NCV57001DWR2G

onsemi
863-NCV57001DWR2G
NCV57001DWR2G

Gam.:

Aprašymas:
Galvaniškai Izoliuotos Gate Tvarkyklės IGBT gate driver

Duomenų Lapas:
ECAD modelis:
Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.
Daugiau informacijos
Sužinokite daugiau apie onsemi NCV57001DWR2G

Prieinamumas: 8 270

Turime sandėlyje:
8 270 Galime išsiųsti iš karto
Gamintojo numatytas pristatymo laikas
21 Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje, jei dalių kiekis didesnis nei nurodyta.
Min. 1   Užsakoma po 1
Vieneto kaina:
-,-- €
Plėt. Kaina:
-,-- €
Numatomas Įkainis:
Pakuotė:
Visa Ritė (Užsakoma po 1000)

Kainodara (EUR)

Qty. Vieneto kaina
Plėt. Kaina
Nukerpama juosta / „MouseReel™“ †
5,17 € 5,17 €
3,59 € 35,90 €
3,29 € 82,25 €
2,61 € 261,00 €
2,50 € 625,00 €
2,37 € 1 185,00 €
Visa Ritė (Užsakoma po 1000)
2,22 € 2 220,00 €
† 5,00 € „MouseReel™“ mokestis bus pridėtas ir apskaičiuotas jūsų pirkinių krepšelyje. Visi „MouseReel™“ užsakymai neatšaukiami ir negrąžinami. ↩

Produkto Požymis Atributo vertė Pasirinkite Požymį
onsemi
Gaminio kategorija: Galvaniškai Izoliuotos Gate Tvarkyklės
RoHS:  
NCV57001
SMD/SMT
SOIC-16
- 40 C
+ 125 C
1.4 W
90 ns
10 ns
15 ns
AEC-Q100
Reel
Cut Tape
MouseReel
Prekės Ženklas: onsemi
Configuration: Inverting, Non-Inverting
Maksimalus išjungimo delsos laikas: 90 ns
Maksimalus įjungimo delsos laikas: 90 ns
Vairuotojų skaičius: 1 Driver
Išėjimų skaičius: 1 Output
Darbinė Maitinimo Srovė: 4.8 mA
Išvesties Srovė: 4 A
Gaminys: IGBT, MOSFET Gate Drivers
Gaminio tipas: Galvanically Isolated Gate Drivers
Gamyklinės pakuotės kiekis: 1000
Subkategorija: PMIC - Power Management ICs
Maksimali Maitinimo Įtampa: 5 V
Maitinimo Įtampa - Min.: 3.3 V
Rasta produktų:
Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį
Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.
Pasirinkti atributai: 0

Duomenų Lapas

CNHTS:
8542399000
CAHTS:
8542390000
USHTS:
8542390090
MXHTS:
8542399999
ECCN:
EAR99

Pairing Gate Drivers with EliteSiC MOSFETs

Energy Infrastructure applications like EV charging, energy storage, Uninterruptible Power Systems (UPS), and solar are pushing system power levels to hundreds of kilowatts and even megawatts. These high-power applications employ half bridge, full bridge, and 3-phase topologies duty cycling up to six switches for inverters and BLDC. Depending on the power level and switching speeds, system designers look to various switch technologies, including silicon, IGBTs, and SiC, to best fit application requirements.

Galvanically Isolated High Current Gate Drivers

onsemi Galvanically Isolated High Current Gate Drivers offer high transient and electromagnetic immunity. The NCx5700x is a high-current single-channel IGBT driver with internal galvanic isolation, designed for high system efficiency and reliability in high-power applications. The drivers feature complementary inputs, open-drain FAULT, Ready outputs, active Miller clamp, accurate UVLOs, DESAT protection, soft turn-off at DESAT, and separate high and low (OUTH and OUTL) driver outputs for system design convenience. The NCx5700x accommodates 5V and 3.3V signals on the input side and a wide bias voltage range on the driver side, including negative voltage capability. These onsemi devices provide >5kVRMS (UL1577 rating) galvanic isolation and >1200VIORM (working voltage) capabilities. The NCx5700x series is available in the wide-body SOIC-16 package with a guaranteed 8mm creepage distance between input and output to fulfill reinforced safety insulation requirements.

NCV57001 Isolated High Current IGBT Gate Drivers

onsemi NCV57001 Isolated High Current IGBT Gate Drivers with internal galvanic isolation are designed for high system efficiency and reliability in high-power applications. The NCV57001's features include complementary inputs, open drain FAULT, Ready outputs, active Miller clamp, accurate UVLOs, DESAT protection, and soft turn-off at DESAT. The device allows both 5V and 3.3V signals on the input side and a wide bias voltage range on the driver side, including negative voltage capability. The device provides >5kVrms (UL1577 rating) galvanic isolation and >1200Viorm (working voltage) capabilities. The NCV57001 Isolated High Current IGBT Gate Driver is packaged to fulfill reinforced safety insulation requirements. The device is offered in a wide-body SOIC-16 package with a guaranteed 8mm creepage distance between input and output.

Įvyko netikėta klaida.


Turite klausimų? Apsilankykite pagalbos centre.
Jei turite klausimų apie konkretų užsakymą, prisijunkite prie savo paskyros.

Jei susidūrėte su papildomomis problemomis, susisiekite su mumis tel. Nr. 800-346-6873 arba el. paštu help@mouser.com.