|
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
- IMDQ75R040M2HXTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
8,36 €
-
70Prieinamumas
-
750Tikėtina 2026-05-14
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMDQ75R040M2HXTM
Naujas Produktas
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
70Prieinamumas
750Tikėtina 2026-05-14
|
|
|
8,36 €
|
|
|
5,90 €
|
|
|
4,92 €
|
|
|
4,38 €
|
|
|
4,09 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
750
|
|
SiC MOSFETS
|
SiC
|
SMD/SMT
|
PG-HDSOP-22
|
|
|
|
SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with .XT interconnection technology
- IMZC120R007M2HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
35,41 €
-
5Prieinamumas
-
720Pagal užsakymą
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMZC120R007M2HXK
Naujas Produktas
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with .XT interconnection technology
|
|
5Prieinamumas
720Pagal užsakymą
Turime sandėlyje:
5 Galime išsiųsti iš karto
Pagal užsakymą:
240 Tikėtina 2026-05-04
480 Tikėtina 2026-07-09
Gamintojo numatytas pristatymo laikas
30 Savaičių
|
|
|
35,41 €
|
|
|
30,21 €
|
|
|
26,43 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
SiC MOSFETS
|
SiC
|
Through Hole
|
PG-TO247-4-U07
|
|
|
|
SiC MOSFET SIC MOS TO247-4L 70MOHM M3S 1200V
- NVH4L070N120M3S-IE
- onsemi
-
1:
13,00 €
-
450Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
863-H4L070N120M3S-IE
Naujas Produktas
|
onsemi
|
SiC MOSFET SIC MOS TO247-4L 70MOHM M3S 1200V
|
|
450Prieinamumas
|
|
|
13,00 €
|
|
|
9,49 €
|
|
|
8,54 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
SiC MOSFETS
|
SiC
|
Through Hole
|
TO-247-4L
|
|
|
|
SiC MOSFET NSF030120D7A0-Q/SOT8070/TO263-
- NSF030120D7A0-QJ
- Nexperia
-
1:
9,60 €
-
594Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
771-NSF030120D7A0-QJ
Naujas Produktas
|
Nexperia
|
SiC MOSFET NSF030120D7A0-Q/SOT8070/TO263-
|
|
594Prieinamumas
|
|
|
9,60 €
|
|
|
6,66 €
|
|
|
5,70 €
|
|
|
5,23 €
|
|
|
5,23 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
800
|
|
SiC MOSFETS
|
SiC
|
SMD/SMT
|
TO-263-7
|
|
|
|
SiC MOSFET NSF040120D7A1-Q/SOT8070/TO263-
- NSF040120D7A1-QJ
- Nexperia
-
1:
8,66 €
-
720Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
771-NSF040120D7A1-QJ
Naujas Produktas
|
Nexperia
|
SiC MOSFET NSF040120D7A1-Q/SOT8070/TO263-
|
|
720Prieinamumas
|
|
|
8,66 €
|
|
|
6,05 €
|
|
|
4,99 €
|
|
|
4,64 €
|
|
|
4,64 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
800
|
|
SiC MOSFETS
|
SiC
|
SMD/SMT
|
TO-263-7
|
|
|
|
SiC MOSFET NSF040120D7A1/SOT8070/TO263-7L
- NSF040120D7A1J
- Nexperia
-
1:
8,44 €
-
716Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
771-NSF040120D7A1J
Naujas Produktas
|
Nexperia
|
SiC MOSFET NSF040120D7A1/SOT8070/TO263-7L
|
|
716Prieinamumas
|
|
|
8,44 €
|
|
|
5,81 €
|
|
|
4,43 €
|
|
|
4,43 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
800
|
|
SiC MOSFETS
|
SiC
|
SMD/SMT
|
TO-263-7
|
|
|
|
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package
- IMCQ120R026M2HXTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
10,94 €
-
1 900Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMCQ120R026M2HXT
Naujas Produktas
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package
|
|
1 900Prieinamumas
|
|
|
10,94 €
|
|
|
7,70 €
|
|
|
6,49 €
|
|
|
6,43 €
|
|
|
6,13 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
750
|
|
SiC MOSFETS
|
SiC
|
SMD/SMT
|
PG-HDSOP-22-U03
|
|
|
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
- IMT65R010M2HXUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
19,50 €
-
1 613Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMT65R010M2HXUMA
Naujas Produktas
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
1 613Prieinamumas
|
|
|
19,50 €
|
|
|
14,56 €
|
|
|
12,97 €
|
|
|
12,05 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
2 000
|
|
SiC MOSFETS
|
SiC
|
SMD/SMT
|
HSOF-8
|
|
|
|
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V, 33 mohm G2
- IMZA65R033M2HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
10,47 €
-
6 403Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMZA65R033M2HXKS
