SICWx silicio karbido (SiC) MOSFET

„Micro Commercial Components (MCC)“ SICWx silicio karbidas (SiC) MOSFET yra didelės spartos perjungimo 650 V SiC MOSFET. Šiuose MOSFET naudojama SiC MOSFET technologija ir jie puikiai tinka aukštos įtampos taikymams, todėl patikimai veikia atšiaurioje pramoninėje aplinkoje. SICWx MOSFET yra suprojektuoti su mažu RDS(on) ir maža užtūros įkrova, kad sumažėtų perjungimo nuostoliai ir padidėtų bendras sistemos efektyvumas Efektyvumą didinanti konstrukcija ir TO-247 pakuotė užtikrina puikias šilumines charakteristikas, o 3 kontaktų arba 4 kontaktų (Kelvino šaltinio kaištis) variantai padidina universalumą. SICWx MOSFET yra tvirtos konstrukcijos ir lavininės konstrukcijos, kad būtų užtikrintas geresnis šilumos valdymas ir efektyvumas. Šie MOSFET idealiai tinka maitinimo šaltiniams, telekomunikacijoms, atsinaujinančiosios energijos sistemoms ir variklių pavaroms.

Rezultatai: 6
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr.
 Gam.
Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.
Qty. RoHS ECAD modelis Montavimo stilius
Pakuotė / Korpusas
Tranzistoriaus poliškumas
Kanalų skaičius
Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa
svar. – nuolatinio išleidimo srovė
RDS On - Drain-Source Varža
Vgs - užtūros-šaltinio įtampa
Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa
Qg – vartų krūvis
Minimali darbinė temperatūra
Didžiausia darbinė temperatūra
Pd - skaidos galia
Kanalas Mode
Micro Commercial Components (MCC) SiC MOSFET SiC MOSFET,TO-247-4
Duomenų Lapas
360Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 107 A 35 mOhms - 10 V, + 22 V 3.1 V 275 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement
Micro Commercial Components (MCC) SiC MOSFET SiC MOSFET,TO-247AB
Duomenų Lapas
177Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247AB-3 N-Channel 1 Channel 650 V 107 A 35 mOhms - 10 V, + 22 V 3.1 V 275 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement
Micro Commercial Components (MCC) SiC MOSFET SiC MOSFET,TO-247AB
Duomenų Lapas
336Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247AB-3 N-Channel 1 Channel 650 V 60 A 65 mOhms - 10 V, + 25 V 2.6 V 121 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement
Micro Commercial Components (MCC) SiC MOSFET SiC MOSFET,TO-247-4
Duomenų Lapas
355Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 60 A 65 mOhms - 10 V, + 25 V 2.6 V 121 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement
Micro Commercial Components (MCC) SiC MOSFET SiC MOSFET,TO-247AB
Duomenų Lapas
337Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247AB-3 N-Channel 1 Channel 650 V 32 A 130 mOhms - 10 V, + 25 V 2.6 V 66 nC - 55 C + 175 C 166 W Enhancement
Micro Commercial Components (MCC) SiC MOSFET SiC MOSFET,TO-247-4
Duomenų Lapas
360Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 32 A 130 mOhms - 10 V, + 25 V 2.6 V 66 nC - 55 C + 175 C 166 W Enhancement