Atrodo, kad jūsų naršyklėje išjungtas "JavaScript". Kai kurios šio puslapio funkcijos neveiks, jei neprisijungsite.

SCTH60N120G2-7

Name: STMicroelectronics SCTH60N120G2-7
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-SCTH60N120G2-7
Price: 14.17 EUR
Availability: OutOfStock

Vaizdai skirti tik iliustracijai
Žr. produkto specifikacijas

Mouser #:

511-SCTH60N120G2-7

Mfr. #:

SCTH60N120G2-7

Gam.:

STMicroelectronics

Aprašymas:

SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 35 mOhm typ., 60 A in an H2PAK-7 package

Užbaikite savo projektą

Eksploatacijos Laikotarpis:

Netinkama eksploatuoti:

Planuojama, kad gaminys taps nebenaudojamas ir gamintojas jo nebetieks.

Duomenų Lapas:

SCTH60N120G2-7 Duomenų Lapas (PDF)

ECAD modelis:

Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.

Daugiau informacijos

Sužinokite daugiau apie STMicroelectronics SCTH60N120G2-7

Prieinamumas

Turime sandėlyje:: Ne Sandėlyje Esantys

Įvyko netikėta klaida. Prašome pabandyti vėliau.
Gamintojo numatytas pristatymo laikas: Prašyti Pristatymo Pasiūlymo

Įvesti kiekį:

Min. 1000 Užsakoma po 1000

Vieneto kaina:

-,-- €

Plėt. Kaina:

-,-- €

Numatomas Įkainis:

Šis Produktas Siunčiamas NEMOKAMAI

Kainodara (EUR)

Qty.	Vieneto kaina	Plėt. Kaina
Visa Ritė (Užsakoma po 1000)
	14,17 €	14 170,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produkto Požymis	Atributo vertė	Pasirinkite Požymį
Gamintojas:	STMicroelectronics
Gaminio kategorija:	SiC MOSFET
RoHS:
Montavimo stilius:	SMD/SMT
Pakuotė / Korpusas:	H2PAK-7
Kanalų skaičius:	1 Channel
Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa:	1.2 kV
svar. – nuolatinio išleidimo srovė:	60 A
RDS On - Drain-Source Varža:	52 mOhms
Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa:	3 V
Qg – vartų krūvis:	94 nC
Minimali darbinė temperatūra:	- 55 C
Didžiausia darbinė temperatūra:	+ 175 C
Pd - skaidos galia:	390 W
Kanalas Mode:	Enhancement
Prekės Ženklas:	STMicroelectronics
Configuration:	Single
Rudens laikas:	14 ns
Pakavimas:	Reel
Gaminio tipas:	SiC MOSFETS
Kilimo Laikas:	15 ns
Gamyklinės pakuotės kiekis:	1000
Subkategorija:	Transistors
Technologijos:	SiC
Tipinė išjungimo vėlinimo trukmė:	32 ns
Tipinė įjungimo vėlinimo trukmė:	16 ns

Rasta produktų:

Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį

Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.

Pasirinkti atributai: 0

Filtruoti dokumentą:

Duomenų Lapas

SCTH60N120G2-7 Duomenų Lapas (PDF)

EOL

Product Discontinuation Notification 2025-8-8 (PDF)

PCN

Kad ši funkcija veiktų, reikia įjungti „JavaScript“.

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Silicon Carbide Power MOSFETs

STMicroelectronics Silicon Carbide Power MOSFETs bring wide bandgap materials' advanced efficiency and reliability to a broader range of energy-conscious applications. These applications include inverters for electric/hybrid vehicles, solar or wind power generation, high-efficiency drives, power supplies, and smart-grid equipment. An extended voltage range from 650V to 1700V features excellent switching performance combined with very low on-state resistance R_DS(on) per area Figure Of Merit. ST SiC MOSFETs allow the design of more efficient and compact systems. The STMicro 1200V SiC MOSFETs exhibit an outstanding temperature rating of 200°C for improved thermal design of power electronics systems. Compared to silicon MOSFET, SiC MOSFET also features significantly reduced switching losses with minimal variation versus the temperature.