Atrodo, kad jūsų naršyklėje išjungtas "JavaScript". Kai kurios šio puslapio funkcijos neveiks, jei neprisijungsite.

F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1

Name: Infineon F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-F3L8MR12W2M1HPB1
Price: 94.65 EUR
Availability: InStock

Vaizdai skirti tik iliustracijai
Žr. produkto specifikacijas

Mouser #:

726-F3L8MR12W2M1HPB1

Mfr. #:

F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1

Gam.:

Infineon Technologies

Aprašymas:

MOSFET moduliai 3-Level 1200 V CoolSiC MOSFET Easy Module

Duomenų Lapas:

F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1 Duomenų Lapas (PDF)

ECAD modelis:

Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.

Daugiau informacijos

Sužinokite daugiau apie Infineon Technologies F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1

Prieinamumas: 25

Turime sandėlyje:: 25 Galime išsiųsti iš karto

Įvyko netikėta klaida. Prašome pabandyti vėliau.
Gamintojo numatytas pristatymo laikas: 8 Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje, jei dalių kiekis didesnis nei nurodyta.

Įvesti kiekį:

Min. 1 Užsakoma po 1

Vieneto kaina:

-,-- €

Plėt. Kaina:

-,-- €

Numatomas Įkainis:

Šis Produktas Siunčiamas NEMOKAMAI

Kainodara (EUR)

Qty.	Vieneto kaina	Plėt. Kaina
	94,65 €	94,65 €
	88,52 €	885,20 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produkto Požymis	Atributo vertė	Pasirinkite Požymį
Gamintojas:	Infineon
Gaminio kategorija:	MOSFET moduliai
RoHS:
Technologijos:	Si
Montavimo stilius:	SMD/SMT
Minimali darbinė temperatūra:	- 40 C
Didžiausia darbinė temperatūra:	+ 150 C
Serija:	M1H
Pakavimas:	Tray
Prekės Ženklas:	Infineon Technologies
Configuration:	3-Phase Inverter
Gaminys:	SiC IGBT Modules
Gaminio tipas:	MOSFET Modules
Gamyklinės pakuotės kiekis:	18
Subkategorija:	Discrete and Power Modules
Prekinis pavadinimas:	EasyPACK CoolSiC
Dalies Nr., kitokios klasifikacijos numeriai:	F3L8MR12W2M1HP_B11 SP005562921

Rasta produktų:

Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį

Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.

Pasirinkti atributai: 0

Filtruoti dokumentą:

Duomenų Lapas

F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1 Duomenų Lapas (PDF)

Product Catalogs

Infineon's Latest Power and Sensing Guide (PDF)

Kad ši funkcija veiktų, reikia įjungti „JavaScript“.

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8504409100
USHTS:: 8541290055
ECCN:: EAR99

1200V CoolSiC™ Modules

Infineon Technologies 1200V CoolSiC™ Modules are Silicon Carbide (SiC) MOSFET modules that offer good levels of efficiency and system flexibility. These modules come with Near Threshold Circuits (NTC) and PressFIT contact technology. The CoolSiC modules feature high current density, best in class switching and conduction losses, and low inductive design. These modules provide high-frequency operation, increased power density, and optimized development cycle time and cost.

1200V CoolSiC™ M1H Modules

Infineon Technologies 1200V CoolSiC™ M1H Modules offer EV Charging and other inverter designers opportunities to achieve never-before-seen efficiency and power density levels.

Reliable & Efficient Power Supply for Data Centers

Infineon Technologies Reliable and Efficient Power Supply for Data Centers are scalable solutions with power ratings from approximately 5kW to 50/60kW. This Infineon solution is ideal for uninterruptible power supplies (UPS) that require high power density and energy efficiency. These modules leverage various chip technologies, including Si IGBT, CoolSiC™ hybrid, and CoolSiC MOSFET, to meet diverse requirements for cost-effectiveness and performance. Infineon's portfolio addresses all system levels of a UPS with different voltage classes, and are set to expand offerings to include lower power rating classes.