CY7C1021DV33-10ZSXI

Infineon Technologies
727-CY021DV33-10ZSXI
CY7C1021DV33-10ZSXI

Gam.:

Aprašymas:
SRAM 2Mb 10ns 3.3V 64Kx16 Fast Async SRAM

Eksploatacijos Laikotarpis:
Netinkama eksploatuoti:
Planuojama, kad gaminys taps nebenaudojamas ir gamintojas jo nebetieks.
Duomenų Lapas:
ECAD modelis:
Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.

Prieinamumas: 110

Turime sandėlyje:
110 Galime išsiųsti iš karto
Gamintojo numatytas pristatymo laikas
26 Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje, jei dalių kiekis didesnis nei nurodyta.
Pranešama apie ilgą šio gaminio pristatymo laiką.
Min. 1   Užsakoma po 1
Vieneto kaina:
-,-- €
Plėt. Kaina:
-,-- €
Numatomas Įkainis:

Kainodara (EUR)

Qty. Vieneto kaina
Plėt. Kaina
2,86 € 2,86 €
2,67 € 26,70 €
2,60 € 65,00 €
2,54 € 127,00 €
2,46 € 246,00 €
2,39 € 597,50 €
2,35 € 1 175,00 €
2,27 € 2 270,00 €

Alternatyvi pakuotė

Gam. dalies Nr.:
CY7C1021DV33-10ZSXIT
Pakuotė:
Reel, Cut Tape, MouseReel
Prieinamumas:
Prieinamumas
Kaina:
2,86 €
Min.:
1

Galimas Pakeitimas

Infineon Technologies CY7C1041G30-10ZSXI
Infineon Technologies
SRAM CMOS RAM W ECC 4-Mbit
Palyginti su esama dalimi

Produkto Požymis Atributo vertė Pasirinkite Požymį
Infineon
Gaminio kategorija: SRAM
RoHS:  
1 Mbit
64 k x 16
10 ns
100 MHz
Parallel
3.6 V
3 V
60 mA
- 40 C
+ 85 C
SMD/SMT
TSOP-44
Tray
Prekės Ženklas: Infineon Technologies
Gamybos šalis: Not Available
Distribucijos šalis: Not Available
Kilmės šalis: US
Atminties tipas: Volatile
Jautrus drėgmei: Yes
Gaminio tipas: SRAM
Serija: CY7C1021DV33
Gamyklinės pakuotės kiekis: 1350
Subkategorija: Memory & Data Storage
Tipas: Asynchronous
Vieneto Svoris: 10,258 g
Rasta produktų:
Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį
Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.
Pasirinkti atributai: 0

Duomenų Lapas

TARIC:
8542324500
CNHTS:
8542329000
CAHTS:
8542320041
USHTS:
8542320041
JPHTS:
8542320194
KRHTS:
8542321020
MXHTS:
8542320299
ECCN:
3A991.b.2.b

CY7C1021D CMOS Static RAM

Infineon Technologies CY7C1021D CMOS Static RAM is a high-performance device organized as 65,536 words by 16 bits. The CY7C1021D CMOS static RAM has an automatic power down feature that significantly reduces power consumption when deselected. This Infineon device has low active power of 80mA at 10ns and low CMOS standby power of 3mA.The CY7C1021D static RAM also features 2.0V data retention and independent control of upper and lower bits.

Fast Async SRAMs

Infineon Technologies Fast Async SRAMs include product offerings ranging from 64Kbit up to 32Mbit. Fast SRAMs are available in industry-standard voltage, bus-width, and package options. Developed using Infineon's high-performance CMOS technology, these devices offer fast access times (8ns to 12ns), making them an ideal choice in applications such as switches and routers, IP phones, test equipment, DSLAM cards, and automotive electronics. In addition, Infineon Fast Asynchronous SRAMs are available in industrial and automotive temperature grades.

Asynchronous SRAM

Infineon Technologies Asynchronous SRAM comes in a broad range of fast asynchronous and low-power asynchronous SRAM (MoBL™) devices. Designers use Asynchronous SRAMs in various industrial, medical, commercial, automotive, and military applications requiring the highest reliability and performance standards.

Įvyko netikėta klaida.


Turite klausimų? Apsilankykite pagalbos centre.
Jei turite klausimų apie konkretų užsakymą, prisijunkite prie savo paskyros.

Jei susidūrėte su papildomomis problemomis, susisiekite su mumis tel. Nr. 800-346-6873 arba el. paštu help@mouser.com.