Atrodo, kad jūsų naršyklėje išjungtas "JavaScript". Kai kurios šio puslapio funkcijos neveiks, jei neprisijungsite.

IMZC120R012M2HXKSA1

Name: Infineon IMZC120R012M2HXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IMZC120R012M2HXK
Price: 19.97 EUR
Availability: InStock

Vaizdai skirti tik iliustracijai
Žr. produkto specifikacijas

Mouser #:

726-IMZC120R012M2HXK

Mfr. #:

IMZC120R012M2HXKSA1

Gam.:

Infineon Technologies

Aprašymas:

SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 12 mohm G2

Eksploatacijos Laikotarpis:

Naujas Produktas:

Naujiena iš šio gamintojo.

Duomenų Lapas:

IMZC120R012M2HXKSA1 Duomenų Lapas (PDF)

ECAD modelis:

Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.

Daugiau informacijos

Sužinokite daugiau apie Infineon Technologies IMZC120R012M2HXKSA1

Prieinamumas: 664

Turime sandėlyje:: 664 Galime išsiųsti iš karto

Įvyko netikėta klaida. Prašome pabandyti vėliau.
Gamintojo numatytas pristatymo laikas: 26 Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje, jei dalių kiekis didesnis nei nurodyta.

Įvesti kiekį:

Min. 1 Užsakoma po 1

Vieneto kaina:

-,-- €

Plėt. Kaina:

-,-- €

Numatomas Įkainis:

Kainodara (EUR)

Qty.	Vieneto kaina	Plėt. Kaina
	19,97 €	19,97 €
	16,34 €	163,40 €
	14,43 €	1 443,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produkto Požymis	Atributo vertė	Pasirinkite Požymį
Gamintojas:	Infineon
Gaminio kategorija:	SiC MOSFET
RoHS:
Montavimo stilius:	Through Hole
Pakuotė / Korpusas:	TO-247-4
Tranzistoriaus poliškumas:	N-Channel
Kanalų skaičius:	1 Channel
Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa:	1.2 kV
svar. – nuolatinio išleidimo srovė:	129 A
RDS On - Drain-Source Varža:	12 mOhms
Vgs - užtūros-šaltinio įtampa:	- 10 V, + 25 V
Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa:	5.1 V
Qg – vartų krūvis:	124 nC
Minimali darbinė temperatūra:	- 55 C
Didžiausia darbinė temperatūra:	+ 175 C
Kanalas Mode:	Enhancement
Prekinis pavadinimas:	CoolSiC
Prekės Ženklas:	Infineon Technologies
Configuration:	Single
Rudens laikas:	11.7 ns
Tiesioginis laidumas - min:	38 S
Pakavimas:	Tube
Gaminys:	MOSFETs
Gaminio tipas:	SiC MOSFETS
Kilimo Laikas:	8.6 ns
Serija:	1200V G2
Gamyklinės pakuotės kiekis:	240
Subkategorija:	Transistors
Technologijos:	SiC
Tipas:	SiC MOSFET
Tipinė išjungimo vėlinimo trukmė:	21 ns
Tipinė įjungimo vėlinimo trukmė:	9.5 ns
Tranzistoriaus tipas:	1 N-Channel
Dalies Nr., kitokios klasifikacijos numeriai:	IMZC120R012M2H SP006031758

Rasta produktų:

Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį

Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.

Pasirinkti atributai: 0

Filtruoti dokumentą:

Duomenų Lapas

IMZC120R012M2HXKSA1 Duomenų Lapas (PDF)

Kad ši funkcija veiktų, reikia įjungti „JavaScript“.

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

CoolSiC™ 1200V G2 Silicon Carbide MOSFETs

Infineon Technologies CoolSiC™ 1200V G2 Silicon Carbide MOSFETs offer high-performance solutions for power electronics applications. These MOSFETs demonstrate excellent electrical characteristics and exhibit very low switching losses, enabling efficient operation. The 1200V G2 MOSFETs are designed for overload conditions, supporting operation up to 200°C, and can withstand short circuits for up to 2µs. These devices feature a 4.2V benchmark gate threshold voltage V_GS(th) and ensure precise control. The CoolSiC MOSFET 1200V G2 is available in three packages that build upon the strengths of Generation 1 technology to provide advanced solutions for more cost-optimized, efficient, compact, easy-to-design, and reliable systems. Generation 2 significantly improves key figures of merit for hard-/soft-switching topologies, ideal for all common combinations of DC-DC, AC-DC, and DC-AC stages.