|
|
IGBT Trench gate field-stop 600 V, 30 A high speed HB series IGBT
- STGWT30H60DFB
- STMicroelectronics
-
1:
2,54 €
-
712Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
511-STGWT30H60DFB
|
STMicroelectronics
|
IGBT Trench gate field-stop 600 V, 30 A high speed HB series IGBT
|
|
712Prieinamumas
|
|
|
2,54 €
|
|
|
1,37 €
|
|
|
1,24 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
IGBT Transistors
|
Si
|
Through Hole
|
TO-3P
|
|
|
|
MOSFETs PLN MOS 900V 1300m (VGS=10V) TO-3PN
- TK9J90E,S1E
- Toshiba
-
1:
3,42 €
-
2 986Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
757-TK9J90ES1E
|
Toshiba
|
MOSFETs PLN MOS 900V 1300m (VGS=10V) TO-3PN
|
|
2 986Prieinamumas
|
|
|
3,42 €
|
|
|
1,94 €
|
|
|
1,58 €
|
|
|
1,38 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-3P
|
|
|
|
TRIAC 25A High Volt Triac 1200V 150mA IGT
- TPDV1225RG
- STMicroelectronics
-
1:
8,94 €
-
555Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
511-TPDV1225
|
STMicroelectronics
|
TRIAC 25A High Volt Triac 1200V 150mA IGT
|
|
555Prieinamumas
|
|
|
8,94 €
|
|
|
5,34 €
|
|
|
4,79 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
Triacs
|
|
Through Hole
|
TO-3P
|
|
|
|
TRIAC 40 A 1200 Volt
- TPDV1240RG
- STMicroelectronics
-
1:
9,53 €
-
540Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
511-TPDV1240
|
STMicroelectronics
|
TRIAC 40 A 1200 Volt
|
|
540Prieinamumas
|
|
|
9,53 €
|
|
|
6,25 €
|
|
|
5,80 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
Triacs
|
|
Through Hole
|
TO-3P
|
|
|
|
IGBT Trench gate field-stop 650 V, 20 A high speed HB series IGBT
- STGWT20H65FB
- STMicroelectronics
-
1:
2,92 €
-
464Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
511-STGWT20H65FB
|
STMicroelectronics
|
IGBT Trench gate field-stop 650 V, 20 A high speed HB series IGBT
|
|
464Prieinamumas
|
|
|
2,92 €
|
|
|
1,62 €
|
|
|
1,10 €
|
|
|
1,01 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
IGBT Transistors
|
Si
|
Through Hole
|
TO-3P
|
|
|
|
IGBT 1250V 20A trench gte field-stop IGBT
- STGWT20IH125DF
- STMicroelectronics
-
1:
3,07 €
-
613Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
511-STGWT20IH125DF
|
STMicroelectronics
|
IGBT 1250V 20A trench gte field-stop IGBT
|
|
613Prieinamumas
|
|
|
3,07 €
|
|
|
2,01 €
|
|
|
1,41 €
|
|
|
1,32 €
|
|
|
1,14 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
IGBT Transistors
|
Si
|
Through Hole
|
TO-3P
|
|
|
|
IGBT 650V 60A HSpd trench gate field-stop IGBT
- STGWT60H65DFB
- STMicroelectronics
-
1:
4,10 €
-
287Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
511-STGWT60H65DFB
|
STMicroelectronics
|
IGBT 650V 60A HSpd trench gate field-stop IGBT
|
|
287Prieinamumas
|
|
|
4,10 €
|
|
|
2,20 €
|
|
|
1,88 €
|
|
|
1,69 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
IGBT Transistors
|
Si
|
Through Hole
|
TO-3P
|
|
|
|
MOSFETs TO3P 250V 120A N-CH X3CLASS
- IXFQ120N25X3
- IXYS
-
1:
12,08 €
-
10Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
747-IXFQ120N25X3
|
IXYS
|
MOSFETs TO3P 250V 120A N-CH X3CLASS
|
|
10Prieinamumas
|
|
|
12,08 €
|
|
|
8,29 €
|
|
|
7,35 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-3P
|
|
|
|
SCHOTTKY Diodes ir Lygintuvai 120 Amps 150V
- DSA120C150QB
- Littelfuse
-
1:
6,86 €
-
1 770Tikėtina 2026-09-29
|
„Mouser“ Dalies Nr.