Naujas Produktas
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V, 33 mohm G2
|
|
6 403Prieinamumas
|
|
|
10,47 €
|
|
|
6,04 €
|
|
|
5,19 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
SiC MOSFETS
|
SiC
|
Through Hole
|
TO-247-4
|
|
|
|
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package
- IMCQ120R034M2HXTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
8,09 €
-
599Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMCQ120R034M2HXT
Naujas Produktas
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package
|
|
599Prieinamumas
|
|
|
8,09 €
|
|
|
6,07 €
|
|
|
5,15 €
|
|
|
4,96 €
|
|
|
4,81 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
750
|
|
SiC MOSFETS
|
SiC
|
SMD/SMT
|
PG-HDSOP-22-U03
|
|
|
|
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package
- IMCQ120R040M2HXTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
9,60 €
-
330Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMCQ120R040M2HXT
Naujas Produktas
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package
|
|
330Prieinamumas
|
|
|
9,60 €
|
|
|
6,98 €
|
|
|
5,81 €
|
|
|
5,19 €
|
|
|
4,85 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
750
|
|
SiC MOSFETS
|
SiC
|
SMD/SMT
|
PG-HDSOP-22-U03
|
|
|
|
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package
- IMCQ120R053M2HXTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
8,16 €
-
387Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMCQ120R053M2HXT
Naujas Produktas
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package
|
|
387Prieinamumas
|
|
|
8,16 €
|
|
|
5,45 €
|
|
|
4,11 €
|
|
|
3,84 €
|
|
|
3,72 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
750
|
|
SiC MOSFETS
|
SiC
|
SMD/SMT
|
PG-HDSOP-22-U03
|
|
|
|
SiC MOSFET Leverages switching performance while enabling the benefits of top-side cooling
- IMLT65R026M2HXTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
10,06 €
-
1 008Prieinamumas
-
1 800Pagal užsakymą
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMLT65R026M2HXTM
Naujas Produktas
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET Leverages switching performance while enabling the benefits of top-side cooling
|
|
1 008Prieinamumas
1 800Pagal užsakymą
|
|
|
10,06 €
|
|
|
6,93 €
|
|
|
5,51 €
|
|
|
5,34 €
|
|
|
5,14 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
1 800
|
|
SiC MOSFETS
|
SiC
|
SMD/SMT
|
|
|
|
|
SiC MOSFET Leverages switching performance while enabling the benefits of top-side cooling
- IMLT65R033M2HXTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
8,77 €
-
1 664Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMLT65R033M2HXTM
Naujas Produktas
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET Leverages switching performance while enabling the benefits of top-side cooling
|
|
1 664Prieinamumas
|
|
|
8,77 €
|
|
|
5,91 €
|
|
|
4,62 €
|
|
|
4,58 €
|
|
|
4,40 €
|
|
|
4,27 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
1 800
|
|
SiC MOSFETS
|
SiC
|
SMD/SMT
|
|
|
|
|
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V, 10 mohm G2
- IMW65R010M2HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
17,86 €
-
336Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMW65R010M2HXKSA
Naujas Produktas
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V, 10 mohm G2
|
|
336Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
SiC MOSFETS
|
SiC
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
|
|
|
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V, 33 mohm G2
- IMW65R033M2HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
9,05 €
-
247Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMW65R033M2HXKSA
Naujas Produktas
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V, 33 mohm G2
|
|
247Prieinamumas
|
|
|
9,05 €
|
|
|
5,39 €
|
|
|
5,03 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
SiC MOSFETS
|
SiC
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
|
|
|
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 12 mohm G2
- IMZC120R012M2HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
20,76 €
-
336Prieinamumas
-
480Tikėtina 2026-06-18
