|
|
GaN FET 650V, 480mohm GaN FET in 5x6 PQFN
- TP65H480G4JSG-TR
- Renesas Electronics
-
1:
1,75 €
-
1 675Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
227-TP65H480G4JSG-TR
|
Renesas Electronics
|
GaN FET 650V, 480mohm GaN FET in 5x6 PQFN
|
|
1 675Prieinamumas
|
|
|
1,75 €
|
|
|
1,02 €
|
|
|
0,755 €
|
|
|
0,60 €
|
|
|
0,566 €
|
|
|
0,481 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
4 000
|
|
|
|
|
GaN FET 280W GaN HEMT 48V 3400 to 3600MHz
- GTRA362802FC-V1-R0
- MACOM
-
1:
215,00 €
-
30Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
941-GTRA362802FCV1R0
|
MACOM
|
GaN FET 280W GaN HEMT 48V 3400 to 3600MHz
|
|
30Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
50
|
|
|
|
|
GaN FET GaN HEMT DC-6.0GHz, 30 Watt
- CGH27030S
- MACOM
-
1:
79,27 €
-
165Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
941-CGH27030S
|
MACOM
|
GaN FET GaN HEMT DC-6.0GHz, 30 Watt
|
|
165Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
250
|
|
|
|
|
RF Stiprintuvas DIE, MMIC, GaN, PA, 25W, 6.0-12.0GHz
- CMPA601C025D
- MACOM
-
1:
1 381,81 €
-
5Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
941-CMPA601C025D
|
MACOM
|
RF Stiprintuvas DIE, MMIC, GaN, PA, 25W, 6.0-12.0GHz
|
|
5Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
GaN FET GaN HEMT 50V 1.2-1.4GHz 600W
- GTVA126001EC-V1-R0
- MACOM
-
1:
968,91 €
-
9Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
941-GTVA126001ECV1R0
|
MACOM
|
GaN FET GaN HEMT 50V 1.2-1.4GHz 600W
|
|
9Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
50
|
|
|
|
|
GaN FET 300W GaN HEMT 48V 2496 to 2690MHz
- GTVA262711FA-V2-R0
- MACOM
-
1:
118,83 €
-
17Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
941-GTVA262711FAV2R0
|
MACOM
|
GaN FET 300W GaN HEMT 48V 2496 to 2690MHz
|
|
17Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
50
|
|
|
|
|
RF Stiprintuvas MMIC GaN HEMT, G28V4-1, 25W, 5.2-5.9 GHz
- CMPA5259025S
- MACOM
-
1:
551,09 €
-
12Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
941-CMPA5259025S
|
MACOM
|
RF Stiprintuvas MMIC GaN HEMT, G28V4-1, 25W, 5.2-5.9 GHz
|
|
12Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
GaN FET 480W GaN HEMT 48V 3800MHz
- GTRA384802FC-V1-R0
- MACOM
-
1:
258,00 €
-
50Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
941-GTRA384802FCV1R0
|
MACOM
|
GaN FET 480W GaN HEMT 48V 3800MHz
|
|
50Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
50
|
|
|
|
|
GaN FET 650V, 30mohm GaN FET in TOLL
- TP65H030G4PQS-TR
- Renesas Electronics
-
1:
8,49 €
-
376Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
227-TP65H030G4PQS-TR
Naujas Produktas
|
Renesas Electronics
|
GaN FET 650V, 30mohm GaN FET in TOLL
|
|
376Prieinamumas
|
|
|
8,49 €
|
|
|
5,86 €
|
|
|
4,06 €
|
|
|
4,06 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
2 000
|
|
|
|
|
GaN FET 650V, 30mohm GaN FET in TOLT
- TP65H030G4PRS-TR
- Renesas Electronics
-
1:
8,56 €
-
1 316Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
227-TP65H030G4PRS-TR
Naujas Produktas
|
Renesas Electronics
|
GaN FET 650V, 30mohm GaN FET in TOLT
|
|
1 316Prieinamumas
|
|
|
8,56 €
|
|
|
5,90 €
|
|
|
4,82 €
|
|
|
4,10 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
1 300
|
|
|
|
|
GaN FET 650V, 30mohm GaN FET in TO247-3L
- TP65H030G4PWS
- Renesas Electronics
-
1:
8,68 €
-
1 439Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
227-TP65H030G4PWS
Naujas Produktas
|
Renesas Electronics
|