747-DSA120C150QB
|
Littelfuse
|
SCHOTTKY Diodes ir Lygintuvai 120 Amps 150V
|
|
1 770Tikėtina 2026-09-29
|
|
|
6,86 €
|
|
|
5,28 €
|
|
|
4,31 €
|
|
|
3,96 €
|
|
|
3,78 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
Schottky Diodes & Rectifiers
|
Si
|
Through Hole
|
TO-3P
|
|
|
|
IGBT 650V 60A HSpd trench gate field-stop IGB
- STGWT60H65FB
- STMicroelectronics
-
1:
3,72 €
-
199Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
511-STGWT60H65FB
|
STMicroelectronics
|
IGBT 650V 60A HSpd trench gate field-stop IGB
|
|
199Prieinamumas
|
|
|
3,72 €
|
|
|
2,37 €
|
|
|
1,92 €
|
|
|
1,64 €
|
|
|
1,55 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
IGBT Transistors
|
Si
|
Through Hole
|
TO-3P
|
|
|
|
IGBT Trench gate H series 650V 80A HiSpd
- STGWT80H65DFB
- STMicroelectronics
-
1:
5,98 €
-
300Tikėtina 2026-05-25
|
„Mouser“ Dalies Nr.
511-STGWT80H65DFB
|
STMicroelectronics
|
IGBT Trench gate H series 650V 80A HiSpd
|
|
300Tikėtina 2026-05-25
|
|
|
5,98 €
|
|
|
3,44 €
|
|
|
2,83 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
IGBT Transistors
|
Si
|
Through Hole
|
TO-3P
|
|
|
|
IGBT 650V 40A HSpd trench gate field-stop IGB
- STGWT40H65DFB
- STMicroelectronics
-
1:
3,85 €
-
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 14 Savaičių
|
„Mouser“ Dalies Nr.
511-STGWT40H65DFB
|
STMicroelectronics
|
IGBT 650V 40A HSpd trench gate field-stop IGB
|
|
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 14 Savaičių
|
|
|
3,85 €
|
|
|
2,14 €
|
|
|
1,55 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
IGBT Transistors
|
Si
|
Through Hole
|
TO-3P
|
|
|
|
SCHOTTKY Diodes ir Lygintuvai 50 Amps 100V
- DSA50C100QB
- Littelfuse
-
1 800:
2,10 €
-
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 18 Savaičių
|
„Mouser“ Dalies Nr.
747-DSA50C100QB
|
Littelfuse
|
SCHOTTKY Diodes ir Lygintuvai 50 Amps 100V
|
|
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 18 Savaičių
|
|
Min.: 1 800
Daugkart.: 30
|
|
Schottky Diodes & Rectifiers
|
Si
|
Through Hole
|
TO-3P
|
|
|
|
MOSFETs TO3P 200V 130A N-CH TRENCH
- IXTQ130N20T
- IXYS
-
300:
5,37 €
-
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 23 Savaičių
|
„Mouser“ Dalies Nr.
747-IXTQ130N20T
|
IXYS
|
MOSFETs TO3P 200V 130A N-CH TRENCH
|
|
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 23 Savaičių
|
|
Min.: 300
Daugkart.: 30
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-3P
|
|
|
|
MOSFETs TO3P 100V 60A N-CH TRENCH
- IXTQ60N10T
- IXYS
-
1:
4,44 €
-
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 23 Savaičių
|
„Mouser“ Dalies Nr.
747-IXTQ60N10T
|
IXYS
|
MOSFETs TO3P 100V 60A N-CH TRENCH
|
|
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 23 Savaičių
|
|
|
4,44 €
|
|
|
2,95 €
|
|
|
1,98 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-3P
|
|
|
|
Lygintuvai 50ns, 16A, 50V, High Efficient Recovery Rectifier
- HER1601PTH
- Taiwan Semiconductor
-
900:
0,737 €
-
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 12 Savaičių
|
„Mouser“ Dalies Nr.
821-HER1601PTH
|
Taiwan Semiconductor
|
Lygintuvai 50ns, 16A, 50V, High Efficient Recovery Rectifier
|
|
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 12 Savaičių
|
|
Min.: 900
Daugkart.: 900
|
|
Rectifiers
|
|
Through Hole
|
TO-3P
|
|
|
|
Lygintuvai 50ns, 16A, 100V, High Efficient Recovery Rectifier
- HER1602PTH
- Taiwan Semiconductor
-
900:
0,737 €
-
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 12 Savaičių
|
„Mouser“ Dalies Nr.
821-HER1602PTH
|
Taiwan Semiconductor
|
Lygintuvai 50ns, 16A, 100V, High Efficient Recovery Rectifier
|
|
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 12 Savaičių
|
|
Min.: 900
Daugkart.: 900
|
|
Rectifiers
|
|
Through Hole
|
TO-3P
|
|
|
|
Lygintuvai 50ns, 16A, 200V, High Efficient Recovery Rectifier
- HER1603PTH
- Taiwan Semiconductor
-
900:
0,737 €
-
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 12 Savaičių
|
„Mouser“ Dalies Nr.
