+370 64003780

TTI specialistų šeimos dalis Susisiekite su „Mouser“ +370 64003780 Atsiliepimai

Prieinamumas

RoHS

Prisijungti
Esate naujas klientas? Pradėkite čia
Prisijungti
Esate naujas klientas? Pradėkite čia

Užsakymų istorija

Gam.	Mfr. #:	Kiekis	Išplėst. bendra suma

Peržiūrėti krepšelį

Atrodo, kad jūsų naršyklėje išjungtas "JavaScript". Kai kurios šio puslapio funkcijos neveiks, jei neprisijungsite.

Grįžti į Paieškos Rezultatus

Matote Klaidą?

GP3T016A120H

Name: SemiQ GP3T016A120H
Brand: SemiQ
SKU: 148-GP3T016A120H
Price: 11.02 EUR
Availability: OutOfStock

Vaizdai skirti tik iliustracijai
Žr. produkto specifikacijas

Mouser #:

148-GP3T016A120H

Mfr. #:

GP3T016A120H

Gam.:

SemiQ

Aprašymas:

SiC MOSFET Gen3 1200V, 16mohm SiC MOSFET, TO-247-4L

Eksploatacijos Laikotarpis:

Naujas Produktas:

Naujiena iš šio gamintojo.

Duomenų Lapas:

GP3T016A120H Duomenų Lapas (PDF)

ECAD modelis:

Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.

Daugiau informacijos

Sužinokite daugiau apie SemiQ GP3T016A120H

Prieinamumas

Turime sandėlyje:: Ne Sandėlyje Esantys

Įvyko netikėta klaida. Prašome pabandyti vėliau.
Gamintojo numatytas pristatymo laikas: 18 Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje.

Įvesti kiekį:

Min. 1 Užsakoma po 1

Vieneto kaina:

-,-- €

Plėt. Kaina:

-,-- €

Numatomas Įkainis:

Kainodara (EUR)

Qty.	Vieneto kaina	Plėt. Kaina
	11,02 €	11,02 €
	8,23 €	82,30 €
	7,11 €	853,20 €
	6,73 €	3 432,30 €
	5,72 €	5 834,40 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produkto Požymis	Atributo vertė	Pasirinkite Požymį
Gamintojas:	SemiQ
Gaminio kategorija:	SiC MOSFET
RoHS:
Montavimo stilius:	Through Hole
Pakuotė / Korpusas:	TO-247-4L
Tranzistoriaus poliškumas:	N-Channel
Kanalų skaičius:	1 Channel
Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa:	1.2 kV
svar. – nuolatinio išleidimo srovė:	350 A
RDS On - Drain-Source Varža:	23 mOhms
Vgs - užtūros-šaltinio įtampa:	- 4.5 V, + 18 V
Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa:	4 V
Qg – vartų krūvis:	260 nC
Minimali darbinė temperatūra:	- 55 C
Didžiausia darbinė temperatūra:	+ 175 C
Pd - skaidos galia:	484 W
Kanalas Mode:	Enhancement
Prekės Ženklas:	SemiQ
Configuration:	Single
Rudens laikas:	20 ns
Tiesioginis laidumas - min:	29 S
Pakavimas:	Tube
Gaminys:	MOSFETs
Gaminio tipas:	SiC MOSFETS
Kilimo Laikas:	25 ns
Serija:	GP3T
Gamyklinės pakuotės kiekis:	30
Subkategorija:	Transistors
Technologijos:	SiC
Tipas:	SiC MOSFET
Tipinė išjungimo vėlinimo trukmė:	65 ns
Tipinė įjungimo vėlinimo trukmė:	21 ns
Tranzistoriaus tipas:	1 N-Channel

Rasta produktų:

Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį

Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.

Pasirinkti atributai: 0

Filtruoti dokumentą:

Duomenų Lapas

GP3T016A120H Duomenų Lapas (PDF)

USHTS:: 8541100080
ECCN:: EAR99

GEN3 1200V SiC MOSFET diskretieji įrenginiai

SEMiQ GEN3 1200V SiC MOSFET Discrete Devices are third-generation SiC MOSFETs and are 20% smaller than SEMiQ’s second-generation SiC MOSFETs. These devices have been developed to increase performance and cut switching losses in high-voltage applications.