Atrodo, kad jūsų naršyklėje išjungtas "JavaScript". Kai kurios šio puslapio funkcijos neveiks, jei neprisijungsite.

GCMX008C120S1-E1

Name: SemiQ GCMX008C120S1-E1
Brand: SemiQ
SKU: 148-GCMX008C120S1-E1
Price: 30.01 EUR
Availability: OutOfStock

Vaizdai skirti tik iliustracijai
Žr. produkto specifikacijas

Mouser #:

148-GCMX008C120S1-E1

Mfr. #:

GCMX008C120S1-E1

Gam.:

SemiQ

Aprašymas:

MOSFET moduliai Gen3 1200V 8mohm SiC MOSFET Module, SOT-227

Eksploatacijos Laikotarpis:

Naujas Produktas:

Naujiena iš šio gamintojo.

Duomenų Lapas:

GCMX008C120S1-E1 Duomenų Lapas (PDF)

ECAD modelis:

Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.

Daugiau informacijos

Sužinokite daugiau apie SemiQ GCMX008C120S1-E1

Prieinamumas

Turime sandėlyje:: Ne Sandėlyje Esantys

Įvyko netikėta klaida. Prašome pabandyti vėliau.
Gamintojo numatytas pristatymo laikas: 8 Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje.

Įvesti kiekį:

Min. 1 Užsakoma po 1

Vieneto kaina:

-,-- €

Plėt. Kaina:

-,-- €

Numatomas Įkainis:

Kainodara (EUR)

Qty.	Vieneto kaina	Plėt. Kaina
	30,01 €	30,01 €
	25,59 €	255,90 €
	22,39 €	2 686,80 €
1 020	Pasiūlymas

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produkto Požymis	Atributo vertė	Pasirinkite Požymį
Gamintojas:	SemiQ
Gaminio kategorija:	MOSFET moduliai
RoHS:
Technologijos:	SiC
Montavimo stilius:	Screw Mount
Pakuotė / Korpusas:	SOT-227-4
Tranzistoriaus poliškumas:	N-Channel
Kanalų skaičius:	1 Channel
Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa:	1.2 kV
svar. – nuolatinio išleidimo srovė:	188 A
RDS On - Drain-Source Varža:	12 mOhms
Vgs - užtūros-šaltinio įtampa:	- 8 V, + 22 V
Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa:	4 V
Minimali darbinė temperatūra:	- 55 C
Didžiausia darbinė temperatūra:	+ 175 C
Pd - skaidos galia:	536 W
Serija:	GCMX
Pakavimas:	Tube
Prekės Ženklas:	SemiQ
Configuration:	Single
Rudens laikas:	28 ns
Aukštis:	12.19 mm
Ilgis:	38.1 mm
Gaminys:	Power Modules
Gaminio tipas:	MOSFET Modules
Kilimo Laikas:	36 ns
Gamyklinės pakuotės kiekis:	30
Subkategorija:	Discrete and Power Modules
Tipas:	MOSFET Power Module
Tipinė išjungimo vėlinimo trukmė:	89 ns
Tipinė įjungimo vėlinimo trukmė:	35 ns
Vf - tiesioginė įtampa:	3.8 V
Plotis:	25.3 mm

Rasta produktų:

Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį

Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.

Pasirinkti atributai: 0

Filtruoti dokumentą:

Duomenų Lapas

GCMX008C120S1-E1 Duomenų Lapas (PDF)

GEN3 1200V SiC MOSFET galios moduliai

SemiQ GEN3 1200V SiC MOSFET Power Modules with an isolated backplate are based on third-generation SiC technology and tested at over 1400V. These come in two versions, the GCMX series and the GCMS series. Both of these highly rugged and easy-mount devices provide smaller die sizes, faster switching speeds, and reduced losses. The lineup includes an overall drain-source on-resistance [R_DS(on)] range from 8.4mΩ to 80mΩ with a switching time as low as 67ns. The COPACK MOSFETs (GCMS) with a Schottky barrier diode offer exceptional switching losses at a high junction temperature due to the low turn-on switching losses. The SemiQ GEN3 1200V SiC MOSFET Power Modules feature a continuous operational and storage temperature of -55°C to +175°C. Target applications include solar inverters, energy storage systems (ESS), battery charging, and server power supplies.