ISC015N06NM5LF2ATMA1

Infineon Technologies
726-ISC015N06NM5LF2A
ISC015N06NM5LF2ATMA1

Gam.:

Aprašymas:
MOSFETs IFX FET 60V

ECAD modelis:
Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.

Prieinamumas: 6 780

Turime sandėlyje:
6 780 Galime išsiųsti iš karto
Gamintojo numatytas pristatymo laikas
52 Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje, jei dalių kiekis didesnis nei nurodyta.
Min. 1   Užsakoma po 1
Vieneto kaina:
-,-- €
Plėt. Kaina:
-,-- €
Numatomas Įkainis:
Pakuotė:
Visa Ritė (Užsakoma po 5000)

Kainodara (EUR)

Qty. Vieneto kaina
Plėt. Kaina
Nukerpama juosta / „MouseReel™“
2,95 € 2,95 €
2,23 € 22,30 €
2,19 € 54,75 €
1,79 € 179,00 €
1,78 € 445,00 €
1,57 € 785,00 €
1,54 € 1 540,00 €
Visa Ritė (Užsakoma po 5000)
1,46 € 7 300,00 €
† 5,00 € „MouseReel™“ mokestis bus pridėtas ir apskaičiuotas jūsų pirkinių krepšelyje. Visi „MouseReel™“ užsakymai neatšaukiami ir negrąžinami.

Produkto Požymis Atributo vertė Pasirinkite Požymį
Infineon
Gaminio kategorija: MOSFETs
RoHS:  
Si
SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
1 Channel
60 V
275 A
1.55 mOhms
- 20 V, 20 V
3.45 V
90 nC
- 55 C
+ 175 C
217 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
MouseReel
Prekės Ženklas: Infineon Technologies
Configuration: Single
Rudens laikas: 15 ns
Tiesioginis laidumas - min: 28 S
Gaminio tipas: MOSFETs
Kilimo Laikas: 16 ns
Gamyklinės pakuotės kiekis: 5000
Subkategorija: Transistors
Tipinė išjungimo vėlinimo trukmė: 31 ns
Tipinė įjungimo vėlinimo trukmė: 17 ns
Tranzistoriaus tipas: 1 N Channel
Dalies Nr., kitokios klasifikacijos numeriai: ISC015N06NM5LF2ATMA1 SP005987895
Rasta produktų:
Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį
Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.
Pasirinkti atributai: 0

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

OptiMOS™ 5 Power MOSFETs

Infineon OptiMOS™ 5 Power MOSFETs are designed to meet requirements for improved system efficiency while reducing system costs. These devices feature lower RDS(on) and Figure of Merit (RDS(on) x Qg) compared to alternative devices. They are designed using silicon technology, optimized to meet and exceed the energy efficiency and power density requirements. Typical applications for these MOSFETs include server, datacom, and client applications in the computing industry. They can also be used in synchronous rectification in switched-mode power supplies (SMPS) and motor control, solar microinverters, and fast switching DC/DC converter applications.