GaN FET 650V, 30mohm GaN FET in TO247-3L
|
|
1 439Prieinamumas
|
|
|
8,68 €
|
|
|
5,19 €
|
|
|
4,21 €
|
|
|
4,20 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
GaN FET 700 V, 53 mOhm typ., 26 A, e-mode PowerGaN transistor
- SGT070R70HTO
- STMicroelectronics
-
1:
6,71 €
-
356Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
511-SGT070R70HTO
Naujas Produktas
|
STMicroelectronics
|
GaN FET 700 V, 53 mOhm typ., 26 A, e-mode PowerGaN transistor
|
|
356Prieinamumas
|
|
|
6,71 €
|
|
|
4,81 €
|
|
|
4,20 €
|
|
|
4,08 €
|
|
|
3,90 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
1 800
|
|
|
|
|
RF Stiprintuvas 1-22GHz 15W PA
- ADPA1112AEJZ
- Analog Devices
-
1:
1 017,49 €
-
8Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
584-ADPA1112AEJZ
Naujas Produktas
|
Analog Devices
|
RF Stiprintuvas 1-22GHz 15W PA
|
|
8Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
GaN FET 100 V eGaN FET, 5.2 mohm Rdson, 2.3 mm x 1.45 mm, Cu pillar CSP
- EPC2090
- EPC
-
1:
3,36 €
-
1 926Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
65-EPC2090
Naujas Produktas
|
EPC
|
GaN FET 100 V eGaN FET, 5.2 mohm Rdson, 2.3 mm x 1.45 mm, Cu pillar CSP
|
|
1 926Prieinamumas
|
|
|
3,36 €
|
|
|
2,21 €
|
|
|
1,55 €
|
|
|
1,38 €
|
|
|
1,32 €
|
|
|
1,17 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
2 500
|
|
|
|
|
GaN FET 100 V eGaN FET, 2 mohm Rdson, 3.23 mm x 2.88 mm, Cu pillar CSP
- EPC2091
- EPC
-
1:
7,81 €
-
800Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
65-EPC2091
Naujas Produktas
|
EPC
|
GaN FET 100 V eGaN FET, 2 mohm Rdson, 3.23 mm x 2.88 mm, Cu pillar CSP
|
|
800Prieinamumas
|
|
|
7,81 €
|
|
|
5,36 €
|
|
|
4,28 €
|
|
|
3,64 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
1 000
|
|
|
|
|
GaN FET CoolGaN Transistor 700 V G5
- IGD70R140D2SAUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
2,38 €
-
1 917Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IGD70R140D2SAUMA
Naujas Produktas
|
Infineon Technologies
|
GaN FET CoolGaN Transistor 700 V G5
|
|
1 917Prieinamumas
|
|
|
2,38 €
|
|
|
1,54 €
|
|
|
1,06 €
|
|
|
0,852 €
|
|
|
0,743 €
|
|
|
Peržiūrėti
|
|
|
0,811 €
|
|
|
0,703 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
2 500
|
|
|
|
|
GaN FET CoolGaN Transistor 700 V G5
- IGD70R500D2SAUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
1,50 €
-
3 660Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IGD70R500D2SAUMA
Naujas Produktas
|
Infineon Technologies
|
GaN FET CoolGaN Transistor 700 V G5
|
|
3 660Prieinamumas
|
|
|
1,50 €
|
|
|
0,955 €
|
|
|
0,637 €
|
|
|
0,536 €
|
|
|
0,413 €
|
|
|
Peržiūrėti
|
|
|
0,47 €
|
|
|
0,387 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
2 500
|
|
|
|
|
Gate Tvarkyklės 140 mohm / 600 V GaN transistor in half-bridge configuration with integrated level-shift gate driver and bootstrap diode
- IGI60L1414B1MXUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
6,61 €
-
2 352Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IGI60L1414B1MXUM
Naujas Produktas
|
Infineon Technologies
|
Gate Tvarkyklės 140 mohm / 600 V GaN transistor in half-bridge configuration with integrated level-shift gate driver and bootstrap diode
|
|
2 352Prieinamumas
|
|
|
6,61 €
|
|
|
4,50 €
|
|
|
3,43 €
|
|
|
2,91 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
3 000
|
|
|
|
|
Gate Tvarkyklės 270 mohm / 600 V GaN transistor in half-bridge configuration with integrated level-shift gate driver and bootstrap diode
