Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM)

Everspin Technologies Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM) delivers significantly long data retention of >20 years and unlimited endurance. The data is automatically protected on power loss by low-voltage inhibit circuitry to prevent writes with voltage out of specification. These MRAM devices feature a 1 transistor – 1 magnetic tunnel junction (1T-1MTJ) architecture. Everspin MRAM products consist of serial SPI MRAMs and parallel interface MRAMs. The serial SPI MRAMs offer ideal memory for applications that must store and retrieve data and programs quickly using a minimum number of pins. The parallel interface MRAMs are SRAM compatible with 35ns/45ns access timing and unlimited endurance.

Rezultatai: 12
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr.
 Gam.
Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.
Qty. RoHS ECAD modelis Pakuotė / Korpusas
Interface Type
Atminties dydis
Organizavimas
Duomenų bus plotis
Prieigos laikas
Maitinimo Įtampa - Min.
Maksimali Maitinimo Įtampa
Darbinė Maitinimo Srovė
Minimali darbinė temperatūra
Didžiausia darbinė temperatūra
Serija
Pakavimas
Everspin Technologies MRAM 16Mb 3.3V 35ns 1Mx16 Parallel MRAM
Duomenų Lapas
616Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

BGA-48 Parallel 16 Mbit 1 M x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA 0 C + 70 C MR4A16B Tray
Everspin Technologies MRAM 4Mb 3.3V 35ns 512Kx8 Parallel MRAM
Duomenų Lapas
600Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

BGA-48 Parallel 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 30 mA, 90 mA - 40 C + 85 C MR2A08A Tray
Everspin Technologies MRAM 4Mb 3.3V 35ns 256Kx16 Prallel MRAM
Duomenų Lapas
701Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

BGA-48 Parallel 4 Mbit 256 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 85 C MR2A16A Tray
Everspin Technologies MRAM 1Mb 3.3V 64Kx16 35ns Parallel MRAM
Duomenų Lapas
1 038Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

BGA-48 Parallel 1 Mbit 64 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 85 C MR0A16A Tray
Everspin Technologies MRAM 16MB 3.3V 35ns 2Mx8 Parallel MRAM
Duomenų Lapas
471Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

BGA-48 Parallel 16 Mbit 2 M x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA - 40 C + 85 C MR4A08B Tray
Everspin Technologies MRAM 16Mb 3.3V 35ns 1Mx16 Parallel MRAM
Duomenų Lapas
1 485Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

BGA-48 Parallel 16 Mbit 1 M x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA - 40 C + 85 C MR4A16B Tray
Everspin Technologies MRAM 1Mb 3.3V 128Kx8 35ns Parallel MRAM
Duomenų Lapas
471Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

BGA-48 Parallel 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 25 mA, 55 mA - 40 C + 85 C MR0A08B Tray
Everspin Technologies MRAM 1Mb 3.3V 128Kx8 35ns Parallel MRAM
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 27 Savaičių
Min.: 696
Daugkart.: 348

BGA-48 Parallel 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 25 mA, 55 mA 0 C + 70 C MR0A08B Tray
Everspin Technologies MRAM 1Mb 3.3V 64Kx16 35ns Parallel MRAM
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 27 Savaičių
Min.: 696
Daugkart.: 348

BGA-48 Parallel 1 Mbit 64 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 105 C MR0A16A Tray
Everspin Technologies MRAM 256Kb 3.3V 35ns 32Kx8 Parallel MRAM
Duomenų Lapas
Vykdymo Laikas 27 Savaičių
Min.: 1
Daugkart.: 1

BGA-48 Parallel 256 kbit 32 k x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 25 mA, 55 mA - 40 C + 85 C MR256A08B Tray
Everspin Technologies MRAM 16Mb 3.3V 35ns 1Mx16 Parallel MRAM
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 27 Savaičių
Min.: 2 500
Daugkart.: 2 500
Reel: 2 500

BGA-48 Parallel 16 Mbit 1 M x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA - 40 C + 85 C MR4A16B Reel
Everspin Technologies MRAM 16Mb 3.3V 35ns 1Mx16 Parallel MRAM
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 27 Savaičių
Min.: 2 500
Daugkart.: 2 500
Reel: 2 500

BGA-48 Parallel 16 Mbit 1 M x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA 0 C + 70 C MR4A16B Reel