Atrodo, kad jūsų naršyklėje išjungtas "JavaScript". Kai kurios šio puslapio funkcijos neveiks, jei neprisijungsite.

IAUCN04S7N040HATMA1

Name: Infineon IAUCN04S7N040HATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IAUCN04S7N040HAT
Price: 1.66 EUR
Availability: InStock

Vaizdai skirti tik iliustracijai
Žr. produkto specifikacijas

Mouser #:

726-IAUCN04S7N040HAT

Mfr. #:

IAUCN04S7N040HATMA1

Gam.:

Infineon Technologies

Aprašymas:

MOSFETs OptiMOS 7 Power-Transistor

Eksploatacijos Laikotarpis:

Naujas Produktas:

Naujiena iš šio gamintojo.

Duomenų Lapas:

IAUCN04S7N040HATMA1 Duomenų Lapas (PDF)

ECAD modelis:

Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.

Daugiau informacijos

Sužinokite daugiau apie Infineon Technologies IAUCN04S7N040HATMA1

Prieinamumas: 768

Turime sandėlyje:: 768 Galime išsiųsti iš karto

Įvyko netikėta klaida. Prašome pabandyti vėliau.
Gamintojo numatytas pristatymo laikas: 26 Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje, jei dalių kiekis didesnis nei nurodyta.

Įvesti kiekį:

Min. 1 Užsakoma po 1

Vieneto kaina:

-,-- €

Plėt. Kaina:

-,-- €

Numatomas Įkainis:

Kainodara (EUR)

Qty.	Vieneto kaina	Plėt. Kaina
	1,66 €	1,66 €
	1,06 €	10,60 €
	0,735 €	73,50 €
	0,623 €	311,50 €
	0,52 €	520,00 €
	0,48 €	1 200,00 €
Visa Ritė (Užsakoma po 5000)
	0,451 €	2 255,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produkto Požymis	Atributo vertė	Pasirinkite Požymį
Gamintojas:	Infineon
Gaminio kategorija:	MOSFETs
RoHS:
Technologijos:	Si
Montavimo stilius:	SMD/SMT
Pakuotė / Korpusas:	PG-TDSON-8
Tranzistoriaus poliškumas:	N-Channel
Kanalų skaičius:	2 Channel
Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa:	40 V
svar. – nuolatinio išleidimo srovė:	82 A
RDS On - Drain-Source Varža:	4.01 mOhms
Vgs - užtūros-šaltinio įtampa:	20 V
Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa:	3 V
Qg – vartų krūvis:	13 nC
Minimali darbinė temperatūra:	- 55 C
Didžiausia darbinė temperatūra:	+ 175 C
Pd - skaidos galia:	52 W
Kanalas Mode:	Enhancement
Prekinis pavadinimas:	OptiMOS
Pakavimas:	Reel
Pakavimas:	Cut Tape
Prekės Ženklas:	Infineon Technologies
Configuration:	Dual
Rudens laikas:	12 ns
Gaminio tipas:	MOSFETs
Kilimo Laikas:	11 ns
Serija:	OptiMOS 7
Gamyklinės pakuotės kiekis:	5000
Subkategorija:	Transistors
Tipinė išjungimo vėlinimo trukmė:	9 ns
Tipinė įjungimo vėlinimo trukmė:	5 ns
Tranzistoriaus tipas:	2 N-Channel
Dalies Nr., kitokios klasifikacijos numeriai:	IAUCN04S7N040H SP006008355

Rasta produktų:

Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį

Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.

Pasirinkti atributai: 0

Filtruoti dokumentą:

Duomenų Lapas

IAUCN04S7N040HATMA1 Duomenų Lapas (PDF)

Kad ši funkcija veiktų, reikia įjungti „JavaScript“.

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

OptiMOS™ 7 Automotive Power MOSFETs

Infineon Technologies is introducing its leading OptiMOS™ 7 Automotive Power MOSFETs technology with remarkably low on-state resistance, reduced switching losses, and enhanced ruggedness. OptiMOS 7 redefines the landscape of automotive power MOSFETs. The OptiMOS 7 MOSFET technology from Infineon establishes a new standard for automotive applications, allowing performance and efficiency while addressing the challenges of tomorrow's automotive systems.

OptiMOS™ 7 40V Automotive Power MOSFETs

Infineon Technologies OptiMOS™ 7 40V Automotive Power MOSFETs are high-current low R_DS(on) MOSFETs with optimized switching behavior. These N-channel automotive MOSFETs offer high power density, low conduction losses, and high current density. The OptiMOS™ 7 MOSFETs come in a 3mm x 3mm advanced leadless package with Cu-Clip for low package Ron and minimum stray inductance. These MOSFETs are 100% avalanche tested and RoHS compliant. The OptiMOS™ 7 MOSFETs are ideal for applications such as power distribution, window-lift, power-seat, high-redundancy EPS, and body control modules.