TO-247-3 Puslaidininkiai

Puslaidininkių tipai

Pakeisti kategorijos rodinį
Rezultatai: 2 176
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr. Gam. Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu. Qty. RoHS
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 600 V, 22 mOhm typ., 84 A STMESH trench T Power MOSFET 248Prieinamumas
600Tikėtina 2026-05-12
Min.: 1
Daugkart.: 1

STMicroelectronics MOSFETs N-channel 600 V 32 mOhm typ. 62 A MDmesh M9 Power MOSFET in a TO-247 long leads 278Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 50

Vishay Semiconductors SCR NEW INPUT THYRISTOR - SUPER-248 1 437Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Central Semiconductor SiC MOSFET 1700V Through-Hole MOSFET N-Channel SiC 27Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
APC-E SiC SCHOTTKY diodai 1200V 20A, TO247-3L, Industrial Grade 254Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

APC-E SiC MOSFET 1700V 1000mR, TO247-3L, Industrial Grade 300Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

APC-E SiC SCHOTTKY diodai 1200V 30A, TO247-3L, Industrial Grade 274Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

IXYS IGBT 650V, 100A, XPT Gen5 C5 IGBT in TO-247AD 74Prieinamumas
300Tikėtina 2026-11-09
Min.: 1
Daugkart.: 1

APC-E SiC SCHOTTKY diodai 1200V 40A, TO247-3L, Industrial Grade 281Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Wolfspeed SiC SCHOTTKY diodai SIC SCHOTTKY DIODE 1200V, 2x20A 838Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1


Infineon Technologies MOSFETs MOSFT 55V 98A 8mOhm 113.3nCAC 14 174Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Vishay Semiconductors SiC SCHOTTKY diodai RECT 650V 20A RDL POWER SIC 512Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Vishay Semiconductors SiC SCHOTTKY diodai RECT 650V 20A RDL POWER SIC 697Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

ROHM Semiconductor MOSFETs TO247 600V 24A N-CH MOSFET 1 160Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Toshiba SiC MOSFET G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 45mohm 111Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1


onsemi SiC MOSFET SIC MOS TO247-3L 650V 655Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Bourns IGBT IGBT Discrete 650V, 50A in TO-247 2 206Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Infineon Technologies IGBT 1200 V, 75 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO247PLUS-3pin package 426Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

ROHM Semiconductor MOSFETs TO247 600V 35A N-CH MOSFET 560Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Vishay Semiconductors SiC SCHOTTKY diodai RECT 650V 8A RDL POWER SIC 886Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1


Littelfuse SCHOTTKY Diodes ir Lygintuvai 2x 20A 100V Rectifier 7 965Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Infineon Technologies IGBT 650 V, 40 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 package 7 871Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1


IXYS MOSFETs MOSFET 1 148Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

IXYS IGBT TO247 1200V 85A XPT 1 397Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1


IXYS IGBT XPT thin-wafer technology, 4th generation (Gen 4) Trench IGBT. Disc IGBT Gen 4 XPT PLUS247 1 256Prieinamumas
150Tikėtina 2026-06-29
Min.: 1
Daugkart.: 1