Atrodo, kad jūsų naršyklėje išjungtas "JavaScript". Kai kurios šio puslapio funkcijos neveiks, jei neprisijungsite.

NVH4L018N075SC1

Name: onsemi NVH4L018N075SC1
Brand: onsemi
SKU: 863-NVH4L018N075SC1
Price: 23.26 EUR
Availability: InStock

Vaizdai skirti tik iliustracijai
Žr. produkto specifikacijas

Mouser #:

863-NVH4L018N075SC1

Mfr. #:

NVH4L018N075SC1

Gam.:

onsemi

Aprašymas:

SiC MOSFET SIC MOS TO247-4L 750V

Duomenų Lapas:

NVH4L018N075SC1 Duomenų Lapas

ECAD modelis:

Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.

Daugiau informacijos

Sužinokite daugiau apie onsemi NVH4L018N075SC1

Prieinamumas

Turime sandėlyje:: Įvyko netikėta klaida. Prašome pabandyti vėliau.

1 800 Galima Išsiųsti per 20 Dienų

Įvesti kiekį:

Min. 450 Užsakoma po 450

Vieneto kaina:

-,-- €

Plėt. Kaina:

-,-- €

Numatomas Įkainis:

Šis Produktas Siunčiamas NEMOKAMAI

Kainodara (EUR)

Qty.	Vieneto kaina	Plėt. Kaina
	23,26 €	10 467,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produkto Požymis	Atributo vertė	Pasirinkite Požymį
Gamintojas:	onsemi
Gaminio kategorija:	SiC MOSFET
RoHS:
Pakuotė / Korpusas:	TO-247-4
Prekinis pavadinimas:	EliteSiC
Prekės Ženklas:	onsemi
Pakavimas:	Tube
Gaminio tipas:	SiC MOSFETS
Serija:	NVH4L018N075SC1
Gamyklinės pakuotės kiekis:	30
Subkategorija:	Transistors
Technologijos:	SiC

Rasta produktų:

Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį

Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.

Pasirinkti atributai: 0

Filtruoti dokumentą:

Duomenų Lapas

NVH4L018N075SC1 Duomenų Lapas

PCN

Product Change Notification (PDF)

Material Composition Disclosure

USHTS:: 8541290095
ECCN:: EAR99

M2 EliteSiC MOSFETs

onsemi M2 EliteSiC MOSFETs feature voltage options of 650V, 750V, and 1200V. The onsemi M2 MOSFETs come in various packages, including D2PAK7, H-PSOF8L, TDFN4 8x8, TO-247-3LD, and TO-247-4LD. The MOSFETs provide flexibility in design and implementation. Additionally, the M2 EliteSiC MOSFETs boast a maximum gate-to-source voltage of +22V/-8V, low R_DS(on), and high short circuit withstand time (SCWT).

Pairing Gate Drivers with EliteSiC MOSFETs

Energy Infrastructure applications like EV charging, energy storage, Uninterruptible Power Systems (UPS), and solar are pushing system power levels to hundreds of kilowatts and even megawatts. These high-power applications employ half bridge, full bridge, and 3-phase topologies duty cycling up to six switches for inverters and BLDC. Depending on the power level and switching speeds, system designers look to various switch technologies, including silicon, IGBTs, and SiC, to best fit application requirements.