Atrodo, kad jūsų naršyklėje išjungtas "JavaScript". Kai kurios šio puslapio funkcijos neveiks, jei neprisijungsite.

IGC033S10S1XTMA1

Name: Infineon IGC033S10S1XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IGC033S10S1XTMA1
Price: 3.96 EUR
Availability: LimitedAvailability

Vaizdai skirti tik iliustracijai
Žr. produkto specifikacijas

Mouser #:

726-IGC033S10S1XTMA1

Mfr. #:

IGC033S10S1XTMA1

Gam.:

Infineon Technologies

Aprašymas:

GaN FET MV GAN DISCRETES

Eksploatacijos Laikotarpis:

Ribotas Prieinamumas:

Šiuo metu šio gaminio numerio "Mouser" nėra. Produktas gali būti riboto platinimo arba specialaus gamyklinio užsakymo.

Duomenų Lapas:

IGC033S10S1XTMA1 Duomenų Lapas (PDF)

ECAD modelis:

Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produkto Požymis	Atributo vertė	Pasirinkite Požymį
Gamintojas:	Infineon
Gaminio kategorija:	GaN FET
RoHS:
Montavimo stilius:	SMD/SMT
Pakuotė / Korpusas:	PG-TSON-6
Tranzistoriaus poliškumas:	HEMT
Kanalų skaičius:	1 Channel
Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa:	100 V
svar. – nuolatinio išleidimo srovė:	76 A
RDS On - Drain-Source Varža:	3.3 mOhms
Vgs - užtūros-šaltinio įtampa:	- 4 V, + 5.5 V
Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa:	2.9 V
Qg – vartų krūvis:	11 nC
Minimali darbinė temperatūra:	- 40 C
Didžiausia darbinė temperatūra:	+ 150 C
Pd - skaidos galia:	45 W
Kanalas Mode:	Enhancement
Prekinis pavadinimas:	CoolGaN
Technologijos:	GaN
Prekės Ženklas:	Infineon Technologies
Configuration:	Single
Pakavimas:	Reel
Pakavimas:	Cut Tape
Pakavimas:	MouseReel
Gaminys:	Tranistors
Gaminio tipas:	GaN FETs
Serija:	100V G3
Gamyklinės pakuotės kiekis:	5000
Subkategorija:	Transistors
Tipas:	CoolGaN Transistor
Tranzistoriaus tipas:	1 P-Channel
Dalies Nr., kitokios klasifikacijos numeriai:	IGC033S10S1 SP005751571

Rasta produktų:

Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį

Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.

Pasirinkti atributai: 0

Filtruoti dokumentą:

Duomenų Lapas

IGC033S10S1XTMA1 Duomenų Lapas (PDF)

Kad ši funkcija veiktų, reikia įjungti „JavaScript“.

Reglamentavimo kodai

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Klasifikacija pagal kilmę

Kilmės šalis:: Austrija
Šalis, kurioje pagaminta:: Malaizija
Distribucijos šalis:: Austrija

Šalis gali keistis siuntimo metu.

CoolGaN™ G3 Transistors

Infineon Technologies CoolGaN™ G3 Transistors are designed to deliver superior performance in high-power density applications. These transistors feature a very low on-state resistance, enabling efficient power conversion and reduced energy losses. Available in four voltage options (60V, 80V, 100V, or 120V), the Infineon CoolGaN G3 Transistors deliver ultra-fast switching with an ultra-low gate/output charge. The transistors are housed in compact PQFN packages, which enhance thermal management and support dual-side cooling, ensuring reliable operation even under demanding conditions. These features make CoolGaN G3 Transistors a top choice for applications such as telecom, data center power supplies, and industrial power systems.

CoolGaN™ 100V G3 Transistors

Infineon Technologies CoolGaN™ 100V G3 Transistors are normally OFF, enhancement-mode (e-mode) power transistors in compact housing. These transistors feature low on-state resistance, making the devices an ideal choice for reliable performance in demanding high-current and high-voltage applications. The CoolGaN transistors are designed to improve thermal management. Typical applications include audio amplifier solutions, photovoltaic, telecommunication infrastructure, e‑Mobility, robotics, and drones.

ATRINKTI PRODUKTAI

INFINEON

Medium-Voltage CoolGaN™ Bidirectional Switches

These devices are a great fit for serving as battery disconnect switches in various applications.

Sužinokite Daugiau

CoolGaN™ Drive HB 600V G5 Switches

Integrate a half-bridge power stage featuring two 600V enhancement-mode CoolGaN switches.

Sužinokite Daugiau

700V CoolGaN™ G5 Power Transistors

Designed to operate at high frequencies with superior efficiency, enabling ultra-fast switching.

Sužinokite Daugiau

CoolGaN™ 650V G5 Transistors

Features highly efficient gallium nitride (GaN) transistor technology for power conversion.

Sužinokite Daugiau

CoolGaN™ Gen 2 650V Power Transistors

Features highly efficient GaN transistor technology for power conversion up to 650V.

Sužinokite Daugiau

Prieinamumas: 6 449

Turime sandėlyje:: 6 449 Galime išsiųsti iš karto

Įvyko netikėta klaida. Prašome pabandyti vėliau.

Įvesti kiekį:

Min. 1 Užsakoma po 1

Vieneto kaina:

-,-- €

Plėt. Kaina:

-,-- €

Numatomas Įkainis:

Pakuotė:

Visa Ritė (Užsakoma po 5000)

Pjaunama Juosta

"MouseReel"™ (+5,00 €)

Kainodara (EUR)

Qty.	Vieneto kaina	Plėt. Kaina
Nukerpama juosta / „MouseReel™“ ^†
	3,96 €	3,96 €
	2,03 €	20,30 €
	1,84 €	184,00 €
	1,57 €	785,00 €
	1,51 €	3 775,00 €
Visa Ritė (Užsakoma po 5000)
	1,34 €	6 700,00 €

† 5,00 € „MouseReel™“ mokestis bus pridėtas ir apskaičiuotas jūsų pirkinių krepšelyje. Visi „MouseReel™“ užsakymai neatšaukiami ir negrąžinami. ↩

IGC033S10S1XTMA1

Gam.: Infineon Technologies

Aprašymas: GaN FET MV GAN DISCRETES

Specifikacijos

Dokumentai (1)

Duomenų Lapas

Aplinkosaugos dokumentai

Produktų ir prekybos sąlygos

Daugiau informacijos

CoolGaN™ G3 Transistors

CoolGaN™ 100V G3 Transistors

Klientai taip pat pirko

ATRINKTI PRODUKTAI INFINEON

Prieinamumas: 6 449

Kainodara (EUR)

Greitoji Peržiūra

Įvyko netikėta klaida.

Gam.:

Infineon Technologies

Aprašymas:

GaN FET MV GAN DISCRETES

ATRINKTI PRODUKTAI

INFINEON