SyncBurst SRAMs

GSI Technology SyncBurst SRAMs are a broad portfolio of Synchronous Burst (SyncBurst™) SRAMs with fast clock rates and low power. SyncBurst SRAMs provide a "burst" of (typically) 2 to 4 words in response to a single clock signal. The devices' simplified interface is designed to use a data bus's maximum bandwidth. GSI Technology SyncBurst SRAMs are used in military, networking, industrial, automotive, and medical imaging applications where a mid-range performance point is required.

Rezultatai: 120
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr.
 Gam.
Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.
Qty. RoHS ECAD modelis Atminties dydis
Organizavimas
Prieigos laikas
Didžiausias taktų dažnis
Interface Type
Maksimali Maitinimo Įtampa
Maitinimo Įtampa - Min.
Maitinimo Srovė - Maks.
Minimali darbinė temperatūra
Didžiausia darbinė temperatūra
Montavimo stilius
Pakuotė / Korpusas
Pakavimas
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 18 18M
Duomenų Lapas
36Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
18 Mbit 1 M x 18 7.5 ns 150 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 190 mA, 200 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 256K x 32 8M
Duomenų Lapas
38Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
9 Mbit 256 k x 36 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 160 mA, 190 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 512K x 36 18M
Duomenų Lapas
35Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
18 Mbit 512 k x 36 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 230 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 512K x 18 9M
Duomenų Lapas
37Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
9 Mbit 512 k x 18 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 150 mA, 175 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 8M x 18 144M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 10
Daugkart.: 10
144 Mbit 8 M x 18 8 ns 167 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 350 mA, 400 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-119 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 8M x 18 144M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 10
Daugkart.: 10
144 Mbit 8 M x 18 7.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 360 mA, 435 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-119 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 8M x 18 144M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 10
Daugkart.: 10
144 Mbit 8 M x 18 7.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 360 mA, 435 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-119 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 8M x 18 144M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 10
Daugkart.: 10
144 Mbit 8 M x 18 6.5 ns 250 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 390 mA, 490 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-119 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 4M x 36 144M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 26 Savaičių
Min.: 10
Daugkart.: 10
144 Mbit 4 M x 36 8 ns Parallel 3.6 V 2.3 V 375 mA, 430 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-119 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 4M x 36 144M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 10
Daugkart.: 10
144 Mbit 4 M x 36 8 ns Parallel 3.6 V 2.3 V 375 mA, 430 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-119 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 4M x 36 144M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 10
Daugkart.: 10
144 Mbit 4 M x 36 7.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 385 mA, 475 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-119 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 4M x 36 144M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 10
Daugkart.: 10
144 Mbit 4 M x 36 7.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 385 mA, 475 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-119 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 4M x 36 144M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 10
Daugkart.: 10
144 Mbit 4 M x 36 6.5 ns 250 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 415 mA, 535 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-119 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 18 18M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 1
Daugkart.: 1
18 Mbit 1 M x 18 7.5 ns 150 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 190 mA, 200 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 18 18M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 1
Daugkart.: 1
18 Mbit 1 M x 18 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 215 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 512K x 32 16M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 1
Daugkart.: 1
18 Mbit 512 k x 32 7.5 ns 150 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 200 mA, 210 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 512K x 32 16M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 1
Daugkart.: 1
18 Mbit 512 k x 32 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 230 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 512K x 36 18M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 1
Daugkart.: 1
18 Mbit 512 k x 36 7.5 ns 150 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 200 mA, 210 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 512K x 36 18M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 1
Daugkart.: 1
18 Mbit 512 k x 36 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 230 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 18 18M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 1
Daugkart.: 1
18 Mbit 1 M x 18 7.5 ns 150 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 190 mA, 200 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 18 18M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 1
Daugkart.: 1
18 Mbit 1 M x 18 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 195 mA 0 C + 70 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 18 18M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 1
Daugkart.: 1
18 Mbit 1 M x 18 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 215 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 18 18M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 1
Daugkart.: 1
18 Mbit 1 M x 18 5.5 ns 250 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 210 mA, 230 mA 0 C + 70 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 18 18M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 1
Daugkart.: 1
18 Mbit 1 M x 18 5.5 ns 250 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 230 mA, 250 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 512K x 32 16M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 1
Daugkart.: 1
18 Mbit 512 k x 32 7.5 ns 150 MHz 3.6 V 2.3 V 180 mA, 190 mA 0 C + 70 C SMD/SMT BGA-165 Tray