GaN Puslaidininkiai

Rezultatai: 813
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr. Gam. Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu. Qty. RoHS
Renesas Electronics GaN FET 650V, 480mohm GaN FET in 5x6 PQFN 1 675Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 4 000

MACOM GaN FET 280W GaN HEMT 48V 3400 to 3600MHz
30Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 50

MACOM GaN FET GaN HEMT DC-6.0GHz, 30 Watt 165Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 250

MACOM RF Stiprintuvas DIE, MMIC, GaN, PA, 25W, 6.0-12.0GHz
5Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1


MACOM GaN FET GaN HEMT 50V 1.2-1.4GHz 600W 9Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 50

MACOM GaN FET 300W GaN HEMT 48V 2496 to 2690MHz 17Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 50

MACOM RF Stiprintuvas MMIC GaN HEMT, G28V4-1, 25W, 5.2-5.9 GHz
12Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

MACOM GaN FET 480W GaN HEMT 48V 3800MHz
50Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 50

Renesas Electronics GaN FET 650V, 30mohm GaN FET in TOLL 376Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 000

Renesas Electronics GaN FET 650V, 30mohm GaN FET in TOLT 1 316Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 1 300

Renesas Electronics GaN FET 650V, 30mohm GaN FET in TO247-3L 1 439Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

STMicroelectronics GaN FET 700 V, 53 mOhm typ., 26 A, e-mode PowerGaN transistor 356Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 1 800

Analog Devices RF Stiprintuvas 1-22GHz 15W PA
8Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

EPC GaN FET 100 V eGaN FET, 5.2 mohm Rdson, 2.3 mm x 1.45 mm, Cu pillar CSP 1 926Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 500

EPC GaN FET 100 V eGaN FET, 2 mohm Rdson, 3.23 mm x 2.88 mm, Cu pillar CSP 800Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 1 000

Infineon Technologies GaN FET CoolGaN Transistor 700 V G5 1 917Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 500

Infineon Technologies GaN FET CoolGaN Transistor 700 V G5 3 660Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 500

Infineon Technologies Gate Tvarkyklės 140 mohm / 600 V GaN transistor in half-bridge configuration with integrated level-shift gate driver and bootstrap diode 2 352Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 3 000

Infineon Technologies Gate Tvarkyklės 270 mohm / 600 V GaN transistor in half-bridge configuration with integrated level-shift gate driver and bootstrap diode 2 392Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 3 000

Infineon Technologies Gate Tvarkyklės 500 mohm / 600 V GaN transistor in half-bridge configuration with integrated level-shift gate driver and bootstrap diode 2 100Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 3 000

Infineon Technologies GaN FET Two 140 mohm / 650 V GaN transistors in half-bridge configuration 2 678Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 3 000

Infineon Technologies GaN FET CoolGaN Bidirectional Switch 2 797Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 4 000
ROHM Semiconductor GaN FET GaN FET 650V, 14.5A, 130m, Pd 91W 2 941Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 3 500
Power Integrations Kintamosios srovės / nuolatinės srovės keitikliai 20 W (85-580 VAC) 1 316Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 000

Power Integrations Kintamosios srovės / nuolatinės srovės keitikliai 35 W (85-580 VAC) 1 393Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 000