- IGI60L2727B1MXUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
3,99 €
-
2 392Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IGI60L2727B1MXUM
Naujas Produktas
|
Infineon Technologies
|
Gate Tvarkyklės 270 mohm / 600 V GaN transistor in half-bridge configuration with integrated level-shift gate driver and bootstrap diode
|
|
2 392Prieinamumas
|
|
|
3,99 €
|
|
|
3,04 €
|
|
|
2,80 €
|
|
|
2,54 €
|
|
|
Peržiūrėti
|
|
|
2,18 €
|
|
|
2,41 €
|
|
|
2,34 €
|
|
|
2,27 €
|
|
|
2,18 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
3 000
|
|
|
|
|
Gate Tvarkyklės 500 mohm / 600 V GaN transistor in half-bridge configuration with integrated level-shift gate driver and bootstrap diode
- IGI60L5050B1MXUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
3,13 €
-
2 100Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IGI60L5050B1MXUM
Naujas Produktas
|
Infineon Technologies
|
Gate Tvarkyklės 500 mohm / 600 V GaN transistor in half-bridge configuration with integrated level-shift gate driver and bootstrap diode
|
|
2 100Prieinamumas
|
|
|
3,13 €
|
|
|
2,37 €
|
|
|
2,17 €
|
|
|
1,96 €
|
|
|
Peržiūrėti
|
|
|
1,61 €
|
|
|
1,86 €
|
|
|
1,80 €
|
|
|
1,75 €
|
|
|
1,61 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
3 000
|
|
|
|
|
GaN FET Two 140 mohm / 650 V GaN transistors in half-bridge configuration
- IGI65D1414A3MSXUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
6,10 €
-
2 678Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IGI65D1414A3MSXU
Naujas Produktas
|
Infineon Technologies
|
GaN FET Two 140 mohm / 650 V GaN transistors in half-bridge configuration
|
|
2 678Prieinamumas
|
|
|
6,10 €
|
|
|
4,12 €
|
|
|
3,07 €
|
|
|
2,92 €
|
|
|
2,61 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
3 000
|
|
|
|
|
GaN FET CoolGaN Bidirectional Switch
- IGK048B041SXTSA1
- Infineon Technologies
-
1:
1,15 €
-
2 797Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IGK048B041SXTSA1
Naujas Produktas
|
Infineon Technologies
|
GaN FET CoolGaN Bidirectional Switch
|
|
2 797Prieinamumas
|
|
|
1,15 €
|
|
|
0,76 €
|
|
|
0,632 €
|
|
|
0,607 €
|
|
|
Peržiūrėti
|
|
|
0,524 €
|
|
|
0,587 €
|
|
|
0,524 €
|
|
|
0,524 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
4 000
|
|
|
|
|
GaN FET GaN FET 650V, 14.5A, 130m, Pd 91W
- GNP2130TEC-ZE2
- ROHM Semiconductor
-
1:
6,42 €
-
2 941Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
755-GNP2130TEC-ZE2
Naujas Produktas
|
ROHM Semiconductor
|
GaN FET GaN FET 650V, 14.5A, 130m, Pd 91W
|
|
2 941Prieinamumas
|
|
|
6,42 €
|
|
|
4,34 €
|
|
|
3,29 €
|
|
|
2,98 €
|
|
|
2,80 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
3 500
|
|
|
|
|
Kintamosios srovės / nuolatinės srovės keitikliai 20 W (85-580 VAC)
- INN3624C-H606-TL
- Power Integrations
-
1:
1,76 €
-
1 316Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
869-INN3624C-H606-TL
Naujas Produktas
|
Power Integrations
|
Kintamosios srovės / nuolatinės srovės keitikliai 20 W (85-580 VAC)
|
|
1 316Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
2 000
|
|
|
|
|
Kintamosios srovės / nuolatinės srovės keitikliai 35 W (85-580 VAC)
- INN3626C-H606-TL
- Power Integrations
-
1:
2,62 €
-
1 393Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
869-INN3626C-H606-TL
Naujas Produktas
|
Power Integrations
|
Kintamosios srovės / nuolatinės srovės keitikliai 35 W (85-580 VAC)
|
|
1 393Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
2 000
|
|
|