SiC MOSFET Diskretieji Puslaidininkiai

Diskrečiųjų puslaidininkių tipai
Pakeisti kategorijos rodinį
Rezultatai: 57
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr.
 Gam.
Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.
Qty. RoHS Gaminio tipas
Technologijos
Montavimo stilius
Pakuotė / Korpusas
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
Duomenų Lapas
80Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 750

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT PG-HDSOP-22
onsemi SiC MOSFET SIC MOS TO247-4L 70MOHM M3S 1200V 450Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4L
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with .XT interconnection technology
Duomenų Lapas
300Prieinamumas
480Tikėtina 2026-07-09
Min.: 1
Daugkart.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole PG-TO247-4-U07
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 22 mohm G2
Duomenų Lapas
1 665Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 50

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4
SemiQ SiC MOSFET Gen3 1200V, 20mohm SiC MOSFET, TO-247-4L
Duomenų Lapas
294Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4L
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package
Duomenų Lapas
1 843Prieinamumas
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 750

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT PG-HDSOP-22-U03
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package
Duomenų Lapas
255Prieinamumas
750Tikėtina 2026-07-09
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 750

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT PG-HDSOP-22-U03
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package
Duomenų Lapas
375Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 750

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT PG-HDSOP-22-U03
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package
Duomenų Lapas
869Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 750

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT PG-HDSOP-22-U03
Infineon Technologies SiC MOSFET Leverages switching performance while enabling the benefits of top-side cooling
Duomenų Lapas
1 659Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 1 800

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
Duomenų Lapas
1 001Prieinamumas
2 000Tikėtina 2027-01-28
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 000

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT HSOF-8
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V, 10 mohm G2
Duomenų Lapas
276Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 12 mohm G2
Duomenų Lapas
277Prieinamumas
720Pagal užsakymą
Min.: 1
Daugkart.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 17 mohm G2
Duomenų Lapas
396Prieinamumas
480Pagal užsakymą
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 20

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 26 mohm G2
Duomenų Lapas
483Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 20

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 34 mohm G2
Duomenų Lapas
826Prieinamumas
240Tikėtina 2026-07-09
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 70

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 53 mohm G2
Duomenų Lapas
776Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4
IXYS SiC MOSFET 1200V 80mohm (40A a. 25C) SiC MOSFET in TO267-7L
Duomenų Lapas
790Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 800

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT TO-263-7L
IXYS SiC MOSFET 1200V 30mohm (80A a. 25C) SiC MOSFET in TO267-7L
Duomenų Lapas
760Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 800

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT TO-263-7L
IXYS SiC MOSFET 1200V 80mohm (40A a. 25C) SiC MOSFET in TO247-4L
Duomenų Lapas
394Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4L
IXYS SiC MOSFET 1200V 30mohm (80A a. 25C) SiC MOSFET in TO247-4L
Duomenų Lapas
392Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4L
SemiQ SiC MOSFET Gen3 1200V, 40mohm SiC MOSFET, TO-247-4L
Duomenų Lapas
120Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4L
SemiQ SiC MOSFET Gen3 1200V, 80mohm SiC MOSFET, TO-247-4L
Duomenų Lapas
97Prieinamumas
60Pagal užsakymą
Min.: 1
Daugkart.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4L
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V, 26 mohm G2
Duomenų Lapas
71Prieinamumas
480Tikėtina 2026-06-29
Min.: 1
Daugkart.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V, 33 mohm G2
Duomenų Lapas
237Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3