HiPerFET™ Power MOSFETs

IXYS HiPerFET™ Power MOSFETs are for hard switching and resonant mode applications. The devices offer low gate charge, excellent ruggedness with a fast intrinsic diode, and higher current handling capability that eliminates the need for multiple components. These high current HiPerFET MOSFETs are available in standard industrial packages, including isolated types.

Rezultatai: 720
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr.
 Gam.
Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.
Qty. RoHS ECAD modelis Technologijos
Montavimo stilius
Pakuotė / Korpusas
Tranzistoriaus poliškumas
Kanalų skaičius
Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa
svar. – nuolatinio išleidimo srovė
RDS On - Drain-Source Varža
Vgs - užtūros-šaltinio įtampa
Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa
Qg – vartų krūvis
Minimali darbinė temperatūra
Didžiausia darbinė temperatūra
Pd - skaidos galia
Kanalas Mode
Kvalifikacija
Prekinis pavadinimas
Pakavimas

IXYS MOSFETs 500V 16A
Duomenų Lapas
3 001Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 16 A 400 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 43 nC - 55 C + 150 C 300 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFETs MOSFET 650V/46A Ultra Junction X2
Duomenų Lapas
403Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 46 A 76 mOhms - 30 V, 30 V 2.7 V 75 nC - 55 C + 150 C 660 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs TO247 300V 72A N-CH X3CLASS
Duomenų Lapas
255Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 300 V 72 A 19 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 82 nC - 55 C + 150 C 390 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs 140 Amps 200V 0.018 Rds
Duomenų Lapas
300Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 200 V 140 A 18 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 240 nC - 55 C + 175 C 830 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs 600V 80A 0.07Ohm PolarP3 Power MOSFET
Duomenų Lapas
173Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 600 V 80 A 70 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 190 nC - 55 C + 150 C 1.3 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs Polar3 HiPerFET Power MOSFET
Duomenų Lapas
282Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 26 A 240 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 42 nC - 55 C + 150 C 500 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs 7 Amps 1000V
Duomenų Lapas
1 345Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 7 A 1.9 Ohms - 30 V, 30 V - 55 C + 150 C 300 W HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs TO252 300V 26A N-CH X3CLASS
Duomenų Lapas
1 956Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 300 V 26 A 66 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 22 nC - 55 C + 150 C 170 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs TO247 650V 62A N-CH X2CLASS
Duomenų Lapas
204Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 62 A 50 mOhms - 30 V, 30 V 2.7 V 100 nC - 55 C + 150 C 780 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFETs 250V/80A Ultra Junct ion X3-Class MOSFET
Duomenų Lapas
396Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 250 V 80 A 16 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 83 nC - 55 C + 150 C 390 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs 26 Amps 1200V
Duomenų Lapas
265Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 26 A 500 mOhms - 30 V, 30 V 6.5 V 255 nC - 55 C + 150 C 960 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs 500V 16A
Duomenų Lapas
1 727Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 16 A 400 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 36 nC - 55 C + 150 C 300 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs MOSFET 650V/22A Ultra Junction X2
Duomenų Lapas
739Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 22 A 160 mOhms - 30 V, 30 V 2.7 V 38 nC - 55 C + 150 C 390 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFETs 600V 64A 0.095Ohm PolarP3 Power MOSFET
Duomenų Lapas
267Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 64 A 95 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 145 nC - 55 C + 150 C 1.13 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs 200V, 60A current capacity, Ultra junction X4, TO-220 package, MOSFET
Duomenų Lapas
273Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 60 A 21 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 11 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement X4-Class Tube

IXYS MOSFETs 175V 150A
Duomenų Lapas
295Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 175 V 150 A 12 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 233 nC - 55 C + 175 C 880 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFETs 170 Amps 100V 0.009 Rds
Duomenų Lapas
368Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 100 V 170 A 9 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 198 nC - 55 C + 175 C 714 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFETs 82 Amps 300V 0.026 Ohm Rds
Duomenų Lapas
355Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 300 V 70 A 26 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 185 nC - 55 C + 150 C 300 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs TO252 250V 30A N-CH X3CLASS
Duomenų Lapas
661Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 250 V 30 A 60 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 21 nC - 55 C + 150 C 170 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs TO247 650V 80A N-CH X2CLASS
Duomenų Lapas
239Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 80 A 38 mOhms - 30 V, 30 V 2.7 V 137 nC - 55 C + 150 C 890 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs TO263 300V 56A N-CH X3CLASS
Duomenų Lapas
794Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 300 V 56 A 27 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 56 nC - 55 C + 150 C 320 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs TO247 250V 120A N-CH X3CLASS
Duomenų Lapas
1 067Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 250 V 120 A 12 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 122 nC - 55 C + 150 C 480 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFETs PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds
Duomenų Lapas
2 347Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 900 V 18 A 600 mOhms - 30 V, 30 V 6 V 97 nC - 55 C + 150 C 540 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs tbd Amps 500V 0.06 Ohms Rds
Duomenų Lapas
209Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 500 V 70 A 52 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 240 nC - 55 C + 150 C 625 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs 500V 60A 0.1Ohm PolarP3 Power MOSFET
Duomenų Lapas
268Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 500 V 60 A 100 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 96 nC - 55 C + 150 C 1.04 mW Enhancement HiPerFET Tube