SyncBurst SRAMs

GSI Technology SyncBurst SRAMs are a broad portfolio of Synchronous Burst (SyncBurst™) SRAMs with fast clock rates and low power. SyncBurst SRAMs provide a "burst" of (typically) 2 to 4 words in response to a single clock signal. The devices' simplified interface is designed to use a data bus's maximum bandwidth. GSI Technology SyncBurst SRAMs are used in military, networking, industrial, automotive, and medical imaging applications where a mid-range performance point is required.

Rezultatai: 782
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr.
 Gam.
Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.
Qty. RoHS ECAD modelis Atminties dydis
Organizavimas
Prieigos laikas
Didžiausias taktų dažnis
Interface Type
Maksimali Maitinimo Įtampa
Maitinimo Įtampa - Min.
Maitinimo Srovė - Maks.
Minimali darbinė temperatūra
Didžiausia darbinė temperatūra
Montavimo stilius
Pakuotė / Korpusas
Pakavimas
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 512K x 36 18M
Duomenų Lapas
268Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

18 Mbit 512 k x 36 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 230 mA - 40 C + 100 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 512K x 36 18M
Duomenų Lapas
314Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

18 Mbit 512 k x 36 7.5 ns 150 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 200 mA, 210 mA - 40 C + 100 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 36 36M
Duomenų Lapas
336Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

36 Mbit 1 M x 36 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 225 mA, 260 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 512K x 36 18M
Duomenų Lapas
6Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

18 Mbit 512 k x 36 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 230 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 2M x 18 36M
Duomenų Lapas
18Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

36 Mbit 2 M x 18 7.5 ns 150 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 195 mA, 210 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 18 18M
Duomenų Lapas
1Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

18 Mbit 1 M x 18 7.5 ns 150 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 190 mA, 200 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 2M x 18 36M
Duomenų Lapas
6Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

36 Mbit 2 M x 18 5.5 ns 250 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 235 mA, 275 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 256K x 36 9M
Duomenų Lapas
6Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

9 Mbit 256 k x 36 2.3 ns 250 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 215 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 512K x 36 18M
Duomenų Lapas
8Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

18 Mbit 512 k x 36 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 230 mA - 40 C + 100 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 512K x 36 18M
Duomenų Lapas
13Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

18 Mbit 512 k x 36 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 210 mA 0 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 128K x 36 4M
Duomenų Lapas
39Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

4 Mbit 128 k x 36 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 160 mA, 190 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 256K x 32 8M
Duomenų Lapas
35Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

9 Mbit 256 k x 32 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 160 mA, 190 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 36 36M
Duomenų Lapas
4Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

36 Mbit 1 M x 36 7.5 ns 150 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 210 mA, 220 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 18 18M
Duomenų Lapas
12Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

18 Mbit 1 M x 18 7.5 ns 150 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 190 mA, 200 mA - 40 C + 100 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 512K x 36 18M
Duomenų Lapas
9Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

18 Mbit 512 k x 36 7.5 ns 150 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 180 mA, 190 mA 0 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 512K x 32 16M
Duomenų Lapas
10Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

18 Mbit 512 k x 32 7.5 ns 150 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 180 mA, 190 mA 0 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 128K x 36 4M
Duomenų Lapas
139Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

4 Mbit 128 k x 36 7.5 ns 150 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 130 mA, 140 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 256K x 32 8M
Duomenų Lapas
3Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

9 Mbit 256 k x 32 7.5 ns 150 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 150 mA, 160 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 512K x 18 9M
Duomenų Lapas
93Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

9 Mbit 512 k x 18 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 150 mA, 175 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 256K x 36 9M
Duomenų Lapas
216Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

9 Mbit 256 k x 36 7.5 ns 150 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 130 mA, 140 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 32 32M
Duomenų Lapas
9Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

36 Mbit 1 M x 32 5.5 ns 250 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 250 mA, 305 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 128K x 32 4M
Duomenų Lapas
70Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

4 Mbit 128 k x 32 7.5 ns 150 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 150 mA, 160 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 8M x 18 144M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 15
Daugkart.: 15

144 Mbit 8 M x 18 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 310 mA, 380 mA - 40 C + 100 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 8M x 18 144M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 15
Daugkart.: 15

144 Mbit 8 M x 18 5.5 ns 250 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 380 mA, 450 mA - 40 C + 100 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 8M x 18 144M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 15
Daugkart.: 15

144 Mbit 8 M x 18 4.5 ns 333 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 420 mA, 550 mA - 40 C + 100 C SMD/SMT TQFP-100 Tray