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMZC120R012M2HXK
Naujas Produktas
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 12 mohm G2
|
|
336Prieinamumas
480Tikėtina 2026-06-18
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
SiC MOSFETS
|
SiC
|
Through Hole
|
TO-247-4
|
|
|
|
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 17 mohm G2
- IMZC120R017M2HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
15,68 €
-
686Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMZC120R017M2HXK
Naujas Produktas
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 17 mohm G2
|
|
686Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
SiC MOSFETS
|
SiC
|
Through Hole
|
TO-247-4
|
|
|
|
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 22 mohm G2
- IMZC120R022M2HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
13,44 €
-
985Prieinamumas
-
720Pagal užsakymą
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMZC120R022M2HXK
Naujas Produktas
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 22 mohm G2
|
|
985Prieinamumas
720Pagal užsakymą
Turime sandėlyje:
985 Galime išsiųsti iš karto
Pagal užsakymą:
480 Tikėtina 2026-04-22
240 Tikėtina 2026-05-24
Gamintojo numatytas pristatymo laikas
30 Savaičių
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
SiC MOSFETS
|
SiC
|
Through Hole
|
TO-247-4
|
|
|
|
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 26 mohm G2
- IMZC120R026M2HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
11,65 €
-
583Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMZC120R026M2HXK
Naujas Produktas
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 26 mohm G2
|
|
583Prieinamumas
|
|
|
11,65 €
|
|
|
7,10 €
|
|
|
6,99 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
SiC MOSFETS
|
SiC
|
Through Hole
|
TO-247-4
|
|
|
|
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 34 mohm G2
- IMZC120R034M2HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
9,78 €
-
846Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMZC120R034M2HXK
Naujas Produktas
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 34 mohm G2
|
|
846Prieinamumas
|
|
|
9,78 €
|
|
|
5,87 €
|
|
|
5,57 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
SiC MOSFETS
|
SiC
|
Through Hole
|
TO-247-4
|
|
|
|
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 40 mohm G2
- IMZC120R040M2HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
9,31 €
-
536Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMZC120R040M2HXK
Naujas Produktas
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 40 mohm G2
|
|
536Prieinamumas
|
|
|
9,31 €
|
|
|
5,56 €
|
|
|
5,22 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
SiC MOSFETS
|
SiC
|
Through Hole
|
TO-247-4
|
|
|
|
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 53 mohm G2
- IMZC120R053M2HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
7,92 €
-
844Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMZC120R053M2HXK
Naujas Produktas
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 53 mohm G2
|
|
844Prieinamumas
|
|
|
7,92 €
|
|
|
4,67 €
|
|
|
4,22 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
SiC MOSFETS
|
SiC
|
Through Hole
|
TO-247-4
|
|
|
|
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 78 mohm G2
- IMZC120R078M2HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
7,03 €
-
506Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMZC120R078M2HXK
Naujas Produktas
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 78 mohm G2
|
|
506Prieinamumas
|
|
|
7,03 €
|
|
|
4,10 €
|
|
|
3,61 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
SiC MOSFETS
|
SiC
|
Through Hole
|
TO-247-4
|
|
|
|
SiC MOSFET 1200V 80mohm (40A a. 25C) SiC MOSFET in TO267-7L
- IXSA40N120L2-7TR
- IXYS
-
1:
7,08 €
-
795Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
747-IXSA40N120L2-7TR
Naujas Produktas
|
IXYS
|
SiC MOSFET 1200V 80mohm (40A a. 25C) SiC MOSFET in TO267-7L
|
|
795Prieinamumas
|
|
|
7,08 €
|
|
|
7,07 €
|
|
|
6,79 €
|
|
|
6,79 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
800
|
|
SiC MOSFETS
|
SiC
|
SMD/SMT
|
TO-263-7L
|
|