821-HER1603PTH
|
Taiwan Semiconductor
|
Lygintuvai 50ns, 16A, 200V, High Efficient Recovery Rectifier
|
|
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 12 Savaičių
|
|
Min.: 900
Daugkart.: 900
|
|
Rectifiers
|
|
Through Hole
|
TO-3P
|
|
|
|
Lygintuvai 50ns, 30A, 50V, High Efficient Recovery Rectifier
- HER3001PTH
- Taiwan Semiconductor
-
900:
1,01 €
-
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 12 Savaičių
|
„Mouser“ Dalies Nr.
821-HER3001PTH
|
Taiwan Semiconductor
|
Lygintuvai 50ns, 30A, 50V, High Efficient Recovery Rectifier
|
|
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 12 Savaičių
|
|
Min.: 900
Daugkart.: 900
|
|
Rectifiers
|
|
Through Hole
|
TO-3P
|
|
|
|
Lygintuvai 50ns, 30A, 100V, High Efficient Recovery Rectifier
- HER3002PTH
- Taiwan Semiconductor
-
900:
1,01 €
-
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 12 Savaičių
|
„Mouser“ Dalies Nr.
821-HER3002PTH
|
Taiwan Semiconductor
|
Lygintuvai 50ns, 30A, 100V, High Efficient Recovery Rectifier
|
|
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 12 Savaičių
|
|
Min.: 900
Daugkart.: 900
|
|
Rectifiers
|
|
Through Hole
|
TO-3P
|
|
|
|
Lygintuvai 50ns, 30A, 200V, High Efficient Recovery Rectifier
- HER3003PTH
- Taiwan Semiconductor
-
900:
1,01 €
-
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 12 Savaičių
|
„Mouser“ Dalies Nr.
821-HER3003PTH
|
Taiwan Semiconductor
|
Lygintuvai 50ns, 30A, 200V, High Efficient Recovery Rectifier
|
|
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 12 Savaičių
|
|
Min.: 900
Daugkart.: 900
|
|
Rectifiers
|
|
Through Hole
|
TO-3P
|
|
|
|
SCHOTTKY Diodes ir Lygintuvai 20A, 35V, Schottky Rectifier
- MBR2035PTH
- Taiwan Semiconductor
-
900:
0,786 €
-
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 12 Savaičių
|
„Mouser“ Dalies Nr.
821-MBR2035PTH
|
Taiwan Semiconductor
|
SCHOTTKY Diodes ir Lygintuvai 20A, 35V, Schottky Rectifier
|
|
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 12 Savaičių
|
|
Min.: 900
Daugkart.: 900
|
|
Schottky Diodes & Rectifiers
|
|
Through Hole
|
TO-3P
|
|
|
|
SCHOTTKY Diodes ir Lygintuvai 20A, 50V, Schottky Rectifier
- MBR2050PTH
- Taiwan Semiconductor
-
900:
0,786 €
-
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 12 Savaičių
|
„Mouser“ Dalies Nr.
821-MBR2050PTH
|
Taiwan Semiconductor
|
SCHOTTKY Diodes ir Lygintuvai 20A, 50V, Schottky Rectifier
|
|
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 12 Savaičių
|
|
Min.: 900
Daugkart.: 900
|
|
Schottky Diodes & Rectifiers
|
|
Through Hole
|
TO-3P
|
|
|
|
SCHOTTKY Diodes ir Lygintuvai 20A, 90V, Schottky Rectifier
- MBR2090PTH
- Taiwan Semiconductor
-
900:
0,819 €
-
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 12 Savaičių
|
„Mouser“ Dalies Nr.
821-MBR2090PTH
|
Taiwan Semiconductor
|
SCHOTTKY Diodes ir Lygintuvai 20A, 90V, Schottky Rectifier
|
|
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 12 Savaičių
|
|
Min.: 900
Daugkart.: 900
|
|
Schottky Diodes & Rectifiers
|
|
Through Hole
|
TO-3P
|
|
|
|
SCHOTTKY Diodes ir Lygintuvai 30A, 35V, Schottky Rectifier
- MBR3035PTH
- Taiwan Semiconductor
-
900:
0,955 €
-
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 12 Savaičių
|
„Mouser“ Dalies Nr.
821-MBR3035PTH
|
Taiwan Semiconductor
|
SCHOTTKY Diodes ir Lygintuvai 30A, 35V, Schottky Rectifier
|
|
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 12 Savaičių
|
|
Min.: 900
Daugkart.: 900
|
|
Schottky Diodes & Rectifiers
|
Si
|
Through Hole
|
TO-3P
|
|