SyncBurst SRAMs

GSI Technology SyncBurst SRAMs are a broad portfolio of Synchronous Burst (SyncBurst™) SRAMs with fast clock rates and low power. SyncBurst SRAMs provide a "burst" of (typically) 2 to 4 words in response to a single clock signal. The devices' simplified interface is designed to use a data bus's maximum bandwidth. GSI Technology SyncBurst SRAMs are used in military, networking, industrial, automotive, and medical imaging applications where a mid-range performance point is required.

Rezultatai: 2 420
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr.
 Gam.
Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.
Qty. RoHS ECAD modelis Atminties dydis
Organizavimas
Prieigos laikas
Didžiausias taktų dažnis
Interface Type
Maksimali Maitinimo Įtampa
Maitinimo Įtampa - Min.
Maitinimo Srovė - Maks.
Minimali darbinė temperatūra
Didžiausia darbinė temperatūra
Montavimo stilius
Pakuotė / Korpusas
Pakavimas
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 1M x 18 18M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 1
Daugkart.: 1

18 Mbit 1 M x 18 7.5 ns 150 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 180 mA, 200 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 1M x 18 18M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 1
Daugkart.: 1

18 Mbit 1 M x 18 6.5 ns 200 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 210 mA, 215 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 1M x 18 18M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 1
Daugkart.: 1

18 Mbit 1 M x 18 5.5 ns 250 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 225 mA, 245 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 1M x 18 18M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 18
Daugkart.: 18

18 Mbit 1 M x 18 5 ns 333 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 240 mA, 300 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 512K x 32 16M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 1
Daugkart.: 1

18 Mbit 512 k x 32 7.5 ns 150 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 195 mA, 210 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 512K x 32 16M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 1
Daugkart.: 1

18 Mbit 512 k x 32 6.5 ns 200 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 225 mA, 230 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 512K x 32 16M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 1
Daugkart.: 1

18 Mbit 512 k x 32 5.5 ns 250 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 245 mA, 265 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 512K x 32 16M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 1
Daugkart.: 1

18 Mbit 512 k x 32 5 ns 333 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 260 mA, 330 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 512K x 36 18M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 1
Daugkart.: 1

18 Mbit 512 k x 36 7.5 ns 150 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 195 mA, 210 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 512K x 36 18M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 1
Daugkart.: 1

18 Mbit 512 k x 36 6.5 ns 200 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 225 mA, 230 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 512K x 36 18M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 1
Daugkart.: 1

18 Mbit 512 k x 36 5.5 ns 250 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 245 mA, 265 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 512K x 36 18M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 1
Daugkart.: 1

18 Mbit 512 k x 36 5 ns 333 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 260 mA, 330 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 512K x 36 18M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 1
Daugkart.: 1

18 Mbit 512 k x 36 7.5 ns 150 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 195 mA, 210 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 512K x 36 18M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 1
Daugkart.: 1

18 Mbit 512 k x 36 6.5 ns 200 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 225 mA, 230 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 512K x 36 18M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 1
Daugkart.: 1

18 Mbit 512 k x 36 5.5 ns 250 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 245 mA, 265 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 512K x 36 18M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 18
Daugkart.: 18

18 Mbit 512 k x 36 5 ns 333 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 260 mA, 330 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 2M x 18 36M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 18
Daugkart.: 18

36 Mbit 2 M x 18 7.5 ns 150 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 205 mA, 220 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 2M x 18 36M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 18
Daugkart.: 18

36 Mbit 2 M x 18 6.5 ns 200 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 215 mA, 250 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 2M x 18 36M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 18
Daugkart.: 18

36 Mbit 2 M x 18 5.5 ns 250 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 245 mA, 285 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 2M x 18 36M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 18
Daugkart.: 18

36 Mbit 2 M x 18 5 ns 333 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 265 mA, 350 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 1M x 32 32M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 18
Daugkart.: 18

36 Mbit 1 M x 32 7.5 ns 150 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 220 mA, 230 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 1M x 32 32M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 18
Daugkart.: 18

36 Mbit 1 M x 32 6.5 ns 200 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 235 mA, 270 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 1M x 32 32M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 18
Daugkart.: 18

36 Mbit 1 M x 32 5.5 ns 250 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 260 mA, 315 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 1M x 32 32M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 18
Daugkart.: 18

36 Mbit 1 M x 32 5 ns 333 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 290 mA, 375 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 1M x 36 36M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 18
Daugkart.: 18

36 Mbit 1 M x 36 7.5 ns 150 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 220 mA, 230 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray