NXH0x0F120MNF1 SiC MOSFET

Onsemi  NXH0x0F120MNF1 SiC MOSFET – tai galios moduliai su visu tilteliu ir termistoriumi F1 pakuotėje. Šie MOSFET (metalo, oksido ir puslaidininkio lauko tranzistoriai) turi termistorius ir prispaudžiamuosius kaiščius. NXH0x0F120MNF1 moduliuos galima rinktis su iš anksto uždėta šiluminės sąsajos medžiaga (TIM) ir be iš anksto uždėtos TIM. Šie moduliai puikiai tinka saulės energijos keitikliams, nepertraukiamo maitinimo šaltiniams, elektromobilių įkrovimo stotelėms ir pramoninei energetikai. NXH0x0F120MNF1 moduliai yra be Pb, halogenidų ir atitinka RoHS reikalavimus. Šių modulių laikymo temperatūros diapazonas yra nuo -40°C iki 150°C, o darbinės sandūros temperatūros diapazonas -40°C iki 175°C. 

Rezultatai: 6
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr.
 Gam.
Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.
Qty. RoHS ECAD modelis Technologijos
Montavimo stilius
Pakuotė / Korpusas
Tranzistoriaus poliškumas
Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa
svar. – nuolatinio išleidimo srovė
RDS On - Drain-Source Varža
Vgs - užtūros-šaltinio įtampa
Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa
Minimali darbinė temperatūra
Didžiausia darbinė temperatūra
Pd - skaidos galia
Serija
Pakavimas
onsemi NXH007F120M3F2PTHG
onsemi MOSFET moduliai 7M 1200V 40A M3S SIC FULL BRIDGE MODULE
Duomenų Lapas
23Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

SiC Press Fit PIM-34 N-Channel 1.2 kV 149 A - 10 V, + 22 V 2.72 V - 40 C + 175 C 353 W NXH007F120M3F2PTHG Tray
onsemi NXH011F120M3F2PTHG
onsemi MOSFET moduliai 11M 1200V 40A M3S SIC FULL BRIDGE MODULE
Duomenų Lapas
12Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

SiC Press Fit PIM-34 N-Channel 1.2 kV 105 A 16 mOhms - 10 V, + 22 V 2.72 V - 40 C + 175 C 244 W NXH011F120M3F2PTHG Tray

onsemi MOSFET moduliai SiC Module, 4-PACK Full Bridge Topology, 1200 V, 20 mohm M1 SiC MOSFET with TIM
Duomenų Lapas
28Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

SiC NXH020F120MNF1 Tray

onsemi MOSFET moduliai SiC Module, 4-PACK Full Bridge Topology, 1200 V, 40 mohm M1 SiC MOSFET with TIM
Duomenų Lapas
28Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

SiC NXH040F120MNF1 Tray

onsemi MOSFET moduliai SiC Module, 4-PACK Full Bridge Topology, 1200 V, 20 mohm M1 SiC MOSFET
Duomenų Lapas
28Gamyklos turimos atsargos
Daugiau Informacijos Suteikiama
Min.: 28
Daugkart.: 28
SiC NXH020F120MNF1 Tray

onsemi MOSFET moduliai SiC Module, 4-PACK Full Bridge Topology, 1200 V, 40 mohm M1 SiC MOSFET
Duomenų Lapas
28Gamyklos turimos atsargos
Daugiau Informacijos Suteikiama
Min.: 28
Daugkart.: 28
SiC NXH040F120MNF1 Tray