TO-3P-3 Diskretieji Puslaidininkiai

Diskrečiųjų puslaidininkių tipai

Pakeisti kategorijos rodinį
Rezultatai: 138
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr. Gam. Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu. Qty. RoHS Gaminio tipas Technologijos Montavimo stilius Pakuotė / Korpusas
IXYS MOSFETs 22.0 Amps 600 V 0.33 Ohm Rds 68Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS MOSFETs 26.0 Amps 500 V 0.23 Ohm Rds 232Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS MOSFETs 36 Amps 300V 0.11 Rds 376Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS MOSFETs PolarP2 Power MOSFET 130Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS MOSFETs 50 Amps 200V 0.06 Rds 216Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS MOSFETs 52 Amps 300V 0.066 Ohm Rds 268Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS MOSFETs TO3P 200V 60A N-CH TRENCH 274Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3


Toshiba Dvipoliai tranzistoriai – BJT NPN PWR Amp Trans 18A 35A 180W 160V 25Prieinamumas
500Pagal užsakymą
Min.: 1
Daugkart.: 1

BJTs - Bipolar Transistors Si Through Hole TO-3P-3
onsemi Dvipoliai tranzistoriai – BJT 200W NPN 679Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 60

BJTs - Bipolar Transistors Si Through Hole TO-3P-3
Toshiba Dvipoliai tranzistoriai – BJT PNP 230V 15A 280Prieinamumas
5 000Pagal užsakymą
Min.: 1
Daugkart.: 1

BJTs - Bipolar Transistors Si Through Hole TO-3P-3
IXYS MOSFETs 120 Amps 150V 0.016 Rds 12Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
WeEn Semiconductors Lygintuvai Dual ultrafast power diode 474Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Rectifiers Through Hole TO-3P-3
IXYS MOSFETs 30 Amps 600V
305Tikėtina 2026-06-22
Min.: 1
Daugkart.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS MOSFETs 40 Amps 500V
300Tikėtina 2027-01-25
Min.: 1
Daugkart.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
onsemi Dvipoliai tranzistoriai – BJT 200 W BETA AUDIO
3 021Tikėtina 2027-01-15
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 40

BJTs - Bipolar Transistors Si Through Hole TO-3P-3
IXYS SCR Power Thyristor Discretes-SCR TO-3P (3)
26Tikėtina 2027-03-19
Min.: 1
Daugkart.: 1

SCRs Through Hole TO-3P-3
STMicroelectronics SCR 50 Amp 800 Volt Vykdymo Laikas 16 Savaičių
Min.: 1
Daugkart.: 1

SCRs Through Hole TO-3P-3
IXYS Mažų signalų perjungimo diodai 20 Amps 600V Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 1
Daugkart.: 1

Diodes - General Purpose, Power, Switching Through Hole TO-3P-3
IXYS Mažų signalų perjungimo diodai 60 Amps 400V Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 30 Savaičių
Min.: 1
Daugkart.: 1

Diodes - General Purpose, Power, Switching Through Hole TO-3P-3
IXYS MOSFETs 600V 22A 0.36Ohm PolarP3 Power MOSFET Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 30 Savaičių
Min.: 300
Daugkart.: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS MOSFETs DiscMSFT NCh UltrJnctn XClass TO-3P (3) Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 1
Daugkart.: 1
MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS MOSFETs 600V 28A 0.26Ohm PolarP3 Power MOSFET Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 30 Savaičių
Min.: 300
Daugkart.: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS MOSFETs DiscMSFT NCh UltrJnctn XClass TO-3P (3) Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 1
Daugkart.: 1
MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS MOSFETs Polar3 HiPerFET Power MOSFET Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 30 Savaičių
Min.: 300
Daugkart.: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS MOSFETs N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 27 Savaičių
Min.: 300
Daugkart.: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3