SyncBurst SRAMs

GSI Technology SyncBurst SRAMs are a broad portfolio of Synchronous Burst (SyncBurst™) SRAMs with fast clock rates and low power. SyncBurst SRAMs provide a "burst" of (typically) 2 to 4 words in response to a single clock signal. The devices' simplified interface is designed to use a data bus's maximum bandwidth. GSI Technology SyncBurst SRAMs are used in military, networking, industrial, automotive, and medical imaging applications where a mid-range performance point is required.

Rezultatai: 2 420
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr.
 Gam.
Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.
Qty. RoHS ECAD modelis Atminties dydis
Organizavimas
Prieigos laikas
Didžiausias taktų dažnis
Interface Type
Maksimali Maitinimo Įtampa
Maitinimo Įtampa - Min.
Maitinimo Srovė - Maks.
Minimali darbinė temperatūra
Didžiausia darbinė temperatūra
Montavimo stilius
Pakuotė / Korpusas
Pakavimas
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 128K x 36 4M
Duomenų Lapas
139Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

4 Mbit 128 k x 36 7.5 ns 150 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 130 mA, 140 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 512K x 18 9M
Duomenų Lapas
93Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

9 Mbit 512 k x 18 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 150 mA, 175 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 18 18M
Duomenų Lapas
13Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Ne
18 Mbit 1 M x 18 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 195 mA, 195 mA 0 C + 70 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 256K x 36 9M
Duomenų Lapas
216Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

9 Mbit 256 k x 36 7.5 ns 150 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 130 mA, 140 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5/3.3V 8M x 36 288M
Duomenų Lapas
30Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

288 Mbit 8 M x 36 4 ns 400 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 560 mA, 840 mA - 40 C + 100 C SMD/SMT BGA-119 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 512K x 36 18M
Duomenų Lapas
35Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
18 Mbit 512 k x 36 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 230 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 32 32M
Duomenų Lapas
9Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

36 Mbit 1 M x 32 5.5 ns 250 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 250 mA, 305 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 128K x 32 4M
Duomenų Lapas
70Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

4 Mbit 128 k x 32 7.5 ns 150 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 150 mA, 160 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 512K x 18 9M
Duomenų Lapas
37Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
9 Mbit 512 k x 18 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 150 mA, 175 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 256K x 36 9M
Duomenų Lapas
2Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

9 Mbit 256 k x 36 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 160 mA, 190 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 2M x 36 72M
Duomenų Lapas
50Tikėtina 2026-03-03
Min.: 1
Daugkart.: 1

72 Mbit 2 M x 36 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 270 mA, 345 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 4M x 36 144M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 3 Savaičių
Min.: 1
Daugkart.: 1

144 Mbit 4 M x 36 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 330 mA, 400 mA 0 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 512K x 36 18M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 6 Savaičių
Min.: 36
Daugkart.: 36
18 Mbit 512 k x 36 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 255 mA, 260 mA - 55 C + 125 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 2.5/3.3V 8M x 36 288M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 4 Savaičių
Min.: 1
Daugkart.: 1

288 Mbit 8 M x 36 5.5 ns 250 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 520 mA, 610 mA - 40 C + 100 C SMD/SMT BGA-119 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 36 36M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 3 Savaičių
Min.: 1
Daugkart.: 1

36 Mbit 1 M x 36 7.5 ns 150 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 210 mA, 220 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 4M x 18 36M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 3 Savaičių
Min.: 1
Daugkart.: 1
72 Mbit 4 M x 18 7.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 225 mA, 290 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-119 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 72 72M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 5 Savaičių
Min.: 14
Daugkart.: 14

72 Mbit 1 M x 72 6.5 ns 250 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 340 mA, 480 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-209 Tray
GSI Technology SRAM
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 21
Daugkart.: 21
18 Mbit 256 k x 72 5 ns 300 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 340 mA, 465 mA - 55 C + 125 C SMD/SMT BGA-209
GSI Technology SRAM
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 14
Daugkart.: 14
36 Mbit 2 M x 18 5.5 ns 250 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 290 mA - 55 C + 125 C SMD/SMT BGA-165
GSI Technology SRAM
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 14
Daugkart.: 14
36 Mbit 2 M x 18 5.5 ns 250 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 290 mA - 55 C + 125 C SMD/SMT BGA-165
GSI Technology SRAM
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 14
Daugkart.: 14
36 Mbit 1 M x 36 5.5 ns 250 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 310 mA - 55 C + 125 C SMD/SMT BGA-165
GSI Technology SRAM
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 14
Daugkart.: 14
36 Mbit 1 M x 36 5.5 ns 250 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 310 mA - 55 C + 125 C SMD/SMT BGA-165
GSI Technology SRAM
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 72
Daugkart.: 72
9 Mbit 512 k x 18 6.5 ns Parallel 3.6 V 2.3 V 180 mA - 55 C + 125 C SMD/SMT TQFP-100
GSI Technology SRAM
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 72
Daugkart.: 72
9 Mbit 256 k x 32 6.5 ns Parallel 3.6 V 2.3 V 190 mA - 55 C + 125 C SMD/SMT TQFP-100
GSI Technology SRAM
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 72
Daugkart.: 72
9 Mbit 256 k x 36 6.5 ns Parallel 3.6 V 2.3 V 190 mA - 55 C + 125 C SMD/SMT TQFP-100