5 ns SRAM

Rezultatai: 311
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr. Gam. Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu. Qty. RoHS ECAD modelis Atminties dydis Organizavimas Prieigos laikas Didžiausias taktų dažnis Interface Type Maksimali Maitinimo Įtampa Maitinimo Įtampa - Min. Maitinimo Srovė - Maks. Minimali darbinė temperatūra Didžiausia darbinė temperatūra Montavimo stilius Pakuotė / Korpusas Pakavimas
ISSI IS66WVO16M8DALL-200BLI-TR
ISSI SRAM 128Mb, OctalRAM, 16Mbx8, 1.8V, 200MHz, 24-ball TFBGA, RoHS 2 361Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 500
128 Mbit 16 M x 8 5 ns 200 MHz 1.95 V 1.7 V 30 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-24 Reel, Cut Tape

ISSI SRAM 16Mb, QUADRAM, 1.65V-1.95V, 200MHz, 24-ball TFBGA, RoHS 464Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

16 Mbit 4 M x 4 5 ns 200 MHz SPI 1.95 V 1.7 V 20 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-24
ISSI IS66WVO32M8DALL-200BLI
ISSI SRAM 256Mb, OctalRAM, 32Mbx8, 1.8V, 200MHz, 24-ball TFBGA, RoHS 479Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

256 Mbit 32 M x 8 5 ns 200 MHz Serial 1.95 V 1.7 V 40 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-24

ISSI SRAM 8Mb, QUADRAM, 1.65V-1.95V, 200MHz, 24-ball TFBGA, RoHS 262Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

8 Mbit 2 M x 4 5 ns 200 MHz SPI 1.95 V 1.7 V 20 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-24
Renesas Electronics SRAM 32K X 36 SYNCH DPRAM
37Tikėtina 2026-08-24
Min.: 1
Daugkart.: 1

1 Mbit 32 k x 36 5 ns Parallel 3.45 V 3.15 V 415 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-256 Tray
ISSI IS66WVQ8M4DALL-200BLI
ISSI SRAM 32Mb, QUADRAM, 1.65V-1.95V, 200MHz, 24-ball TFBGA, RoHS
429Tikėtina 2026-06-12
Min.: 1
Daugkart.: 1

32 Mbit 8 M x 4 5 ns 200 MHz SPI 1.95 V 1.7 V 20 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-24
GSI Technology SRAM
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 21
Daugkart.: 21
18 Mbit 256 k x 72 5 ns 300 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 340 mA, 465 mA - 55 C + 125 C SMD/SMT BGA-209
GSI Technology SRAM
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 21
Daugkart.: 21
18 Mbit 256 k x 72 5 ns 300 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 465 mA - 55 C + 125 C SMD/SMT BGA-209
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 1M x 18 18M Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 18
Daugkart.: 18

18 Mbit 1 M x 18 5 ns 333 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 240 mA, 300 mA - 40 C + 100 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 512K x 32 16M Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 18
Daugkart.: 18

18 Mbit 512 k x 32 5 ns 333 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 260 mA, 330 mA - 40 C + 100 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 512K x 36 18M Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 18
Daugkart.: 18

18 Mbit 512 k x 36 5 ns 333 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 260 mA, 330 mA - 40 C + 100 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 1M x 18 18M Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 18
Daugkart.: 18

18 Mbit 1 M x 18 5 ns 333 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 240 mA, 300 mA - 40 C + 100 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 512K x 36 18M Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 18
Daugkart.: 18

18 Mbit 512 k x 36 5 ns 333 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 260 mA, 330 mA - 40 C + 100 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 1M x 18 18M Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 1
Daugkart.: 1

18 Mbit 1 M x 18 5 ns 333 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 240 mA, 300 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 1M x 18 18M Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 18
Daugkart.: 18

18 Mbit 1 M x 18 5 ns 333 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 240 mA, 300 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 512K x 32 16M Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 1
Daugkart.: 1

18 Mbit 512 k x 32 5 ns 333 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 260 mA, 330 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 512K x 32 16M Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 18
Daugkart.: 18

18 Mbit 512 k x 32 5 ns 333 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 260 mA, 330 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 512K x 36 18M Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 1
Daugkart.: 1

18 Mbit 512 k x 36 5 ns 333 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 260 mA, 330 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 512K x 36 18M Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 18
Daugkart.: 18

18 Mbit 512 k x 36 5 ns 333 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 260 mA, 330 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 1M x 18 18M Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 1
Daugkart.: 1

18 Mbit 1 M x 18 5 ns 333 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 240 mA, 300 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 1M x 18 18M Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 18
Daugkart.: 18

18 Mbit 1 M x 18 5 ns 333 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 240 mA, 300 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 512K x 32 16M Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 1
Daugkart.: 1

18 Mbit 512 k x 32 5 ns 333 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 260 mA, 330 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 512K x 36 18M Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 1
Daugkart.: 1

18 Mbit 512 k x 36 5 ns 333 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 260 mA, 330 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 512K x 36 18M Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 18
Daugkart.: 18

18 Mbit 512 k x 36 5 ns 333 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 260 mA, 330 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 1M x 18 18M Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 21
Daugkart.: 21

18 Mbit 1 M x 18 5 ns 333 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 240 mA, 300 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-119 Tray