų Lapas
102Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 200

1 Mbit 128 k x 8 45 ns Parallel 5.5 V 4.5 V 35 mA - 40 C + 125 C SMD/SMT SOP-32 Tray
ISSI SRAM 8Mb,Pseudo SRAM,Async,512K x 16,70ns,2.5v-3.6v,48 Ball BGA (6x8mm), RoHS
Duomenų Lapas
346Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 5

8 Mbit 512 k x 16 70 ns Parallel 3.6 V 2.5 V 28 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-48

ISSI SRAM 8Mb,Pseudo SRAM,Async,512K x 16,70ns,2.5v-3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS
Duomenų Lapas
86Prieinamumas
270Tikėtina 2026-05-05
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 136

8 Mbit 512 k x 16 70 ns Parallel 3.6 V 2.5 V 28 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44
ISSI SRAM Pseudo SRAM, 64Mb 4Mb x16bits, CLL
Duomenų Lapas
240Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 36

64 Mbit 4 M x 16 70 ns 104 MHz 1.95 V 1.7 V 30 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT VFBGA-54
ISSI SRAM 256K 32Kx8 25ns 5V Async SRAM
Duomenų Lapas
308Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 46

256 kbit 32 k x 8 25 ns Parallel 5.5 V 4.5 V 30 mA - 40 C + 125 C SMD/SMT SOP-28 Tube
ISSI SRAM 4Mb 128Kx36 7.5ns Sync SRAM 3.3v
Duomenų Lapas
81Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 200

4 Mbit 128 k x 36 7.5 ns 117 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 160 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tube
ISSI SRAM 2Mb 64Kx32 133Mhz Sync SRAM 3.3v
Duomenų Lapas
40Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 200

2 Mbit 64 k x 32 4 ns 133 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 190 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray