|
|
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V, 60 mohm G2
- IMW65R060M2HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
6,98 €
-
302Prieinamumas
-
480Tikėtina 2026-08-13
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMW65R060M2HXKSA
Naujas Produktas
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V, 60 mohm G2
|
|
302Prieinamumas
480Tikėtina 2026-08-13
|
|
|
6,98 €
|
|
|
4,04 €
|
|
|
3,39 €
|
|
|
3,18 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
SiC MOSFETS
|
SiC
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
|
|
|
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V, 10 mohm G2
- IMZA65R010M2HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
20,59 €
-
10Prieinamumas
-
720Tikėtina 2027-04-15
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMZA65R010M2HXKS
Naujas Produktas
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V, 10 mohm G2
|
|
10Prieinamumas
720Tikėtina 2027-04-15
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
SiC MOSFETS
|
SiC
|
Through Hole
|
TO-247-4
|
|
|
|
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V, 26 mohm G2
- IMZA65R026M2HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
12,99 €
-
21Prieinamumas
-
720Pagal užsakymą
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMZA65R026M2HXKS
Naujas Produktas
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V, 26 mohm G2
|
|
21Prieinamumas
720Pagal užsakymą
Turime sandėlyje:
21 Galime išsiųsti iš karto
Pagal užsakymą:
240 Tikėtina 2026-09-10
480 Tikėtina 2026-09-17
Gamintojo numatytas pristatymo laikas
52 Savaičių
|
|
|
12,99 €
|
|
|
9,90 €
|
|
|
8,25 €
|
|
|
7,34 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
SiC MOSFETS
|
SiC
|
Through Hole
|
TO-247-4
|
|
|
|
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V, 60 mohm G2
- IMZA65R060M2HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
7,23 €
-
124Prieinamumas
-
240Tikėtina 2026-12-31
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMZA65R060M2HXKS
Naujas Produktas
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V, 60 mohm G2
|
|
124Prieinamumas
240Tikėtina 2026-12-31
|
|
|
7,23 €
|
|
|
4,85 €
|
|
|
4,12 €
|
|
|
3,28 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
SiC MOSFETS
|
SiC
|
Through Hole
|
TO-247-4
|
|
|
|
SiC MOSFET NSF030120D7A0-Q/SOT8070/TO263-
- NSF030120D7A0-QJ
- Nexperia
-
1:
10,28 €
-
660Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
771-NSF030120D7A0-QJ
Naujas Produktas
|
Nexperia
|
SiC MOSFET NSF030120D7A0-Q/SOT8070/TO263-
|
|
660Prieinamumas
|
|
|
10,28 €
|
|
|
7,12 €
|
|
|
5,33 €
|
|
|
5,25 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
800
|
|
SiC MOSFETS
|
SiC
|
SMD/SMT
|
TO-263-7
|
|
|
|
SiC MOSFET NSF040120D7A1-Q/SOT8070/TO263-
- NSF040120D7A1-QJ
- Nexperia
-
1:
9,39 €
-
800Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
771-NSF040120D7A1-QJ
Naujas Produktas
|
Nexperia
|
SiC MOSFET NSF040120D7A1-Q/SOT8070/TO263-
|
|
800Prieinamumas
|
|
|
9,39 €
|
|
|
6,48 €
|
|
|
5,53 €
|
|
|
4,68 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
800
|
|
SiC MOSFETS
|
SiC
|
SMD/SMT
|
TO-263-7
|
|
|
|
SiC MOSFET NSF040120D7A1/SOT8070/TO263-7L
- NSF040120D7A1J
- Nexperia
-
1:
9,04 €
-
795Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
771-NSF040120D7A1J
Naujas Produktas
|
Nexperia
|
SiC MOSFET NSF040120D7A1/SOT8070/TO263-7L
|
|
795Prieinamumas
|
|
|
9,04 €
|
|
|
6,23 €
|
|
|
5,01 €
|
|
|
4,45 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
800
|
|
SiC MOSFETS
|
SiC
|
SMD/SMT
|
TO-263-7
|
|
|
|
SiC MOSFET 18A,1200V Through-Hole MOSFET N-Channel SiC
- CDMS24783-120 SL
- Central Semiconductor
-
1:
24,62 €
-
40Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
610-CDM24783120SL
Naujas Produktas
|
Central Semiconductor
|
SiC MOSFET 18A,1200V Through-Hole MOSFET N-Channel SiC
|
|
40Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
SiC MOSFETS
|
SiC
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
|
|
|
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package
- IMCQ120R034M2HXTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
11,04 €
-
23Prieinamumas
-
1 500Pagal užsakymą
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMCQ120R034M2HXT
Naujas Produktas
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package
|
|
23Prieinamumas
1 500Pagal užsakymą
Turime sandėlyje:
23 Galime išsiųsti iš karto
Pagal užsakymą:
750 Tikėtina 2026-10-22
750 Tikėtina 2026-10-29
Gamintojo numatytas pristatymo laikas
40 Savaičių
|
|
|
11,04 €
|
|
|
8,23 €
|
|
|
6,85 €
|
|
|
6,11 €
|
|
|
5,71 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
750
|
|
SiC MOSFETS
|
SiC
|
SMD/SMT
|
PG-HDSOP-22-U03
|
|
|
|
SiC MOSFET NSF040120L4A1/SOT8071/TO247-4L
- NSF040120L4A1Q
- Nexperia
-
1:
9,16 €
-
20Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
771-NSF040120L4A1Q
Naujas Produktas
|
Nexperia
|
SiC MOSFET NSF040120L4A1/SOT8071/TO247-4L
|
|
20Prieinamumas
|
|
|
9,16 €
|
|
|
6,33 €
|
|
|
6,33 €
|
|
|
4,95 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
30
|
|
SiC MOSFETS
|
Si
|
Through Hole
|
TO-247-4
|
|
|
|
SiC MOSFET 1700V 160mohm TO-247-3 G3R SiC MOSFET
- G3R160MT17D
- GeneSiC Semiconductor
-
1:
10,52 €
-
415Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
905-G3R160MT17D
|
GeneSiC Semiconductor
|
SiC MOSFET 1700V 160mohm TO-247-3 G3R SiC MOSFET
|
|
415Prieinamumas
|
|
|
10,52 €
|
|
|
9,51 €
|
|
|
9,14 €
|
|
|
8,63 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
SiC MOSFETS
|
SiC
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
|
|
|
SiC MOSFET 1200V 30mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET
- G3R30MT12K
- GeneSiC Semiconductor
-
1:
19,38 €
-
289Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
905-G3R30MT12K
|
GeneSiC Semiconductor
|
SiC MOSFET 1200V 30mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET
|
|
289Prieinamumas
|
|
|
19,38 €
|
|
|
17,80 €
|
|
|
17,21 €
|
|
|
16,78 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
SiC MOSFETS
|
SiC
|
Through Hole
|
TO-247-4
|
|
|
|
SiC MOSFET 1700V 45mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET
- G3R45MT17K
- GeneSiC Semiconductor
-
1:
28,44 €
-
144Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
905-G3R45MT17K
|
GeneSiC Semiconductor
|
SiC MOSFET 1700V 45mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET
|
|
144Prieinamumas
|
|
|
28,44 €
|
|
|
26,09 €
|
|
|
25,38 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
SiC MOSFETS
|
SiC
|
Through Hole
|
TO-247-4
|
|
|
|
SiC MOSFET 1700V 20mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET
- G3R20MT17K
- GeneSiC Semiconductor
-
1:
92,19 €
-
5Prieinamumas
-
150Tikėtina 2026-10-21
|
„Mouser“ Dalies Nr.
905-G3R20MT17K
|
GeneSiC Semiconductor
|
SiC MOSFET 1700V 20mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET
|
|
5Prieinamumas
150Tikėtina 2026-10-21
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
SiC MOSFETS
|
SiC
|
Through Hole
|
TO-247-4
|
|
|
|
SiC MOSFET Leverages switching performance while enabling the benefits of top-side cooling
- IMLT65R026M2HXTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
10,15 €
-
4 396Tikėtina 2026-10-01
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMLT65R026M2HXTM
Naujas Produktas
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET Leverages switching performance while enabling the benefits of top-side cooling
|
|
4 396Tikėtina 2026-10-01
|
|
|
10,15 €
|
|
|
7,03 €
|
|
|
5,51 €
|
|
|
5,21 €
|
|
|
5,21 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
1 800
|
|
SiC MOSFETS
|
SiC
|
SMD/SMT
|
|
|
|
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
- IMT65R015M2HXUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
16,91 €
-
4 000Pagal užsakymą
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMT65R015M2HXUMA
Naujas Produktas
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
4 000Pagal užsakymą
Pagal užsakymą:
2 000 Tikėtina 2027-02-11
2 000 Tikėtina 2027-02-25
Gamintojo numatytas pristatymo laikas
52 Savaičių
|
|
|
16,91 €
|
|
|
12,87 €
|
|
|
10,72 €
|
|
|
9,56 €
|
|
|
8,94 €
|
|
|
8,94 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
2 000
|
|
SiC MOSFETS
|
SiC
|
SMD/SMT
|
HSOF-8
|
|
|
|
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V, 33 mohm G2
- IMZA65R033M2HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
10,34 €
-
6 480Pagal užsakymą
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMZA65R033M2HXKS
Naujas Produktas
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V, 33 mohm G2
|
|
6 480Pagal užsakymą
Pagal užsakymą:
2 880 Tikėtina 2027-04-15
2 880 Tikėtina 2027-05-27
