BM3G005MUV-LBE2

Name: ROHM Semiconductor BM3G005MUV-LBE2
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-BM3G005MUV-LBE2
Price: 13.88 EUR
Availability: InStock

Vaizdai skirti tik iliustracijai
Žr. produkto specifikacijas

Mouser #:

755-BM3G005MUV-LBE2

Mfr. #:

BM3G005MUV-LBE2

Gam.:

ROHM Semiconductor

Aprašymas:

GaN FET PMIC Power Switch/Driver, 650V, 5m, Low Side Nch

Eksploatacijos Laikotarpis:

Naujas Produktas:

Naujiena iš šio gamintojo.

Duomenų Lapas:

BM3G005MUV-LBE2 Duomenų Lapas

ECAD modelis:

Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.

Daugiau informacijos

Sužinokite daugiau apie ROHM Semiconductor BM3G005MUV-LBE2

Prieinamumas: 995

Turime sandėlyje:: 995 Galime išsiųsti iš karto

Įvyko netikėta klaida. Prašome pabandyti vėliau.
Gamintojo numatytas pristatymo laikas: 21 Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje, jei dalių kiekis didesnis nei nurodyta.

Įvesti kiekį:

Min. 1 Užsakoma po 1

Vieneto kaina:

-,-- €

Plėt. Kaina:

-,-- €

Numatomas Įkainis:

Kainodara (EUR)

Qty.	Vieneto kaina	Plėt. Kaina
	13,88 €	13,88 €
	10,74 €	107,40 €
	9,78 €	978,00 €
Visa Ritė (Užsakoma po 1000)
	8,85 €	8 850,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produkto Požymis	Atributo vertė	Pasirinkite Požymį
Gamintojas:	ROHM Semiconductor
Gaminio kategorija:	GaN FET
RoHS:
Montavimo stilius:	SMD/SMT
Pakuotė / Korpusas:	VQFN-46
Kanalų skaičius:	1 Channel
Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa:	650 V
svar. – nuolatinio išleidimo srovė:	68.8 A
RDS On - Drain-Source Varža:	70 mOhms
Minimali darbinė temperatūra:	- 40 C
Didžiausia darbinė temperatūra:	+ 105 C
Kanalas Mode:	Enhancement
Prekinis pavadinimas:	Nano Cap; EcoGaN
Prekės Ženklas:	ROHM Semiconductor
Rudens laikas:	2.7 ns
Didžiausias darbinis dažnis:	2 MHz
Pakavimas:	Reel
Pakavimas:	Cut Tape
Gaminys:	GaN HEMT Power Stage
Gaminio tipas:	GaN FETs
Kilimo Laikas:	5 ns
Gamyklinės pakuotės kiekis:	1000
Subkategorija:	Transistors
Technologijos:	Si
Tipinė išjungimo vėlinimo trukmė:	19 ns
Tipinė įjungimo vėlinimo trukmė:	14 ns

Rasta produktų:

Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį

Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.

Pasirinkti atributai: 0

Filtruoti dokumentą:

Duomenų Lapas

BM3G005MUV-LBE2 Duomenų Lapas

Other

Kad ši funkcija veiktų, reikia įjungti „JavaScript“.

USHTS:: 8542390070
ECCN:: EAR99

Nano Cap™ 650V GaN HEMT Power Stage ICs

ROHM Semiconductor Nano Cap™ 650V GaN HEMT Power Stage ICs are designed for demanding electronics systems. These ICs boast a blend of high power density and efficiency. The devices integrate a 650V enhancement GaN HEMT and a silicon driver. ROHM Semiconductor Nano Cap 650V GaN HEMT Power Stage ICs are ideal for applications that include industrial equipment, power supplies, bridge topology, and adapters.