Atrodo, kad jūsų naršyklėje išjungtas "JavaScript". Kai kurios šio puslapio funkcijos neveiks, jei neprisijungsite.

IGLD65R110D2AUMA1

Name: Infineon IGLD65R110D2AUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IGLD65R110D2AUMA
Price: 3.84 EUR
Availability: InStock

Vaizdai skirti tik iliustracijai
Žr. produkto specifikacijas

Mouser #:

726-IGLD65R110D2AUMA

Mfr. #:

IGLD65R110D2AUMA1

Gam.:

Infineon Technologies

Aprašymas:

GaN FET CoolGaN Transistor 650 V G5

Eksploatacijos Laikotarpis:

Naujas Produktas:

Naujiena iš šio gamintojo.

Duomenų Lapas:

IGLD65R110D2AUMA1 Duomenų Lapas (PDF)

ECAD modelis:

Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.

Daugiau informacijos

Sužinokite daugiau apie Infineon Technologies IGLD65R110D2AUMA1

Prieinamumas: 2 696

Turime sandėlyje:: 2 696 Galime išsiųsti iš karto

Įvyko netikėta klaida. Prašome pabandyti vėliau.
Gamintojo numatytas pristatymo laikas: 18 Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje, jei dalių kiekis didesnis nei nurodyta.

Įvesti kiekį:

Min. 1 Užsakoma po 1

Vieneto kaina:

-,-- €

Plėt. Kaina:

-,-- €

Numatomas Įkainis:

Kainodara (EUR)

Qty.	Vieneto kaina	Plėt. Kaina
	3,84 €	3,84 €
	2,56 €	25,60 €
	1,97 €	197,00 €
	1,75 €	875,00 €
	1,66 €	1 660,00 €
Visa Ritė (Užsakoma po 3000)
	1,42 €	4 260,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produkto Požymis	Atributo vertė	Pasirinkite Požymį
Gamintojas:	Infineon
Gaminio kategorija:	GaN FET
RoHS:
Montavimo stilius:	SMD/SMT
Pakuotė / Korpusas:	PG-LSON-8
Tranzistoriaus poliškumas:	HEMT
Kanalų skaičius:	1 Channel
Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa:	650 V
svar. – nuolatinio išleidimo srovė:	20 A
RDS On - Drain-Source Varža:	140 mOhms
Vgs - užtūros-šaltinio įtampa:	- 10 V
Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa:	1.2 V
Qg – vartų krūvis:	2.4 nC
Minimali darbinė temperatūra:	- 55 C
Didžiausia darbinė temperatūra:	+ 150 C
Pd - skaidos galia:	51 W
Kanalas Mode:	Enhancement
Prekinis pavadinimas:	CoolGaN
Prekės Ženklas:	Infineon Technologies
Configuration:	Single
Rudens laikas:	20 ns
Jautrus drėgmei:	Yes
Pakavimas:	Reel
Pakavimas:	Cut Tape
Gaminys:	GaN Transistors
Gaminio tipas:	GaN FETs
Kilimo Laikas:	7 ns
Serija:	650 V G5
Gamyklinės pakuotės kiekis:	3000
Subkategorija:	Transistors
Technologijos:	GaN
Tipinė išjungimo vėlinimo trukmė:	10 ns
Tipinė įjungimo vėlinimo trukmė:	8 ns
Tranzistoriaus tipas:	1 N-Channel
Dalies Nr., kitokios klasifikacijos numeriai:	IGLD65R110D2 SP005918714

Rasta produktų:

Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį

Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.

Pasirinkti atributai: 0

Filtruoti dokumentą:

Duomenų Lapas

IGLD65R110D2AUMA1 Duomenų Lapas (PDF)

Kad ši funkcija veiktų, reikia įjungti „JavaScript“.

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

CoolGaN™ 650V G5 Transistors

Infineon Technologies CoolGaN™ 650V G5 Transistors feature highly efficient gallium nitride (GaN) transistor technology for power conversion. The 650V G5 family addresses consumer, data center, industrial, and solar application challenges. The transistors offer improved system efficiency and power density with ultra-fast switching capability. The CoolGaN technology provides discrete and integrated solutions designed to enhance overall system performance. The Infineon Technologies CoolGaN 650V G5 Transistors enable high operating frequencies and reduce EMI ratings. The transistors are ideal for power distribution, switch-mode power supplies (SMPS), telecommunications, and other industrial applications.