S29 GL-S MIRRORBIT™ Eclipse™ Flash

Infineon Technologies S29 GL-S MIRRORBIT™ Eclipse™ Flash products are fabricated on 65nm process technology. These devices offer a fast page access time - as fast as 15ns with a corresponding random access time as fast as 90ns. MIRRORBIT Eclipse™ Flash non-volatile memory is a CMOS 3V core with versatile I/O interface. Infineon S29 GL-S MIRRORBIT Eclipse™ Flash features a Write Buffer that allows a maximum of 256 words/512 bytes to be programmed in one operation. This results in faster effective programming time than standard programming algorithms. Programming time makes the S29 GL-S flash ideal for today's embedded applications that require higher density, better performance, and lower power consumption.

Rezultatai: 102
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr. Gam. Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu. Qty. RoHS ECAD modelis Montavimo stilius Pakuotė / Korpusas Serija Atminties dydis Maitinimo Įtampa - Min. Maksimali Maitinimo Įtampa Aktyvaus skaitymo srovė – maks. Interface Type Organizavimas Duomenų bus plotis Laiko matavimo tipas Minimali darbinė temperatūra Didžiausia darbinė temperatūra Kvalifikacija Pakavimas
Infineon Technologies S29GL01GS11TFB023
Infineon Technologies NOR Blykstė Nor Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 10 Savaičių
Min.: 1 000
Daugkart.: 1 000
Reel: 1 000

S29GL01G/512/256/128S 1 Gbit 2.7 V 3.6 V 60 mA 64 M x 16 16 bit Asynchronous AEC-Q100 Reel
Infineon Technologies S29GL01GS12DHVV13
Infineon Technologies NOR Blykstė NOR Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 10 Savaičių
Min.: 2 200
Daugkart.: 2 200
Reel: 2 200

S29GL01G/512/256/128S 1 Gbit 2.7 V 3.6 V 60 mA 64 M x 16 16 bit Asynchronous Reel