TrenchFET® Gen IV MOSFETs

Vishay / Siliconix TrenchFET® Gen IV MOSFETs offer industry-low on-resistance and low total gate charge in the PowerPAK® SO-8 and 1212-8S packages. These TrenchFET Gen IV MOSFETs feature extremely low RDS(on) that translates to lower conduction losses for reduced power consumption. The TrenchFET MOSFETs also come with space-saving PowerPAK® 1212-8 packages with similar efficiency with a third of its size. Typical applications include high-power DC/DC converters, synchronous rectification, solar micro-inverters, and motor drive switches.

Rezultatai: 335
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr.
 Gam.
Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.
Qty. RoHS ECAD modelis Technologijos
Montavimo stilius
Pakuotė / Korpusas
Tranzistoriaus poliškumas
Kanalų skaičius
Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa
svar. – nuolatinio išleidimo srovė
RDS On - Drain-Source Varža
Vgs - užtūros-šaltinio įtampa
Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa
Qg – vartų krūvis
Minimali darbinė temperatūra
Didžiausia darbinė temperatūra
Pd - skaidos galia
Kanalas Mode
Kvalifikacija
Prekinis pavadinimas
Pakavimas
Vishay Semiconductors MOSFETs 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8L
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 6 000
Daugkart.: 3 000
Reel: 3 000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8-4 N-Channel 1 Channel 40 V 60 A 2.65 mOhms - 16 V, 20 V 2.4 V 50 nC - 55 C + 175 C 27.7 W Enhancement TrenchFET, PowerPAK Reel
Vishay / Siliconix MOSFETs 30V Vds TrenchFET PowerPAK SO-8
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 6 000
Daugkart.: 3 000
Reel: 3 000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8 N-Channel 1 Channel 30 V 16 A 5.6 mOhms - 16 V, 20 V 1 V 47 nC - 55 C + 150 C 29.7 W Enhancement TrenchFET, PowerPAK Reel
Vishay / Siliconix MOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 3 000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8 N-Channel 1 Channel 30 V 33 A 6 mOhms - 16 V, 20 V 1.2 V 21.5 nC - 55 C + 150 C 14.7 W Enhancement TrenchFET, PowerPAK Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix MOSFETs 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 6 000
Daugkart.: 3 000
Reel: 3 000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8 N-Channel 1 Channel 40 V 60 A 2.3 mOhms - 16 V, 20 V 1.1 V 97.5 nC - 55 C + 150 C 48 W Enhancement TrenchFET, PowerPAK Reel
Vishay Semiconductors MOSFETs 20V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 6 000
Daugkart.: 3 000
Reel: 3 000

Si SMD/SMT PowerPAK-1212-8SH N-Channel 1 Channel 20 V 21.1 A 5.3 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 21 nC - 55 C + 150 C 3.8 W Enhancement TrenchFET, PowerPAK Reel
Vishay Semiconductors MOSFETs 30V Vds; +/-20V Vgs PowerPAK 1212-8SH
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 6 000
Daugkart.: 3 000
Reel: 3 000

Si SMD/SMT PowerPAK-1212-8SH-8 N-Channel 1 Channel 30 V 20 A 8.9 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 30 nC - 55 C + 150 C 28 W Enhancement TrenchFET; PowerPAK Reel
Vishay / Siliconix MOSFETs N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 6 000
Daugkart.: 3 000

Si SMD/SMT PowerPAK 1212-8 N-Channel 1 Channel 60 V 81.2 A 4.3 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 31.5 nC - 55 C + 150 C 57 W Enhancement
Vishay Semiconductors MOSFETs N-Ch 25V Vds 21.8nC Qg Typ
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 6 000
Daugkart.: 3 000
Reel: 3 000

Si SMD/SMT PowerPAK-1212-8 N-Channel 1 Channel 25 V 60 A 1.52 mOhms - 12 V, 16 V 1 V 75 nC - 55 C + 150 C 57 W Enhancement TrenchFET, PowerPAK Reel
Vishay MOSFETs PPAK1212 N-CH 80V 17.4A
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 6 000
Daugkart.: 3 000
Reel: 3 000

Si SMD/SMT PowerPAK-1212-8S N-Channel 1 Channel 80 V 63 A 7.2 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 37.5 nC - 55 C + 150 C 65.7 W Enhancement Reel
Vishay / Siliconix MOSFETs N-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 6 000
Daugkart.: 3 000

Si SMD/SMT PowerPAK 1212-8 N-Channel 1 Channel 80 V 51 A 10 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 12.2 nC - 55 C + 150 C 52 W Enhancement