720 Tikėtina 2027-05-31
Gamintojo numatytas pristatymo laikas
52 Savaičių
|
|
|
10,34 €
|
|
|
7,48 €
|
|
|
6,24 €
|
|
|
5,55 €
|
|
|
5,25 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
SiC MOSFETS
|
SiC
|
Through Hole
|
TO-247-4
|
|
|
|
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 40 mohm G2
- IMZC120R040M2HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
10,27 €
-
1 992Pagal užsakymą
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMZC120R040M2HXK
Naujas Produktas
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 40 mohm G2
|
|
1 992Pagal užsakymą
Pagal užsakymą:
552 Tikėtina 2026-07-23
480 Tikėtina 2026-07-30
240 Tikėtina 2027-04-22
240 Tikėtina 2027-05-06
480 Tikėtina 2027-05-13
Gamintojo numatytas pristatymo laikas
40 Savaičių
|
|
|
10,27 €
|
|
|
6,13 €
|
|
|
5,29 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
SiC MOSFETS
|
SiC
|
Through Hole
|
TO-247-4
|
|
|
|
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 78 mohm G2
- IMZC120R078M2HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
7,76 €
-
480Pagal užsakymą
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMZC120R078M2HXK
Naujas Produktas
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 78 mohm G2
|
|
480Pagal užsakymą
|
|
|
7,76 €
|
|
|
4,53 €
|
|
|
3,82 €
|
|
|
3,78 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
SiC MOSFETS
|
SiC
|
Through Hole
|
TO-247-4
|
|
|
|
SiC MOSFET CoolSiC 1400 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET
- IMZC140R011M2HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
27,36 €
-
240Tikėtina 2026-08-06
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMZC140R011M2HXK
Naujas Produktas
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET CoolSiC 1400 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET
|
|
240Tikėtina 2026-08-06
|
|
|
27,36 €
|
|
|
21,90 €
|
|
|
18,95 €
|
|
|
18,95 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
240
|
|
SiC MOSFETS
|
SiC
|
Through Hole
|
PG-TO247-4
|
|
|
|
SiC MOSFET 1200V 40mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET
- G3R40MT12K
- GeneSiC Semiconductor
-
1:
15,20 €
-
600Tikėtina 2026-08-17
|
„Mouser“ Dalies Nr.
905-G3R40MT12K
|
GeneSiC Semiconductor
|
SiC MOSFET 1200V 40mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET
|
|
600Tikėtina 2026-08-17
|
|
|
15,20 €
|
|
|
13,88 €
|
|
|
13,39 €
|
|
|
12,90 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
SiC MOSFETS
|
SiC
|
Through Hole
|
TO-247-4
|
|
|
|
SiC MOSFET 1700V 450mohm TO-247-3 G3R SiC MOSFET
- G3R450MT17D
- GeneSiC Semiconductor
-
1:
6,20 €
-
1 740Tikėtina 2026-10-09
|
„Mouser“ Dalies Nr.
905-G3R450MT17D
|
GeneSiC Semiconductor
|
SiC MOSFET 1700V 450mohm TO-247-3 G3R SiC MOSFET
|
|
1 740Tikėtina 2026-10-09
|
|
|
6,20 €
|
|
|
5,57 €
|
|
|
5,34 €
|
|
|
5,01 €
|
|
|
4,80 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
SiC MOSFETS
|
SiC
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
|
|
|
MOSFET moduliai Gen3 1200V 8mohm SiC MOSFET & SBD Module, SOT-227
- GCMS008C120S1-E1
- SemiQ
-
1:
50,23 €
-
Ne Sandėlyje Esantys
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
148-GCMS008C120S1-E1
Naujas Produktas
|
SemiQ
|
MOSFET moduliai Gen3 1200V 8mohm SiC MOSFET & SBD Module, SOT-227
|
|
Ne Sandėlyje Esantys
|
|
|
50,23 €
|
|
|
42,85 €
|
|
|
35,35 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
MOSFET Modules
|
SiC
|
Screw Mount
|
SOT-227-4
|
|
|
|
SiC MOSFET Gen3 1200V, 16mohm SiC MOSFET, TO-247-4L
- GP3T016A120H
- SemiQ
-
1:
11,84 €
-
Ne Sandėlyje Esantys
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
148-GP3T016A120H
Naujas Produktas
|
SemiQ
|
SiC MOSFET Gen3 1200V, 16mohm SiC MOSFET, TO-247-4L
|
|
Ne Sandėlyje Esantys
|
|
|
11,84 €
|
|
|
8,27 €
|
|
|
6,30 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
SiC MOSFETS
|
SiC
|
Through Hole
|
TO-247-4L
|
|
|
|
SiC MOSFET NSF017120T1A0/SOT8114/QDPAK
- NSF017120T1A0HP
- Nexperia
-
3 000:
9,48 €
-
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 14 Savaičių
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
771-NSF017120T1A0HP
Naujas Produktas
|
Nexperia
|
SiC MOSFET NSF017120T1A0/SOT8114/QDPAK
|
|
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 14 Savaičių
|
|
Min.: 3 000
Daugkart.: 3 000
:
3 000
|
|
SiC MOSFETS
|
SiC
|
SMD/SMT
|
QDPAK-22
|
|